వార్తలు

టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TAC) పూతలను సెమీకండక్టర్ క్షేత్రంలో విస్తృతంగా ఉపయోగిస్తారు, ప్రధానంగా ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ రియాక్టర్ భాగాలు, సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ కీ భాగాలు, అధిక-ఉష్ణోగ్రత పారిశ్రామిక భాగాలు, MOCVD సిస్టమ్ హీటర్లు మరియు పొర క్యారియర్లు.

SiC ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధి ప్రక్రియలో, SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ సస్పెన్షన్ వైఫల్యం సంభవించవచ్చు. ఈ కాగితం SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ సస్పెన్షన్ యొక్క వైఫల్య దృగ్విషయం యొక్క కఠినమైన విశ్లేషణను నిర్వహిస్తుంది, ఇందులో ప్రధానంగా రెండు అంశాలు ఉన్నాయి: SiC ఎపిటాక్సియల్ గ్యాస్ వైఫల్యం మరియు SiC పూత వైఫల్యం.

ఈ వ్యాసం ప్రధానంగా పరమాణు పుంజం ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియ మరియు లోహ-సేంద్రీయ రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ సాంకేతిక పరిజ్ఞానం యొక్క సంబంధిత ప్రక్రియ ప్రయోజనాలు మరియు తేడాలను చర్చిస్తుంది.

VeTek సెమీకండక్టర్ యొక్క పోరస్ టాంటాలమ్ కార్బైడ్, కొత్త తరం SiC క్రిస్టల్ గ్రోత్ మెటీరియల్‌గా, అనేక అద్భుతమైన ఉత్పత్తి లక్షణాలను కలిగి ఉంది మరియు వివిధ రకాల సెమీకండక్టర్ ప్రాసెసింగ్ టెక్నాలజీలలో కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది.

ఎపిటాక్సియల్ ఫర్నేస్ యొక్క పని సూత్రం సెమీకండక్టర్ పదార్థాలను అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు అధిక పీడనం కింద ఉపరితలంపై జమ చేయడం. సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ అనేది ఒక నిర్దిష్ట క్రిస్టల్ ఓరియంటేషన్‌తో సిలికాన్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్‌పై సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు విభిన్న మందంతో అదే క్రిస్టల్ ఓరియంటేషన్‌తో క్రిస్టల్ పొరను పెంచడం. ఈ వ్యాసం ప్రధానంగా సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ మెథడ్స్‌ను పరిచయం చేస్తుంది: ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీ మరియు లిక్విడ్ ఫేజ్ ఎపిటాక్సీ.

సెమీకండక్టర్ తయారీలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) అనేది SiO2, SiN మొదలైన వాటితో సహా పలుచని ఫిల్మ్ మెటీరియల్‌లను ఛాంబర్‌లో జమ చేయడానికి ఉపయోగించబడుతుంది మరియు సాధారణంగా ఉపయోగించే రకాలు PECVD మరియు LPCVD. ఉష్ణోగ్రత, పీడనం మరియు ప్రతిచర్య వాయువు రకాన్ని సర్దుబాటు చేయడం ద్వారా, CVD వివిధ ప్రక్రియ అవసరాలను తీర్చడానికి అధిక స్వచ్ఛత, ఏకరూపత మరియు మంచి ఫిల్మ్ కవరేజీని సాధిస్తుంది.

ఈ వ్యాసం ప్రధానంగా సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్స్ యొక్క విస్తృత అనువర్తన అవకాశాలను వివరిస్తుంది. ఇది సిలికాన్ కార్బైడ్ సిరామిక్స్ మరియు సంబంధిత పరిష్కారాలలో సింటరింగ్ పగుళ్లకు కారణాల విశ్లేషణపై కూడా దృష్టి పెడుతుంది.

సెమీకండక్టర్ తయారీలో ఎచింగ్ టెక్నాలజీ తరచుగా లోడింగ్ ఎఫెక్ట్, మైక్రో-గ్రూవ్ ఎఫెక్ట్ మరియు ఛార్జింగ్ ఎఫెక్ట్ వంటి సమస్యలను ఎదుర్కొంటుంది, ఇది ఉత్పత్తి నాణ్యతను ప్రభావితం చేస్తుంది. ప్లాస్మా సాంద్రతను ఆప్టిమైజ్ చేయడం, రియాక్షన్ గ్యాస్ కంపోజిషన్‌ను సర్దుబాటు చేయడం, వాక్యూమ్ సిస్టమ్ సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరచడం, సహేతుకమైన లితోగ్రఫీ లేఅవుట్‌ను రూపొందించడం మరియు తగిన ఎచింగ్ మాస్క్ మెటీరియల్‌లు మరియు ప్రాసెస్ పరిస్థితులను ఎంచుకోవడం వంటి మెరుగుదల పరిష్కారాలు ఉన్నాయి.

అధిక-పనితీరు గల SIC సిరామిక్స్ను సిద్ధం చేయడానికి హాట్ ప్రెస్సింగ్ సింటరింగ్ ప్రధాన పద్ధతి. వేడి నొక్కే సింటరింగ్ ప్రక్రియలో ఇవి ఉన్నాయి: అధిక-స్వచ్ఛత సిక్ పౌడర్‌ను ఎంచుకోవడం, అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు అధిక పీడనం కింద నొక్కడం మరియు అచ్చు వేయడం, ఆపై సింటరింగ్. ఈ పద్ధతి ద్వారా తయారు చేయబడిన SIC సిరామిక్స్ అధిక స్వచ్ఛత మరియు అధిక సాంద్రత యొక్క ప్రయోజనాలను కలిగి ఉన్నాయి మరియు పొర ప్రాసెసింగ్ కోసం గ్రౌండింగ్ డిస్క్‌లు మరియు ఉష్ణ చికిత్స పరికరాలలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడతాయి.

