వార్తలు

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) సెమీకండక్టర్ల ప్రపంచంలో, 8-అంగుళాల ఎపిటాక్సియల్ రియాక్టర్‌లు లేదా పొర పాలిషింగ్ యొక్క చిక్కులపై చాలా స్పాట్‌లైట్ ప్రకాశిస్తుంది. ఏది ఏమైనప్పటికీ, మేము సరఫరా గొలుసును తిరిగి ప్రారంభంలోనే గుర్తించినట్లయితే-భౌతిక ఆవిరి రవాణా (PVT) ఫర్నేస్ లోపల-ఒక ప్రాథమిక "పదార్థ విప్లవం" నిశ్శబ్దంగా జరుగుతోంది.

వేగవంతమైన MEMS (మైక్రో-ఎలక్ట్రోమెకానికల్ సిస్టమ్స్) పరిణామ యుగంలో, సరైన పైజోఎలెక్ట్రిక్ మెటీరియల్‌ని ఎంచుకోవడం అనేది పరికరం పనితీరు కోసం మేక్ లేదా బ్రేక్ నిర్ణయం. PZT (లీడ్ జిర్కోనేట్ టైటానేట్) థిన్-ఫిల్మ్ పొరలు AlN (అల్యూమినియం నైట్రైడ్) వంటి ప్రత్యామ్నాయాల కంటే ప్రధాన ఎంపికగా ఉద్భవించాయి, ఇది అత్యాధునిక సెన్సార్‌లు మరియు యాక్యుయేటర్‌ల కోసం ఉన్నతమైన ఎలక్ట్రోమెకానికల్ కప్లింగ్‌ను అందిస్తోంది.

సెమీకండక్టర్ తయారీ అధునాతన ప్రక్రియ నోడ్‌లు, అధిక ఏకీకరణ మరియు సంక్లిష్ట నిర్మాణాల వైపు అభివృద్ధి చెందడం కొనసాగిస్తున్నందున, పొర దిగుబడికి నిర్ణయాత్మక కారకాలు సూక్ష్మమైన మార్పుకు గురవుతున్నాయి. అనుకూలీకరించిన సెమీకండక్టర్ పొర తయారీకి, దిగుబడి కోసం పురోగతి పాయింట్ ఇకపై లితోగ్రఫీ లేదా ఎచింగ్ వంటి ప్రధాన ప్రక్రియలలో మాత్రమే ఉండదు; అధిక-స్వచ్ఛత ససెప్టర్లు ప్రక్రియ స్థిరత్వం మరియు స్థిరత్వాన్ని ప్రభావితం చేసే అంతర్లీన వేరియబుల్‌గా మారుతున్నాయి.

విస్తృత-బ్యాండ్‌గ్యాప్ (WBG) సెమీకండక్టర్ల ప్రపంచంలో, అధునాతన తయారీ ప్రక్రియ "ఆత్మ" అయితే, గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ "వెన్నెముక" మరియు దాని ఉపరితల పూత క్లిష్టమైన "చర్మం".

పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్ యొక్క అధిక-స్టేక్స్ ప్రపంచంలో, సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) మరియు గాలియం నైట్రైడ్ (GaN) ఎలక్ట్రిక్ వెహికల్స్ (EVలు) నుండి పునరుత్పాదక ఇంధన మౌలిక సదుపాయాల వరకు ఒక విప్లవానికి నాయకత్వం వహిస్తున్నాయి. అయినప్పటికీ, ఈ పదార్ధాల యొక్క పురాణ కాఠిన్యం మరియు రసాయన జడత్వం బలీయమైన తయారీ అడ్డంకిని అందిస్తాయి.

సెమీకండక్టర్ తయారీలో, కెమికల్ మెకానికల్ ప్లానరైజేషన్ (CMP) ప్రక్రియ అనేది పొర ఉపరితల ప్లానరైజేషన్‌ను సాధించడానికి ప్రధాన దశ, ఇది తదుపరి లితోగ్రఫీ దశల విజయం లేదా వైఫల్యాన్ని నేరుగా నిర్ణయిస్తుంది. CMPలో కీలకమైన వినియోగ వస్తువుగా, పాలిషింగ్ స్లర్రీ పనితీరు అనేది తొలగింపు రేటు (RR)ని నియంత్రించడంలో, లోపాలను తగ్గించడంలో మరియు మొత్తం దిగుబడిని పెంచడంలో అంతిమ అంశం.

