పరిశ్రమ వార్తలు

సెమీకండక్టర్ ప్రాసెసింగ్ సమయంలో SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల కోసం CVD TAC పూత ప్రక్రియ ఎదుర్కొంటున్న నిర్దిష్ట సవాళ్లను వ్యాసం విశ్లేషిస్తుంది, భౌతిక మూలం మరియు స్వచ్ఛత నియంత్రణ, ప్రాసెస్ పారామితి ఆప్టిమైజేషన్, పూత సంశ్లేషణ, పరికరాల నిర్వహణ మరియు ప్రక్రియ స్థిరత్వం, పర్యావరణ రక్షణ మరియు వ్యయ నియంత్రణ, అలాగే సంబంధిత పరిశ్రమ పరిష్కారాలు.

SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల యొక్క అనువర్తన దృక్పథం నుండి, ఈ వ్యాసం TAC పూత మరియు SIC పూత యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక పారామితులను పోల్చి చూస్తుంది మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, బలమైన రసాయన స్థిరత్వం, తగ్గిన మలినాలు మరియు మరియు తగ్గిన మలినాలు మరియు SIC పూతపై TAC పూత యొక్క ప్రాథమిక ప్రయోజనాలను వివరిస్తుంది తక్కువ ఖర్చులు.

ఫాబ్ ఫ్యాక్టరీలో అనేక రకాల కొలత పరికరాలు ఉన్నాయి. సాధారణ పరికరాలలో లితోగ్రఫీ ప్రాసెస్ కొలత పరికరాలు, ఎచింగ్ ప్రాసెస్ కొలత పరికరాలు, సన్నని ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ ప్రాసెస్ కొలత పరికరాలు, డోపింగ్ ప్రాసెస్ కొలత పరికరాలు, CMP ప్రాసెస్ కొలత పరికరాలు, పొర కణాల గుర్తింపు పరికరాలు మరియు ఇతర కొలత పరికరాలు ఉన్నాయి.

టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూత అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత, యాంత్రిక లక్షణాలు మరియు ఉష్ణ నిర్వహణ సామర్థ్యాలను మెరుగుపరచడం ద్వారా గ్రాఫైట్ భాగాల జీవితాన్ని గణనీయంగా పొడిగించగలదు. దీని అధిక స్వచ్ఛత లక్షణాలు అశుద్ధ కాలుష్యాన్ని తగ్గిస్తాయి, క్రిస్టల్ పెరుగుదల నాణ్యతను మెరుగుపరుస్తాయి మరియు శక్తి సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరుస్తాయి. ఇది అధిక-ఉష్ణోగ్రత, అత్యంత తినివేయు వాతావరణంలో సెమీకండక్టర్ తయారీ మరియు క్రిస్టల్ పెరుగుదల అనువర్తనాలకు అనుకూలంగా ఉంటుంది.