సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) పూత అంటే ఏమిటి? ప్రాపర్టీస్, CVD ప్రాసెస్ & అప్లికేషన్స్

వివరాల సారాంశం

A సిలికాన్ కార్బైడ్ పూత (SiC పూత)రసాయనికంగా నిరోధక మరియు ఉష్ణ స్థిరమైన ప్రక్రియ ఇంటర్‌ఫేస్‌ను రూపొందించడానికి, సాధారణంగా అధిక-స్వచ్ఛత గ్రాఫైట్‌ను కాంపోనెంట్ ఉపరితలంపై నిక్షిప్తం చేసిన దట్టమైన SiC పొర. సెమీకండక్టర్ పరికరాలలో, పూత సాధారణంగా ఉత్పత్తి చేయబడుతుందిరసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD).

దీని పనితీరు సంయుక్త వ్యవస్థ నుండి వస్తుందిగ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్, CVD SiC లేయర్, కాంపోనెంట్ జ్యామితి మరియు రియాక్టర్ పర్యావరణం.

1. సిలికాన్ కార్బైడ్ పూత అంటే ఏమిటి?

గ్రాఫైట్ సెమీకండక్టర్ హాట్-జోన్ భాగాల కోసం విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది, ఎందుకంటే ఇది మెషిన్ చేయగలదు మరియు ఉష్ణ స్థిరంగా ఉంటుంది. అయినప్పటికీ, బేర్ గ్రాఫైట్ ప్రాసెస్ వాయువులతో చర్య జరుపుతుంది, ఆక్సీకరణం చెందుతుంది, మలినాలను విడుదల చేస్తుంది లేదా ఉపరితలం క్షీణించినప్పుడు కణాలను ఉత్పత్తి చేస్తుంది.

CVD SiC ఆ ఉపరితల స్థితిని మారుస్తుంది. సిలికాన్ కార్బైడ్ ఒక దట్టమైన పాలీక్రిస్టలైన్ పొరగా మెషిన్ చేయబడిన గ్రాఫైట్ బాడీపై నిక్షిప్తం చేయబడుతుంది, ఇది గ్రాఫైట్ మరియు ప్రాసెస్ ఎన్విరాన్మెంట్ మధ్య అడ్డంకిని సృష్టిస్తుంది.

ప్రాసెస్ గ్యాస్ / వేఫర్ → దట్టమైన CVD SiC ఉపరితలం → SiC/గ్రాఫైట్ ఇంటర్‌ఫేస్ → హై-ప్యూరిటీ గ్రాఫైట్ బాడీ

గ్రాఫైట్ స్ట్రక్చరల్ బాడీ, థర్మల్ మాస్ మరియు మ్యాచినాబిలిటీని సరఫరా చేస్తుంది; SiC ప్రాసెస్-ఫేసింగ్ ఉపరితలాన్ని అందిస్తుంది. ఇంటర్‌ఫేస్ తప్పనిసరిగా నిక్షేపణ, శీతలీకరణ మరియు పునరావృత రియాక్టర్ చక్రాల నుండి బయటపడాలి.

SGL కార్బన్ వాణిజ్య SiC పూతలను ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్‌పై నిక్షిప్తం చేసిన దట్టమైన, ధరించే మరియు తుప్పు-నిరోధక CVD పొరలుగా వివరిస్తుంది, అప్లికేషన్‌లు సెమీకండక్టర్ క్రిస్టల్ గ్రోత్, సిలికాన్/SiC ఎపిటాక్సీ మరియుMOCVD.

అందుకే సెమీకండక్టర్-గ్రేడ్ SiC-కోటెడ్ భాగాలను ఇలా మూల్యాంకనం చేయాలిఇంజనీరింగ్ మెటీరియల్ సిస్టమ్స్, కేవలం "పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్" గా కాకుండా.

CVD SiC కోటింగ్ vs సాలిడ్ SiC

2. గ్రాఫైట్ సెమీకండక్టర్ ఎక్విప్‌మెంట్‌లో SiCతో ఎందుకు పూత పూయబడింది?

