EPI ఎపిటాక్సియల్ ఫర్నేస్ అంటే ఏమిటి? - VeTek సెమీకండక్టర్

ఎపిటాక్సియల్ కొలిమి సెమీకండక్టర్ పదార్థాలను ఉత్పత్తి చేయడానికి ఉపయోగించే పరికరం. దీని పని సూత్రం అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు అధిక పీడనంలో సెమీకండక్టర్ పదార్థాలను ఒక ఉపరితలంపై జమ చేయడం.

సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల అనేది సిలికాన్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్‌పై మంచి లాటిస్ స్ట్రక్చర్ సమగ్రతతో ఒక నిర్దిష్ట క్రిస్టల్ ఓరియంటేషన్ మరియు సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు విభిన్న మందంతో అదే క్రిస్టల్ ఓరియంటేషన్ యొక్క రెసిస్టివిటీతో క్రిస్టల్ పొరను పెంచడం.

ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల యొక్క లక్షణాలు:

(తక్కువ (అధిక) నిరోధక ఉపరితలంపై అధిక (తక్కువ) నిరోధక పొర యొక్క ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల

●  P (N) రకం సబ్‌స్ట్రేట్‌పై N (P) రకం ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ యొక్క ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల

Mask మాస్క్ టెక్నాలజీతో కలిపి, ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల ఒక నిర్దిష్ట ప్రాంతంలో జరుగుతుంది

●  ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల సమయంలో డోపింగ్ రకం మరియు ఏకాగ్రతను అవసరమైన విధంగా మార్చవచ్చు

Variable వేరియబుల్ భాగాలు మరియు అల్ట్రా-సన్నని పొరలతో భిన్నమైన, బహుళ-పొర, బహుళ-భాగాల సమ్మేళనాల పెరుగుదల

●  అణు-స్థాయి పరిమాణం మందం నియంత్రణను సాధించండి

●  ఒకే స్ఫటికాలుగా లాగలేని పదార్థాలను పెంచండి

సెమీకండక్టర్ వివిక్త భాగాలు మరియు ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్ తయారీ ప్రక్రియలకు ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ టెక్నాలజీ అవసరం. సెమీకండక్టర్లు N- రకం మరియు P- రకం మలినాలను కలిగి ఉన్నందున, వివిధ రకాల కలయికల ద్వారా, సెమీకండక్టర్ పరికరాలు మరియు ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్లు వివిధ విధులను కలిగి ఉంటాయి, వీటిని ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ టెక్నాలజీని ఉపయోగించడం ద్వారా సులభంగా సాధించవచ్చు.

సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ పద్ధతులను ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీ, ద్రవ దశ ఎపిటాక్సీ మరియు ఘన దశ ఎపిటాక్సీగా విభజించవచ్చు. ప్రస్తుతం, క్రిస్టల్ సమగ్రత, పరికర నిర్మాణం వైవిధ్యీకరణ, సరళమైన మరియు నియంత్రించదగిన పరికరం, బ్యాచ్ ఉత్పత్తి, స్వచ్ఛత భరోసా మరియు ఏకరూపత యొక్క అవసరాలను తీర్చడానికి రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ పెరుగుదల పద్ధతి అంతర్జాతీయంగా విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.

ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీ

ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీ ఒకే క్రిస్టల్ సిలికాన్ పొరపై ఒకే క్రిస్టల్ పొరను తిరిగి పెంచుతుంది, అసలు లాటిస్ వారసత్వాన్ని నిర్వహిస్తుంది. ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీ ఉష్ణోగ్రత తక్కువగా ఉంటుంది, ప్రధానంగా ఇంటర్ఫేస్ నాణ్యతను నిర్ధారించడానికి. ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీకి డోపింగ్ అవసరం లేదు. నాణ్యత పరంగా, ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీ మంచిది, కానీ నెమ్మదిగా ఉంటుంది.

రసాయన ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీకి ఉపయోగించే పరికరాలను సాధారణంగా ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ రియాక్టర్ అంటారు. ఇది సాధారణంగా నాలుగు భాగాలతో కూడి ఉంటుంది: ఆవిరి దశ నియంత్రణ వ్యవస్థ, ఎలక్ట్రానిక్ నియంత్రణ వ్యవస్థ, రియాక్టర్ బాడీ మరియు ఎగ్జాస్ట్ సిస్టమ్.

ప్రతిచర్య గది నిర్మాణం ప్రకారం, రెండు రకాల సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ సిస్టమ్స్ ఉన్నాయి: క్షితిజ సమాంతర మరియు నిలువు. క్షితిజ సమాంతర రకం చాలా అరుదుగా ఉపయోగించబడుతుంది మరియు నిలువు రకం ఫ్లాట్ ప్లేట్ మరియు బారెల్ రకాలుగా విభజించబడింది. నిలువు ఎపిటాక్సియల్ ఫర్నేస్‌లో, ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల సమయంలో బేస్ నిరంతరం తిరుగుతుంది, కాబట్టి ఏకరూపత మంచిది మరియు ఉత్పత్తి పరిమాణం పెద్దగా ఉంటుంది.