సెమీకండక్టర్ తయారీలో అధిక-స్టేక్స్ ప్రపంచంలో, ఖచ్చితత్వం మరియు విపరీతమైన వాతావరణాలు కలిసి ఉండే చోట, సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) ఫోకస్ రింగ్‌లు అనివార్యం. అసాధారణమైన ఉష్ణ నిరోధకత, రసాయన స్థిరత్వం మరియు యాంత్రిక బలానికి ప్రసిద్ధి చెందిన ఈ భాగాలు అధునాతన ప్లాస్మా ఎచింగ్ ప్రక్రియలకు కీలకం. వారి అధిక పనితీరు వెనుక రహస్యం సాలిడ్ సివిడి (కెమికల్ వేపర్ డిపోజిషన్) టెక్నాలజీలో ఉంది. ముడి గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ నుండి ఫాబ్ యొక్క అధిక-ఖచ్చితమైన "ఇన్‌విజిబుల్ హీరో" వరకు కఠినమైన తయారీ ప్రయాణాన్ని అన్వేషించడానికి ఈ రోజు మేము మిమ్మల్ని తెర వెనుకకు తీసుకువెళుతున్నాము.

సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో అధిక స్వచ్ఛత క్వార్ట్జ్ పదార్థాలు కీలక పాత్ర పోషిస్తాయి. వాటి ఉన్నతమైన అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత, ఉష్ణ స్థిరత్వం మరియు కాంతి ప్రసార లక్షణాలు వాటిని క్లిష్టమైన వినియోగ వస్తువులుగా చేస్తాయి. క్వార్ట్జ్ ఉత్పత్తులు పొర ఉత్పత్తి యొక్క అధిక-ఉష్ణోగ్రత మరియు తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత జోన్‌లలోని భాగాల కోసం ఉపయోగించబడతాయి, తయారీ ప్రక్రియ యొక్క స్థిరత్వం మరియు పరిశుభ్రతను నిర్ధారిస్తుంది.

ప్రపంచ శక్తి పరివర్తన, AI విప్లవం మరియు కొత్త తరం సమాచార సాంకేతికతల తరంగంతో, సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) అసాధారణమైన భౌతిక లక్షణాల కారణంగా "సంభావ్య పదార్థం" నుండి "వ్యూహాత్మక పునాది పదార్థం"గా వేగంగా అభివృద్ధి చెందింది.

సెమీకండక్టర్ అధిక-ఉష్ణోగ్రత ప్రక్రియలలో, పొరల నిర్వహణ, మద్దతు మరియు ఉష్ణ చికిత్స ఒక ప్రత్యేక సహాయక భాగంపై ఆధారపడతాయి-వేఫర్ బోట్. ప్రక్రియ ఉష్ణోగ్రతలు పెరగడం మరియు శుభ్రత మరియు కణ నియంత్రణ అవసరాలు పెరిగేకొద్దీ, సాంప్రదాయ క్వార్ట్జ్ పొర పడవలు క్రమంగా స్వల్ప సేవా జీవితం, అధిక రూపాంతరం రేట్లు మరియు పేలవమైన తుప్పు నిరోధకత వంటి సమస్యలను వెల్లడిస్తాయి.

సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ల పారిశ్రామిక-స్థాయి ఉత్పత్తికి, ఒకే వృద్ధి పరుగుల విజయం అంతిమ లక్ష్యం కాదు. విభిన్న బ్యాచ్‌లు, సాధనాలు మరియు సమయ వ్యవధిలో పెరిగిన స్ఫటికాలు నాణ్యతలో అధిక స్థాయి స్థిరత్వం మరియు పునరావృతతను నిర్వహించేలా చేయడంలో నిజమైన సవాలు ఉంది. ఈ సందర్భంలో, టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూత యొక్క పాత్ర ప్రాథమిక రక్షణకు మించినది-ఇది ప్రక్రియ విండోను స్థిరీకరించడంలో మరియు ఉత్పత్తి దిగుబడిని కాపాడడంలో కీలక అంశం అవుతుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) PVT పెరుగుదలలో తీవ్రమైన థర్మల్ సైక్లింగ్ ఉంటుంది (గది ఉష్ణోగ్రత 2200 ℃ కంటే ఎక్కువ). థర్మల్ ఎక్స్‌పాన్షన్ (CTE) కోఎఫీషియంట్స్‌లో అసమతుల్యత కారణంగా పూత మరియు గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ మధ్య ఏర్పడే అపారమైన ఉష్ణ ఒత్తిడి, పూత జీవితకాలం మరియు అనువర్తన విశ్వసనీయతను నిర్ణయించే ప్రధాన సవాలు.

