పరిశ్రమ వార్తలు

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) PVT పెరుగుదలలో తీవ్రమైన థర్మల్ సైక్లింగ్ ఉంటుంది (గది ఉష్ణోగ్రత 2200 ℃ కంటే ఎక్కువ). థర్మల్ ఎక్స్‌పాన్షన్ (CTE) కోఎఫీషియంట్స్‌లో అసమతుల్యత కారణంగా పూత మరియు గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ మధ్య ఏర్పడే అపారమైన ఉష్ణ ఒత్తిడి, పూత జీవితకాలం మరియు అనువర్తన విశ్వసనీయతను నిర్ణయించే ప్రధాన సవాలు.

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) PVT క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్‌లో, థర్మల్ ఫీల్డ్ యొక్క స్థిరత్వం మరియు ఏకరూపత నేరుగా క్రిస్టల్ వృద్ధి రేటు, లోపం సాంద్రత మరియు పదార్థ ఏకరూపతను నిర్ణయిస్తాయి. సిస్టమ్ సరిహద్దుగా, థర్మల్-ఫీల్డ్ భాగాలు ఉపరితల థర్మోఫిజికల్ లక్షణాలను ప్రదర్శిస్తాయి, దీని స్వల్ప హెచ్చుతగ్గులు అధిక-ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులలో నాటకీయంగా విస్తరించబడతాయి, చివరికి వృద్ధి ఇంటర్‌ఫేస్ వద్ద అస్థిరతకు దారితీస్తాయి.

భౌతిక ఆవిరి రవాణా (PVT) పద్ధతి ద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) స్ఫటికాలను పెంచే ప్రక్రియలో, 2000-2500 °C యొక్క అధిక ఉష్ణోగ్రత "డబుల్-ఎడ్జ్డ్ ఖడ్గం" - ఇది మూలపదార్థాల ఉత్కృష్టత మరియు రవాణాను నడుపుతున్నప్పుడు, ఇది అన్ని లోహపు మూలకాలను నాటకీయంగా తీవ్రతరం చేస్తుంది. సాంప్రదాయ గ్రాఫైట్ హాట్-జోన్ భాగాలు. ఈ మలినాలు వృద్ధి ఇంటర్‌ఫేస్‌లోకి ప్రవేశించిన తర్వాత, అవి నేరుగా క్రిస్టల్ యొక్క ప్రధాన నాణ్యతను దెబ్బతీస్తాయి. టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూతలు PVT క్రిస్టల్ వృద్ధికి "ఐచ్ఛిక ఎంపిక" కాకుండా "తప్పనిసరి ఎంపిక"గా మారడానికి ఇది ప్రాథమిక కారణం.