గ్రాఫైట్ తయారీ మరియు ఉష్ణ ప్రయోజనాలను డిమాండ్ చేసే సెమీకండక్టర్ పరిస్థితులకు బాగా సరిపోయే ఉపరితలంతో కలపడం దీని ఉద్దేశ్యం.

గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ లేదా పొర క్యారియర్‌ను గట్టి టాలరెన్స్‌లు మరియు కాంప్లెక్స్ పాకెట్స్‌కు మెషిన్ చేయవచ్చు. CVD SiC అప్పుడు ప్రాసెస్ వాయువులు మరియు శుభ్రపరచడానికి బహిర్గతమయ్యే ఉపరితలాన్ని రక్షిస్తుంది. ఈ కలయిక నాలుగు ప్రధాన సమస్యలను పరిష్కరిస్తుంది.

కాలుష్య నియంత్రణ.దట్టమైన, అధిక-స్వచ్ఛత ఉపరితలం పొర వాతావరణం నుండి అంతర్లీన గ్రాఫైట్‌ను వేరుచేయడానికి సహాయపడుతుంది.

రసాయన మన్నిక.ఎపిటాక్సీ మరియు MOCVD దూకుడు పూర్వగాములు మరియు శుభ్రపరిచే రసాయన శాస్త్రాన్ని ఉపయోగిస్తాయి; బహిర్గత గ్రాఫైట్‌తో పోలిస్తే SiC ప్రతిఘటనను మెరుగుపరుస్తుంది.

కణ నియంత్రణ.పగుళ్లు, పొట్టు లేదా ఉపరితల క్షీణత కణ మూలాలుగా మారవచ్చు, కాబట్టి పరిశుభ్రతను ప్రాసెస్ చేయడానికి పూత సమగ్రత నేరుగా ముఖ్యమైనది.

థర్మల్ రిపీటబిలిటీ.ససెప్టర్లు మరియు క్యారియర్లు రియాక్టర్ థర్మల్ ఫీల్డ్‌లో భాగం. వాటి జ్యామితి మరియు ఉపరితల స్థితి స్థిరంగా ఉండాలి కాబట్టి పొర ఉష్ణోగ్రత పునరావృతమవుతుంది.

మెర్సెన్ అధిక ఉష్ణోగ్రత, అధిక శూన్యత, ఉగ్రమైన వాయు పూర్వగాములు, కాలుష్య నియంత్రణ మరియు ఎపిటాక్సీ మరియు MOCVDలలో ఉపయోగించే గ్రాఫైట్ పరికరాలకు కీలకమైన ఆపరేటింగ్ అవసరాలుగా యాసిడ్‌లను శుభ్రపరచడానికి నిరోధకతను గుర్తిస్తుంది. ఇది పూత సమగ్రతకు ముఖ్యమైన గ్రాఫైట్/SiC CTE అనుకూలతను కూడా హైలైట్ చేస్తుంది. 

పూత నాణ్యతను ఎందుకు వేరు చేయలేదో ఇది వివరిస్తుందిగ్రాఫైట్ నాణ్యత, డైమెన్షనల్ ఖచ్చితత్వం లేదా రియాక్టర్ పరిస్థితులు. వక్రీకరించిన లేదా పేలవంగా రూపొందించబడిన భాగంపై రసాయనికంగా అద్భుతమైన SiC పొర ఇప్పటికీ పేలవమైన ప్రక్రియ పనితీరును అందించవచ్చు.

3. CVD సిలికాన్ కార్బైడ్ పూత ఎలా ఉత్పత్తి చేయబడుతుంది?

ఒక సాధారణ తయారీ గొలుసు:

గ్రాఫైట్ ఎంపిక → ప్రెసిషన్ మ్యాచింగ్ → శుద్దీకరణ → ఉపరితల తయారీ → CVD SiC నిక్షేపణ → తనిఖీ

గ్రాఫైట్ స్వచ్ఛత, మైక్రోస్ట్రక్చర్ మరియు థర్మల్ బిహేవియర్ కోసం ఎంపిక చేయబడింది, తర్వాత పూత పూయడానికి ముందు మెషిన్ చేయబడుతుంది ఎందుకంటే ఫ్లాట్‌నెస్, పాకెట్ డెప్త్ మరియు అంచు జ్యామితి తుది కొలతలు మరియు పూత ఏకరూపతను ప్రభావితం చేస్తుంది.