రియాక్టర్ బాడీ అనేది అధిక-స్వచ్ఛత కలిగిన గ్రాఫైట్ బేస్, ఇది ఒక అధిక-స్వచ్ఛత క్వార్ట్జ్ బెల్‌లో ప్రత్యేకంగా సస్పెండ్ చేయబడిన బహుభుజి కోన్ బారెల్ రకంతో ఉంటుంది. సిలికాన్ పొరలు బేస్ మీద ఉంచబడతాయి మరియు పరారుణ దీపాలను ఉపయోగించి త్వరగా మరియు సమానంగా వేడి చేయబడతాయి. కేంద్ర అక్షం ఖచ్చితంగా డబుల్-సీల్డ్ హీట్-రెసిస్టెంట్ మరియు పేలుడు-ప్రూఫ్ నిర్మాణాన్ని రూపొందించడానికి తిప్పగలదు.

పరికరాల పని సూత్రం క్రింది విధంగా ఉంది:

●  ప్రత్యామ్నాయ వాయువు బెల్ జార్ పైభాగంలో ఉన్న గ్యాస్ ఇన్‌లెట్ నుండి రియాక్షన్ ఛాంబర్‌లోకి ప్రవేశిస్తుంది, వృత్తాకారంలో అమర్చబడిన ఆరు క్వార్ట్జ్ నాజిల్‌ల నుండి స్ప్రే అవుతుంది, క్వార్ట్జ్ బ్యాఫిల్ ద్వారా నిరోధించబడుతుంది మరియు బేస్ మరియు బెల్ జార్ మధ్య క్రిందికి కదులుతుంది, ప్రతిస్పందిస్తుంది అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు నిక్షేపాల వద్ద మరియు సిలికాన్ పొర యొక్క ఉపరితలంపై పెరుగుతుంది మరియు ప్రతిచర్య తోక వాయువు దిగువన విడుదల చేయబడుతుంది.

● ఉష్ణోగ్రత పంపిణీ 2061 తాపన సూత్రం: సుడి అయస్కాంత క్షేత్రాన్ని సృష్టించడానికి ఇండక్షన్ కాయిల్ ద్వారా అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ మరియు అధిక-కరెంట్ పాస్‌లు. బేస్ ఒక కండక్టర్, ఇది సుడి అయస్కాంత క్షేత్రంలో ఉంటుంది, ప్రేరేపిత కరెంట్‌ను ఉత్పత్తి చేస్తుంది మరియు ప్రస్తుతము బేస్ను వేడి చేస్తుంది.

ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల ఒకే క్రిస్టల్ మీద ఒకే క్రిస్టల్ దశకు అనుగుణంగా స్ఫటికాల యొక్క సన్నని పొర యొక్క పెరుగుదలను సాధించడానికి ఒక నిర్దిష్ట ప్రక్రియ వాతావరణాన్ని అందిస్తుంది, ఇది సింగిల్ క్రిస్టల్ మునిగిపోయే ఫంక్షనలైజేషన్ కోసం ప్రాథమిక సన్నాహాలు చేస్తుంది. ఒక ప్రత్యేక ప్రక్రియగా, ఎదిగిన సన్నని పొర యొక్క క్రిస్టల్ నిర్మాణం సింగిల్ క్రిస్టల్ ఉపరితలం యొక్క కొనసాగింపు, మరియు ఉపరితలం యొక్క క్రిస్టల్ ధోరణితో సంబంధిత సంబంధాన్ని నిర్వహిస్తుంది.

సెమీకండక్టర్ సైన్స్ అండ్ టెక్నాలజీ అభివృద్ధిలో, ఆవిరి దశ ఎపిటాక్సీ ముఖ్యమైన పాత్ర పోషించింది. ఈ సాంకేతిక పరిజ్ఞానం SI సెమీకండక్టర్ పరికరాలు మరియు ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్ల పారిశ్రామిక ఉత్పత్తిలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడింది.

గ్యాస్ ఫేజ్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ మెథడ్

ఎపిటాక్సియల్ పరికరాలలో ఉపయోగించే వాయువులు:

●  సాధారణంగా ఉపయోగించే సిలికాన్ మూలాలు SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3 మరియు SiCL4. వాటిలో, SiH2Cl2 గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద వాయువు, ఉపయోగించడానికి సులభమైనది మరియు తక్కువ ప్రతిచర్య ఉష్ణోగ్రత కలిగి ఉంటుంది. ఇది సిలికాన్ మూలం, ఇది ఇటీవలి సంవత్సరాలలో క్రమంగా విస్తరించబడింది. SiH4 కూడా ఒక వాయువు. సిలేన్ ఎపిటాక్సీ యొక్క లక్షణాలు తక్కువ ప్రతిచర్య ఉష్ణోగ్రత, తినివేయు వాయువు లేదు మరియు నిటారుగా అశుద్ధత పంపిణీతో ఎపిటాక్సియల్ పొరను పొందవచ్చు.

