వెబ్ మెనూ

ఉత్పత్తి శోధన

భాష

సేవలు & వనరులు

మెటీరియల్స్ & డిజైన్

సరిపోలిన సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు పూత కలయికను ఎంచుకోవడం అనేది అకాల భాగాల వైఫల్యాన్ని నివారించడానికి, కణాల కాలుష్యాన్ని తగ్గించడానికి మరియు పొర దిగుబడిని పెంచడానికి కీలకం. మేము కస్టమర్ యొక్క నిర్దిష్ట ప్రాసెస్ విండో (ఆపరేటింగ్ టెంపరేచర్, రియాక్టివ్ గ్యాస్ కెమిస్ట్రీ, ర్యాంప్ రేట్లు) చుట్టూ తగిన మెటీరియల్ మరియు స్ట్రక్చరల్ డిజైన్ సొల్యూషన్‌లను అందిస్తాము.

మా కోర్ డిజైన్ సామర్థ్యాలు:

  • కఠినమైన CTE ఒత్తిడి సరిపోలిక:వేగవంతమైన థర్మల్ సైక్లింగ్ (>100 °C/నిమి) కోసం, మేము హై-ప్యూరిటీ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లు మరియు CVD కోటింగ్‌ల CTE ఉష్ణోగ్రత వక్రతలను ఖచ్చితంగా సరిపోల్చాము, ప్రాథమికంగా పూత డీలామినేషన్ మరియు మైక్రో క్రాకింగ్ ప్రమాదాన్ని తగ్గిస్తుంది.
  • ప్రక్రియ-దృష్టాంతం-నిర్దిష్ట పూత ఎంపిక:Si/SiC ఎపిటాక్సీ (Epi), MOCVD మరియు ప్లాస్మా ఎచింగ్ పరిసరాల కోసం CVD SiC పూత; అధిక-ఉష్ణోగ్రత మరియు బలమైన తినివేయు పరిస్థితుల కోసం CVD TaC పూత (ఉదా., SiC సింగిల్-క్రిస్టల్ PVT పెరుగుదల).
  • నియంత్రించదగిన రెసిస్టివిటీ & థర్మల్ కండక్టివిటీ ఆప్టిమైజేషన్:RF, ESC ఎలెక్ట్రోస్టాటిక్ చక్స్ లేదా హీటింగ్ జోన్‌ల యొక్క నిర్దిష్ట విద్యుత్ మరియు ఉష్ణ-క్షేత్ర అవసరాలను తీర్చడానికి సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు పూత యొక్క బల్క్ రెసిస్టివిటీ మరియు థర్మల్ కండక్టివిటీ యొక్క ఖచ్చితమైన నియంత్రణ.
  • కాలుష్య మూల నియంత్రణ & CoO తగ్గింపు:అధిక-స్వచ్ఛత CVD నిక్షేపణ పొరలు పోరస్ గ్రాఫైట్‌ను దట్టంగా మూసివేస్తాయి, కణాల తొలగింపు, అల్ట్రా-ట్రేస్ మెటల్ అశుద్ధ వ్యాప్తి మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత అవుట్‌గ్యాసింగ్ ప్రమాదాన్ని గణనీయంగా తగ్గిస్తాయి.

సాధారణ పూత ఎంపిక పోలిక (ఒక చూపులో గైడ్)

పూత సాధారణ అప్లికేషన్ దిశలు కోర్ ప్రయోజనాలు
CVD SiC Si/SiC ఎపిటాక్సీ (Epi), MOCVD, పాక్షిక ప్లాస్మా ఎచింగ్ అధిక స్వచ్ఛత, మంచి ఉష్ణ స్థిరత్వం, రసాయన తుప్పు నిరోధకత, అధిక మొత్తం ఖర్చు-పనితీరు
CVD TaC అధిక-ఉష్ణోగ్రత SiC సింగిల్-క్రిస్టల్ గ్రోత్ (PVT), విపరీతమైన అధిక-ఉష్ణోగ్రత లోడ్-బేరింగ్ భాగాలు అధిక ఉష్ణోగ్రత రేటింగ్ (>1600 °C), బలమైన తుప్పు నిరోధకత, అద్భుతమైన ఆక్సీకరణ నిరోధకత