CVD సమయంలో, వాయు పూర్వగాములు అధిక-ఉష్ణోగ్రత రియాక్టర్‌లోకి ప్రవేశిస్తాయి. రియాక్టివ్ జాతులు గ్రాఫైట్ ఉపరితలం చేరుకుంటాయి, ఇక్కడ SiC న్యూక్లియేట్ అవుతుంది మరియు నిరంతర పొరగా పెరుగుతుంది.

SGL కార్బన్ సాధారణ SiC నిక్షేపణ ఉష్ణోగ్రతలను సుమారుగా బహిరంగంగా నివేదిస్తుంది1,200–1,300°Cదాని వాణిజ్య పూత ప్రక్రియ కోసం. ఇది ఒక పూత వ్యవస్థ కోసం β-SiC లేదా క్యూబిక్ 3C-SiC ని నివేదిస్తుంది.

CVD-SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్‌లపై ఇటీవలి పరిశోధన, పూత నిర్మాణం ప్రాసెసింగ్ పరిస్థితులపై బలంగా ఆధారపడి ఉంటుందని మరింత నిరూపిస్తుంది.

ఎ 2026శాస్త్రీయ నివేదికలునుండి నిక్షేపణను అధ్యయనం చేసింది1,100 నుండి 1,350°C, ఒత్తిడి మరియు H₂/MTS నిష్పత్తిలో మార్పులతో పాటు. పరిశోధకులు పూత పదనిర్మాణం, కరుకుదనం, స్టోయికియోమెట్రీ మరియు కాఠిన్యంలో గణనీయమైన మార్పులను గమనించారు, దీని మధ్య సంబంధాన్ని ప్రదర్శిస్తారు:

CVD పారామితులు → SiC మైక్రోస్ట్రక్చర్ → పూత లక్షణాలు → కాంపోనెంట్ పనితీరు. 

ముఖ్యమైన ఇంజినీరింగ్ పాఠం"CVD SiC" అనేది ఒక స్థిర పదార్థం కాదు.

వంటి స్పెసిఫికేషన్:

"100 μm SiC పూత"

మందాన్ని మాత్రమే వివరిస్తుంది.

ఇది పూర్తిగా నిర్వచించలేదు:

l స్వచ్ఛత;

l సచ్ఛిద్రత;

l ధాన్యం నిర్మాణం;

l ఉపరితల కరుకుదనం;

l పూత ఏకరూపత;

l ఇంటర్ఫేస్ నాణ్యత;

l అవశేష ఒత్తిడి.

సెమీకండక్టర్ పరికరాల కోసం, ఆ కారకాలు నామమాత్రపు మందం వలె ముఖ్యమైనవి కావచ్చు.

సాధారణ పూత లోపాలు

4. ఏ SiC కోటింగ్ లక్షణాలు చాలా ముఖ్యమైనవి?

సెమీకండక్టర్ ఉపయోగం కోసం, కాలుష్య నియంత్రణ, ప్రక్రియ స్థిరత్వం మరియు కాంపోనెంట్ జీవితకాలానికి అనుసంధానించబడినవి అత్యంత ఉపయోగకరమైన లక్షణాలు.

పబ్లిక్ కమర్షియల్ బెంచ్‌మార్క్‌గా, SGL కార్బన్ ఒక SiC పూత కోసం సుమారుగా బల్క్ డెన్సిటీని నివేదిస్తుంది3.2 గ్రా/సెం³, యొక్క కాఠిన్యం40 GPa, ఉష్ణ విస్తరణ4.3 × 10^-6 K^-1నుండి 100-600 ° C మరియు ఒక సాధారణ పూత మందం100 μm. ఈ విలువలు సార్వత్రిక సెమీకండక్టర్ స్పెసిఫికేషన్‌ల కంటే ఉదాహరణలు.

రెండు పారామితులు ప్రత్యేక శ్రద్ధ అవసరం:పూత మందం మరియు CTE.

1. మందమైన SiC పూత స్వయంచాలకంగా మంచిది కాదు.