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) PVT క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్‌లో, థర్మల్ ఫీల్డ్ యొక్క స్థిరత్వం మరియు ఏకరూపత నేరుగా క్రిస్టల్ వృద్ధి రేటు, లోపం సాంద్రత మరియు పదార్థ ఏకరూపతను నిర్ణయిస్తాయి. సిస్టమ్ సరిహద్దుగా, థర్మల్-ఫీల్డ్ భాగాలు ఉపరితల థర్మోఫిజికల్ లక్షణాలను ప్రదర్శిస్తాయి, దీని స్వల్ప హెచ్చుతగ్గులు అధిక-ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులలో నాటకీయంగా విస్తరించబడతాయి, చివరికి వృద్ధి ఇంటర్‌ఫేస్ వద్ద అస్థిరతకు దారితీస్తాయి.

భౌతిక ఆవిరి రవాణా (PVT) పద్ధతి ద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) స్ఫటికాలను పెంచే ప్రక్రియలో, 2000-2500 °C యొక్క అధిక ఉష్ణోగ్రత "డబుల్-ఎడ్జ్డ్ ఖడ్గం" - ఇది మూలపదార్థాల ఉత్కృష్టత మరియు రవాణాను నడుపుతున్నప్పుడు, ఇది అన్ని లోహపు మూలకాలను నాటకీయంగా తీవ్రతరం చేస్తుంది. సాంప్రదాయ గ్రాఫైట్ హాట్-జోన్ భాగాలు. ఈ మలినాలు వృద్ధి ఇంటర్‌ఫేస్‌లోకి ప్రవేశించిన తర్వాత, అవి నేరుగా క్రిస్టల్ యొక్క ప్రధాన నాణ్యతను దెబ్బతీస్తాయి. టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూతలు PVT క్రిస్టల్ వృద్ధికి "ఐచ్ఛిక ఎంపిక" కాకుండా "తప్పనిసరి ఎంపిక"గా మారడానికి ఇది ప్రాథమిక కారణం.

Veteksemicon వద్ద, మేము ఈ సవాళ్లను ప్రతిరోజూ నావిగేట్ చేస్తాము, అధునాతన అల్యూమినియం ఆక్సైడ్ సిరామిక్స్‌ను ఖచ్చితమైన స్పెసిఫికేషన్‌లకు అనుగుణంగా పరిష్కారాలుగా మార్చడంలో ప్రత్యేకత కలిగి ఉన్నాము. సరైన మ్యాచింగ్ మరియు ప్రాసెసింగ్ పద్ధతులను అర్థం చేసుకోవడం చాలా ముఖ్యం, ఎందుకంటే తప్పు విధానం ఖరీదైన వ్యర్థాలు మరియు భాగాల వైఫల్యానికి దారి తీస్తుంది. దీన్ని సాధ్యం చేసే వృత్తిపరమైన పద్ధతులను అన్వేషిద్దాం.

పొర కట్టింగ్ సమయంలో డైసింగ్ నీటిలో CO₂ను ప్రవేశపెట్టడం అనేది స్టాటిక్ ఛార్జ్ బిల్డప్ మరియు తక్కువ కాలుష్య ప్రమాదాన్ని అణిచివేసేందుకు సమర్థవంతమైన ప్రక్రియ కొలత, తద్వారా డైసింగ్ దిగుబడి మరియు దీర్ఘకాలిక చిప్ విశ్వసనీయతను మెరుగుపరుస్తుంది.