వార్తలు

వ్యాసం ఒకే-క్రిస్టల్ కొలిమిలో ఉష్ణోగ్రత ప్రవణతను వివరిస్తుంది. ఇది క్రిస్టల్ పెరుగుదల, ఘన-ద్రవ ఇంటర్ఫేస్ మరియు సాలిఫికేషన్‌లో ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత పాత్ర సమయంలో స్టాటిక్ మరియు డైనమిక్ హీట్ ఫీల్డ్‌లను కవర్ చేస్తుంది.

తైకో ప్రక్రియ సిలికాన్ పొరలను దాని సూత్రాలు, సాంకేతిక ప్రయోజనాలు మరియు ప్రక్రియ మూలాలను ఉపయోగించి చేస్తుంది.

8-అంగుళాల SIC ఎపిటాక్సియల్ కొలిమి మరియు హోమోపిటాక్సియల్ ప్రాసెస్ పరిశోధన

వ్యాసం సిలికాన్, GaAs, SiC మరియు GaN వంటి సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్ పొరల యొక్క పదార్థ లక్షణాలను విశ్లేషిస్తుంది.

ఈ వ్యాసం ప్రధానంగా GAN- ఆధారిత తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీని వివరిస్తుంది, వీటిలో GAN- ఆధారిత పదార్థాల క్రిస్టల్ స్ట్రక్చర్, 3. ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ అవసరాలు మరియు అమలు పరిష్కారాలు, పివిడి సూత్రాల ఆధారంగా తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ యొక్క ప్రయోజనాలు మరియు తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ యొక్క అభివృద్ధి అవకాశాలు.

ఈ వ్యాసం మొదట TAC యొక్క పరమాణు నిర్మాణం మరియు భౌతిక లక్షణాలను పరిచయం చేస్తుంది మరియు సైనర్డ్ టాంటాలమ్ కార్బైడ్ మరియు సివిడి టాంటాలమ్ కార్బైడ్, అలాగే వెటెక్ సెమీకండక్టర్ యొక్క ప్రసిద్ధ TAC పూత ఉత్పత్తుల యొక్క తేడాలు మరియు అనువర్తనాలపై దృష్టి పెడుతుంది.