రియల్ కేస్ & కస్టమర్ ప్రయోజనాలు (అనుభవం):

ప్రముఖ SiC ఎపిటాక్సీ (Epi) తయారీదారు:అసలు భాగం సరిపోలని CVD TaC పూతను ఉపయోగించింది, ఫలితంగా అధిక ఇంటర్‌ఫేషియల్ ఒత్తిడి మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద తరచుగా మైక్రో క్రాక్‌లు ఏర్పడతాయి. మేము థర్మోడైనమిక్ అనుకరణలను మళ్లీ అమలు చేసాము మరియు a కి మార్చాముCTE-సరిపోలిన స్పెషాలిటీ హై-ప్యూరిటీ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ + బఫర్ లేయర్ + CVD SiC పూతపరిష్కారం. ఫలితం: సగటు భాగం జీవితకాలం 200 గంటల నుండి 850 గంటలకు పెరిగింది; ప్రతి సాధనానికి వార్షిక భర్తీ ఫ్రీక్వెన్సీ 40 నుండి 9 సార్లు పడిపోయింది; సమగ్ర పరికరాలు O&M ఖర్చు ఆదా సంవత్సరానికి RMB 650,000 మించిపోయింది.

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

TaC మరియు SiC పూతలకు GDMS స్వచ్ఛత విశ్లేషణ నివేదిక

తరచుగా అడిగే ప్రశ్నలు

1. ప్ర: నేను CVD SiC కోటింగ్ మరియు CVD TaC కోటింగ్ మధ్య ఎలా ఎంచుకోవాలి?

▼

జ:మీ ప్రక్రియ ఉష్ణోగ్రత మరియు గ్యాస్-ఫేజ్ తుప్పు తీవ్రతను చూడండి. ప్రక్రియ ఉష్ణోగ్రత 1000 °C కంటే తక్కువగా ఉంటే మరియు ప్రధానంగా Cl₂/F₂-ఆధారిత ఎచింగ్ లేదా సంప్రదాయ ఎపిటాక్సీని కలిగి ఉంటే, ఎంచుకోండిCVD SiCఉత్తమ ఖర్చు-పనితీరు కోసం; ప్రక్రియ ఉష్ణోగ్రత 1200 °C మించి ఉంటే మరియు బలమైన తినివేయు వాతావరణాన్ని కలిగి ఉంటే (ఉదా., SiC PVT సింగిల్-క్రిస్టల్ పెరుగుదల), మేము సిఫార్సు చేస్తున్నాముCVD TaC, ఇది ఉన్నతమైన ఉష్ణోగ్రత మరియు తుప్పు నిరోధకతను అందిస్తుంది. మేము మీ నిర్దిష్ట ప్రాసెస్ పారామితుల ఆధారంగా ఉచిత ఎంపిక సిఫార్సు నివేదికను అందించగలము.

2. ప్ర: మీరు సింగిల్-పీస్ / స్మాల్-బ్యాచ్ ప్రోటోటైపింగ్‌కు మద్దతు ఇస్తున్నారా? ప్రధాన సమయం ఎంత?

▼

జ:అవును! రివర్స్-ఇంజనీరింగ్ ప్రోటోటైప్‌ల కోసం,MOQ 1 ముక్క. సాంప్రదాయిక సాధారణ భాగాల కోసం, నమూనా రసీదు నుండి మ్యాప్ చేయబడిన భాగం యొక్క డెలివరీ వరకు, వేగవంతమైన లీడ్ సమయం సుమారుగా ఉంటుంది10-15 పని దినాలు; సంక్లిష్ట పూత ప్రక్రియలతో కూడిన భాగాలకు ఇది సుమారుగా ఉంటుంది20-25 పని దినాలు. వేగవంతమైన మూల్యాంకనం కోసం మా ఇంజనీర్‌లను సంప్రదించండి.