అదనపు మందం పెద్ద రక్షిత అవరోధాన్ని అందించవచ్చు, కానీ ఇది భాగాల పరిమాణాలను కూడా మార్చవచ్చు మరియు పేరుకుపోయిన అవశేష ఒత్తిడిని పెంచుతుంది. ఇది ససెప్టర్లకు ముఖ్యమైనది మరియుపొర వాహకాలుఇక్కడ పాకెట్ డెప్త్, ఫ్లాట్‌నెస్ మరియు ఎడ్జ్ జ్యామితి ప్రక్రియ-క్లిష్టంగా ఉంటాయి.

2. CTE మ్యాచింగ్ కూడా అంతే ముఖ్యం.

SiC అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద జమ చేయబడుతుంది మరియు గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్‌తో కలిసి చల్లబడుతుంది. SiC మరియు గ్రాఫైట్ వేర్వేరుగా విస్తరించి, కుదించినట్లయితే, ఇంటర్‌ఫేస్ దగ్గర యాంత్రిక ఒత్తిడి అభివృద్ధి చెందుతుంది.

సరళీకృత వైఫల్య మార్గం:

CTE అసమతుల్యత → అవశేష ఒత్తిడి → మైక్రోక్రాక్ → క్రాక్ ప్రొపగేషన్ → డీలామినేషన్ → పార్టికల్స్ / ఎక్స్‌పోజ్డ్ గ్రాఫైట్

మందాన్ని పెంచడం ద్వారా పూత వైఫల్యాన్ని ఎల్లప్పుడూ ఎందుకు పరిష్కరించలేదో ఈ విధానం వివరిస్తుంది.

ఎ 2026సెరామిక్స్ ఇంటర్నేషనల్అధ్యయనం ప్రత్యేకంగా 1,260 ° C, 1,280 ° C మరియు 1,320 ° C వద్ద గ్రాఫైట్‌పై జమ చేసిన SiCని పరిశోధించింది మరియు నిక్షేపణ ఉష్ణోగ్రత సూక్ష్మ నిర్మాణం మరియు ఇంటర్‌ఫేషియల్ సంశ్లేషణను ప్రభావితం చేస్తుందని కనుగొంది.

అందువల్ల, పూత నాణ్యతను వీటి కలయిక ద్వారా నిర్ణయించాలి:

స్వచ్ఛత + సూక్ష్మ నిర్మాణం + ఏకరూపత + ఇంటర్‌ఫేస్ సమగ్రత + జ్యామితి

మందం మాత్రమే కాకుండా.

5. SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ఎక్కడ ఉపయోగించబడుతుంది మరియు దానిని ఎలా ఎంచుకోవాలి?

బలమైన అప్లికేషన్‌లు అధిక ఉష్ణోగ్రత, రియాక్టివ్ కెమిస్ట్రీ మరియు కఠినమైన పొర-స్థాయి అవసరాలను ఎదుర్కొనే భాగాలు.

1. సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ

SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్లు ఉష్ణ బదిలీలో పాల్గొంటున్నప్పుడు పొరలకు మద్దతు ఇస్తాయి. ఫ్లాట్‌నెస్, పాకెట్ జ్యామితి, పూత ఏకరూపత మరియు ఉపరితల స్థితి పొర ఉష్ణోగ్రత మరియు ఎపిటాక్సియల్ ఏకరూపతను ప్రభావితం చేయవచ్చు.

అందువల్ల పూత విస్తృత ఉష్ణ వ్యవస్థలో భాగం:

హీటర్ / ఎనర్జీ సోర్స్ → ససెప్టర్ → వేఫర్ థర్మల్ బౌండరీ → పొర ఉష్ణోగ్రత → ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్

2. సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ

SiC ఎపిటాక్సీ ముఖ్యంగా థర్మల్-ఫీల్డ్ మెటీరియల్స్‌పై డిమాండ్‌ను కలిగి ఉంది. ససెప్టర్లు, రింగులు మరియు సంబంధిత భాగాలు తప్పనిసరిగా రసాయన స్థిరత్వం, తక్కువ కాలుష్యం మరియు డైమెన్షనల్ అనుగుణ్యతను పునరావృతమయ్యే అధిక-ఉష్ణోగ్రత ఆపరేషన్ ద్వారా నిర్వహించాలి.