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SIC) యొక్క ముఖ్య వృద్ధి పద్ధతుల్లో పివిటి, టిఎస్‌ఎస్‌జి మరియు హెచ్‌టిసివిడి ఉన్నాయి, వీటిలో ఒక్కొక్కటి విభిన్న ప్రయోజనాలు మరియు సవాళ్లతో ఉంటాయి. కార్బన్-ఆధారిత థర్మల్ ఫీల్డ్ మెటీరియల్స్ ఇన్సులేషన్ సిస్టమ్స్, క్రూసిబుల్స్, టిఎసి పూతలు మరియు పోరస్ గ్రాఫైట్ సిఐసి యొక్క ఖచ్చితమైన కల్పన మరియు అనువర్తనానికి అవసరమైన స్థిరత్వం, ఉష్ణ వాహకత మరియు స్వచ్ఛతను అందించడం ద్వారా క్రిస్టల్ పెరుగుదలను పెంచుతాయి.

SIC లో అధిక కాఠిన్యం, ఉష్ణ వాహకత మరియు తుప్పు నిరోధకత ఉంది, ఇది సెమీకండక్టర్ తయారీకి అనువైనది. CVD SIC పూత రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా సృష్టించబడుతుంది, అధిక ఉష్ణ వాహకత, రసాయన స్థిరత్వం మరియు ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలకు సరిపోయే జాలక స్థిరాంకం అందిస్తుంది. దాని తక్కువ ఉష్ణ విస్తరణ మరియు అధిక కాఠిన్యం మన్నిక మరియు ఖచ్చితత్వాన్ని నిర్ధారిస్తాయి, ఇది పొర క్యారియర్లు, ప్రీహీటింగ్ రింగులు మరియు మరిన్ని వంటి అనువర్తనాలలో అవసరం. వెటెక్ సెమీకండక్టర్ విభిన్న పరిశ్రమ అవసరాలకు అనుకూల SIC పూతలలో ప్రత్యేకత కలిగి ఉంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SIC) అనేది అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత మరియు అధిక యాంత్రిక బలం వంటి అద్భుతమైన లక్షణాలకు ప్రసిద్ధి చెందిన అధిక-ఖచ్చితమైన సెమీకండక్టర్ పదార్థం. ఇది 200 కి పైగా క్రిస్టల్ నిర్మాణాలను కలిగి ఉంది, 3C-SIC ఏకైక క్యూబిక్ రకం, ఇతర రకాలతో పోలిస్తే ఉన్నతమైన సహజ గోళాకార మరియు సాంద్రతను అందిస్తుంది. 3C-SIC దాని అధిక ఎలక్ట్రాన్ మొబిలిటీకి నిలుస్తుంది, ఇది పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్లో MOSFET లకు అనువైనది. అదనంగా, ఇది నానోఎలెక్ట్రానిక్స్, బ్లూ LED లు మరియు సెన్సార్లలో గొప్ప సామర్థ్యాన్ని చూపుతుంది.

డైమండ్, నాల్గవ తరం "అంతిమ సెమీకండక్టర్", దాని అసాధారణమైన కాఠిన్యం, ఉష్ణ వాహకత మరియు విద్యుత్ లక్షణాల కారణంగా సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లలో దృష్టిని ఆకర్షిస్తోంది. దాని అధిక ధర మరియు ఉత్పత్తి సవాళ్లు దాని వినియోగాన్ని పరిమితం చేస్తున్నప్పటికీ, CVD అనేది ప్రాధాన్య పద్ధతి. డోపింగ్ మరియు పెద్ద-ప్రాంత క్రిస్టల్ సవాళ్లు ఉన్నప్పటికీ, డైమండ్ వాగ్దానాన్ని కలిగి ఉంది.

SiC మరియు GaN అనేది అధిక బ్రేక్‌డౌన్ వోల్టేజీలు, వేగవంతమైన స్విచింగ్ వేగం మరియు ఉన్నతమైన సామర్థ్యం వంటి సిలికాన్‌పై ప్రయోజనాలతో విస్తృత బ్యాండ్‌గ్యాప్ సెమీకండక్టర్లు. అధిక ఉష్ణ వాహకత కారణంగా అధిక-వోల్టేజ్, అధిక-శక్తి అనువర్తనాలకు SiC ఉత్తమం, అయితే GaN దాని ఉన్నతమైన ఎలక్ట్రాన్ చలనశీలత కారణంగా అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ అప్లికేషన్‌లలో రాణిస్తుంది.

ఎలక్ట్రాన్ బీమ్ బాష్పీభవనం అనేది నిరోధక తాపనతో పోలిస్తే అత్యంత సమర్థవంతమైన మరియు విస్తృతంగా ఉపయోగించే పూత పద్ధతి, ఇది బాష్పీభవన పదార్థాన్ని ఎలక్ట్రాన్ పుంజంతో వేడి చేస్తుంది, దీనివల్ల ఆవిరైపోతుంది మరియు సన్నని చలనచిత్రంగా ఘనీకృతమవుతుంది.