3. Q: ఉపయోగం సమయంలో గ్రాఫైట్ భాగాలపై CVD పూత డీలామినేషన్‌కు కారణమేమిటి? ఇది పరిష్కరించబడుతుందా?

▼

జ:90% డీలామినేషన్ కేసులు గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు పూత యొక్క గుణకం యొక్క ఉష్ణ విస్తరణ (CTE) మధ్య అసమతుల్యత కారణంగా ఏర్పడతాయి, ఇది వేగవంతమైన వేడి/శీతలీకరణలో అలసటకు దారితీస్తుంది. మా పరిష్కారం: ముందుగా మీ అసలు భాగం యొక్క CTE వక్రరేఖను ఖచ్చితంగా కొలవండి, ఆపై ప్రత్యేకంగా ఉపరితల సాంద్రత మరియు నిక్షేపణ ఉష్ణోగ్రత ప్రవణతను సర్దుబాటు చేయండి, తద్వారా రెండు CTEలు బాగా సరిపోలాయి. కంటే ఎక్కువ బాండ్ స్ట్రెంగ్త్‌ని మెరుగుపరచవచ్చు1.5 సార్లుపరిశ్రమ సంప్రదాయ స్థాయి.

4. Q: మీరు ఉత్పత్తుల కోసం CoA (విశ్లేషణ సర్టిఫికేట్) అందించగలరా? ఇందులో ఏ డేటా ఉంది?

▼

జ:ప్రతి షిప్పింగ్ ఉత్పత్తి ప్రామాణికంగా వస్తుందిప్రత్యేక క్రమ సంఖ్య + పూర్తి CoA నివేదిక. నివేదికలో ఇవి ఉన్నాయి: క్లిష్టమైన డైమెన్షన్ CMM తనిఖీ డేటా, బహుళ-పాయింట్ కోటింగ్ మందం పంపిణీ మ్యాప్, ఉపరితల కరుకుదనం (Ra) విలువలు మరియు పదార్థ స్వచ్ఛత (GDMS) విశ్లేషణ ముగింపులు.

మీ ప్రత్యేక సేవను ఇప్పుడే ప్రారంభించండి

వెంటనే మమ్మల్ని సంప్రదించండి కోట్‌ని అభ్యర్థించండి

ఫోన్: +86-18069220752(టీనా);+86-15988690905(సెరా)

ఇమెయిల్: anny@veteksemi.com

నమూనా మ్యాపింగ్మెటీరియల్స్ & డిజైన్ఆప్టిమైజేషన్ & మాస్ ప్రొడక్షన్QC & లాజిస్టిక్స్
వార్తల సిఫార్సులు
ఎలెక్ట్రోస్టాటిక్ చూషణ కప్పుల తయారీ ప్రక్రియ నుండి సామూహిక ఉత్పత్తి తయారీదారుల వరకు
ఎలెక్ట్రోస్టాటిక్ చూషణ కప్పుల తయారీ ప్రక్రియ నుండి సామూహిక ఉత్పత్తి తయారీదారుల వరకుమరిన్ని చూడండి >>
సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ యొక్క పదార్థం
సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ యొక్క పదార్థంమరిన్ని చూడండి >>
ALD అటామిక్ లేయర్ నిక్షేపణ రెసిపీ
ALD అటామిక్ లేయర్ నిక్షేపణ రెసిపీమరిన్ని చూడండి >>
సిలికాన్ కార్బైడ్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల అంటే ఏమిటి?
సిలికాన్ కార్బైడ్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల అంటే ఏమిటి?మరిన్ని చూడండి >>
సివిడి టిఎసి పూత అంటే ఏమిటి? - వెటెక్సేమి
సివిడి టిఎసి పూత అంటే ఏమిటి? - వెటెక్సేమిమరిన్ని చూడండి >>
ఆధునిక సెమీకండక్టర్ తయారీకి SiC సిరామిక్స్ వేఫర్ బోట్ ముఖ్యమైనది
ఆధునిక సెమీకండక్టర్ తయారీకి SiC సిరామిక్స్ వేఫర్ బోట్ ముఖ్యమైనదిమరిన్ని చూడండి >>
X
మీకు మెరుగైన బ్రౌజింగ్ అనుభవాన్ని అందించడానికి, సైట్ ట్రాఫిక్‌ను విశ్లేషించడానికి మరియు కంటెంట్‌ను వ్యక్తిగతీకరించడానికి మేము కుక్కీలను ఉపయోగిస్తాము. ఈ సైట్‌ని ఉపయోగించడం ద్వారా, మీరు మా కుక్కీల వినియోగానికి అంగీకరిస్తున్నారు. గోప్యతా విధానం
తిరస్కరించుఅంగీకరించు