3. GaN మరియు LED MOCVD

MOCVD వేఫర్ క్యారియర్లు మరియు ఉపగ్రహ ప్లాట్‌ఫారమ్‌లు పూర్వగామి-రిచ్ వాతావరణాలలో పనిచేస్తాయి, ఇక్కడ క్యారియర్ ఉష్ణోగ్రత పంపిణీ పొర అంతటా వృద్ధి పరిస్థితులను ప్రభావితం చేస్తుంది.

క్యారియర్ జ్యామితి లేదా ఉపరితల స్థితిలో మార్పులు వీటిలో వైవిధ్యాలకు దోహదం చేస్తాయి:

l పొర ఉష్ణోగ్రత;

l వృద్ధి రేటు;

l ఫిల్మ్ మందం;

l కూర్పు;

l పొర నుండి పొర ఏకరూపత.

మెర్సెన్ ప్రత్యేకంగా అధిక-స్వచ్ఛత కలిగిన SiC-పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్, ఏకరీతి ఉష్ణ ప్రవర్తన, దూకుడు వాయువులకు ప్రతిఘటన మరియు ఎపిటాక్సీ అప్లికేషన్‌లకు ముఖ్యమైన అవసరాలుగా ఇన్-సిటు కెమికల్ క్లీనింగ్‌కు వ్యతిరేకంగా మన్నికను గుర్తిస్తుంది.

4. ఇతర అధిక-ఉష్ణోగ్రత ప్రక్రియలు

ఎంచుకున్న RTP/RTA, CVD, ALD మరియు ఇతర థర్మల్-ఫీల్డ్ భాగాలు కూడా SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్‌ను ఉష్ణోగ్రత, రసాయన శాస్త్రం, కాలుష్య ప్రమాదం మరియు జ్యామితి సమర్థించేటప్పుడు ఉపయోగించవచ్చు.

ఎంపిక ప్రారంభం కావాలిరియాక్టర్ మరియు ప్రక్రియ, జెనరిక్ కోటింగ్ స్పెసిఫికేషన్ కాదు.

నిర్వచించండి:

l ప్రక్రియ మరియు రియాక్టర్ నమూనా;

l పొర పరిమాణం;

l ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత;

l ప్రక్రియ మరియు శుభ్రపరిచే వాయువులు;

l భాగం డ్రాయింగ్;

l గ్రాఫైట్ అవసరం;

l క్లిష్టమైన కొలతలు మరియు ఫ్లాట్‌నెస్;

l పూత మందం;

l ఉపరితల కరుకుదనం;

l తనిఖీ అవసరాలు.

అత్యంత ఉపయోగకరమైన RFQ ఒక కేంద్ర ప్రశ్నను అడుగుతుంది:

రియాక్టర్ లోపల ఈ భాగం ఏమి చేయాలి?

SiC పూత అప్పుడు ఒక వివిక్త పదార్థం పరామితి కాకుండా వాస్తవ లక్ష్యం చుట్టూ ఇంజినీరింగ్ చేయవచ్చు.

ఎపిటాక్సీ మరియు MOCVD కోసం, లక్ష్యం కేవలం ఎక్కువ కాలం ఉండే పూత కాదు. ఇది మద్దతు ఇవ్వగల ఒక భాగం:

స్థిరమైన పొర ఉష్ణోగ్రత + తక్కువ కాలుష్యం + తక్కువ కణాల ఉత్పత్తి + పునరావృతమయ్యే వృద్ధి + ఊహించదగిన సేవా జీవితం

6. తరచుగా అడిగే ప్రశ్నలు

1. గ్రాఫైట్‌పై సిలికాన్ కార్బైడ్ పూత యొక్క ప్రధాన ప్రయోజనం ఏమిటి?

ఇది గ్రాఫైట్ బాడీ యొక్క యంత్ర సామర్థ్యం మరియు ఉష్ణ ప్రయోజనాలను నిలుపుకుంటూ అధిక స్వచ్ఛత, రసాయనికంగా నిరోధక ప్రక్రియ ఉపరితలాన్ని సృష్టిస్తుంది.

2. SiC పూత కోసం CVD ఎందుకు ఉపయోగించబడుతుంది?

CVD SiC నేరుగా సంక్లిష్ట గ్రాఫైట్ ఉపరితలాలపై పెరగడానికి అనుమతిస్తుంది మరియు నిక్షేపణ ప్రక్రియ సరిగ్గా ఇంజనీరింగ్ చేయబడినప్పుడు పూత నిర్మాణం, మందం మరియు ఏకరూపతపై నియంత్రణను అందిస్తుంది.

3. మందమైన SiC పూత ఎల్లప్పుడూ మంచిదేనా?

సంఖ్య. అవశేష ఒత్తిడి, డైమెన్షనల్ టాలరెన్స్, కాంపోనెంట్ జ్యామితి మరియు సర్వీస్ పరిస్థితులకు వ్యతిరేకంగా మందం తప్పనిసరిగా సమతుల్యం చేయబడాలి.

4. SiC పూత పగుళ్లు లేదా డీలామినేట్ కావడానికి కారణం ఏమిటి?

గ్రాఫైట్/SiC CTE అసమతుల్యత, అవశేష ఒత్తిడి, ఇంటర్‌ఫేస్ లోపాలు, అనుచితమైన నిక్షేపణ పరిస్థితులు మరియు పదేపదే థర్మల్ సైక్లింగ్ వంటివి సాధారణ సహాయకులు.

5. SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ RFQ కోసం ఏ సమాచారం అవసరం?

డ్రాయింగ్, రియాక్టర్ మోడల్, ప్రక్రియ, పొర పరిమాణం, ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత, ప్రక్రియ మరియు శుభ్రపరిచే వాయువులు, గ్రాఫైట్ అవసరం, పూత వివరణ, క్లిష్టమైన సహనం, తనిఖీ ప్రమాణాలు మరియు పరిమాణాన్ని అందించండి.

కస్టమ్ CVD SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ కాంపోనెంట్ కావాలా?

VeTek సెమీకండక్టర్ సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సీ మరియు సంబంధిత అధిక-ఉష్ణోగ్రత ప్రాసెసింగ్ అప్లికేషన్‌ల కోసం SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ భాగాలను అందిస్తుంది.

తగిన పరిష్కారాన్ని చర్చించడానికి మీ రియాక్టర్ మోడల్, కాంపోనెంట్ డ్రాయింగ్‌లు, గ్రాఫైట్ అవసరాలు, పూత లక్షణాలు, ఆపరేటింగ్ పరిస్థితులు మరియు తనిఖీ ప్రమాణాలను పంచుకోండి.

టెక్నికల్ కన్సల్టేషన్‌ను అభ్యర్థించండి| మీ డ్రాయింగ్‌ను సమర్పించండి

మా సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటింగ్ ఉత్పత్తి శ్రేణిని అన్వేషించండి.

సూచనలు

1. SGL కార్బన్. SIGRAFINE® SiC పూతలు.ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్‌పై CVD SiC కోటింగ్‌ల కోసం సాంకేతిక డేటా మరియు అప్లికేషన్ సమాచారం.

2. మెర్సెన్. సెమీకండక్టర్ ప్రక్రియ సామగ్రి — సిలికాన్ కార్బైడ్‌తో పూసిన అల్ట్రా-ప్యూర్ గ్రాఫైట్.ఎపిటాక్సీ మరియు MOCVD అప్లికేషన్‌ల కోసం సాంకేతిక సమాచారం.

3. హువో, వై., క్విన్, ఎస్., చెన్, వై., మరియు ఇతరులు. "గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై CVD-SiC పూతల్లో ప్రాసెస్-స్ట్రక్చర్-ప్రాపర్టీ కోరిలేషన్ అధ్యయనం."శాస్త్రీయ నివేదికలు, వాల్యూమ్. 16, ఆర్టికల్ 4150, 2026.

4. Ma, Q., మరియు ఇతరులు. "గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై CVD-SiC పూత యొక్క ఇంటర్‌ఫేషియల్ సంశ్లేషణ: మైక్రోస్ట్రక్చర్ మరియు మెకానికల్ లక్షణాలలో ఉష్ణోగ్రత పాత్ర."సెరామిక్స్ ఇంటర్నేషనల్, వాల్యూమ్. 52, సంచిక 3, 2026, పేజీలు 3711–3718.