● SIHCL3 మరియు SICL4 గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద ద్రవాలు. ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల ఉష్ణోగ్రత ఎక్కువగా ఉంటుంది, కానీ వృద్ధి రేటు వేగంగా ఉంటుంది, శుద్ధి చేయడం సులభం మరియు ఉపయోగించడానికి సురక్షితం, కాబట్టి అవి మరింత సాధారణ సిలికాన్ మూలాలు. SICL4 ఎక్కువగా ప్రారంభ రోజుల్లో ఉపయోగించబడింది, మరియు SIHCL3 మరియు SIH2CL2 వాడకం ఇటీవల క్రమంగా పెరిగింది.

SICL4 వంటి సిలికాన్ మూలాల యొక్క హైడ్రోజన్ తగ్గింపు ప్రతిచర్య మరియు SIH4 యొక్క ఉష్ణ కుళ్ళిపోయే ప్రతిచర్య సానుకూలంగా ఉన్నందున, అనగా, ఉష్ణోగ్రత పెంచడం సిలికాన్ నిక్షేపణకు అనుకూలంగా ఉంటుంది కాబట్టి, రియాక్టర్ వేడి చేయాల్సిన అవసరం ఉంది. తాపన పద్ధతుల్లో ప్రధానంగా అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ ఇండక్షన్ తాపన మరియు పరారుణ రేడియేషన్ తాపన ఉన్నాయి. సాధారణంగా, సిలికాన్ ఉపరితలాన్ని ఉంచడానికి అధిక-స్వచ్ఛత గ్రాఫైట్‌తో చేసిన ఒక పీఠం క్వార్ట్జ్ లేదా స్టెయిన్‌లెస్ స్టీల్ రియాక్షన్ చాంబర్‌లో ఉంచబడుతుంది. సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క నాణ్యతను నిర్ధారించడానికి, గ్రాఫైట్ పీఠం యొక్క ఉపరితలం SIC తో పూత లేదా పాలీక్రిస్టలైన్ సిలికాన్ ఫిల్మ్‌తో జమ చేయబడుతుంది.

సంబంధిత తయారీదారులు:

●  అంతర్జాతీయ: యునైటెడ్ స్టేట్స్ యొక్క CVD సామగ్రి కంపెనీ, యునైటెడ్ స్టేట్స్ యొక్క GT కంపెనీ, ఫ్రాన్స్ యొక్క Soitec కంపెనీ, ఫ్రాన్స్ యొక్క AS కంపెనీ, యునైటెడ్ స్టేట్స్ యొక్క ప్రోటో ఫ్లెక్స్ కంపెనీ, యునైటెడ్ స్టేట్స్ యొక్క కర్ట్ J. లెస్కర్ కంపెనీ, యునైటెడ్ స్టేట్స్ యొక్క అప్లైడ్ మెటీరియల్స్ కంపెనీ యునైటెడ్ స్టేట్స్.

●  చైనా: 48వ ఇన్‌స్టిట్యూట్ ఆఫ్ చైనా ఎలక్ట్రానిక్స్ టెక్నాలజీ గ్రూప్, కింగ్‌డావో సైరుయిడా, హెఫీ కేజింగ్ మెటీరియల్స్ టెక్నాలజీ కో., లిమిటెడ్.,VeTek సెమీకండక్టర్ టెక్నాలజీ కో., LTD, బీజింగ్ జిన్‌షెంగ్ మైక్రోననో, జినాన్ లిగువాన్ ఎలక్ట్రానిక్ టెక్నాలజీ కో., లిమిటెడ్.

ద్రవ దశ ఎపిటాక్సీ

ప్రధాన అప్లికేషన్:

ద్రవ దశ ఎపిటాక్సీ వ్యవస్థ ప్రధానంగా సమ్మేళనం సెమీకండక్టర్ పరికరాల తయారీ ప్రక్రియలో ఎపిటాక్సియల్ ఫిల్మ్‌ల యొక్క ద్రవ దశ ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల కోసం ఉపయోగించబడుతుంది మరియు ఇది ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల అభివృద్ధి మరియు ఉత్పత్తిలో కీలకమైన ప్రక్రియ పరికరాలు.

సాంకేతిక లక్షణాలు:

ఆటోమేషన్ యొక్క అధిక డిగ్రీ. లోడ్ చేయడం మరియు అన్‌లోడ్ చేయడం మినహా, మొత్తం ప్రక్రియ స్వయంచాలకంగా పారిశ్రామిక కంప్యూటర్ నియంత్రణ ద్వారా పూర్తవుతుంది.

●  ప్రక్రియ కార్యకలాపాలను మానిప్యులేటర్‌ల ద్వారా పూర్తి చేయవచ్చు.

●  మానిప్యులేటర్ మోషన్ యొక్క పొజిషనింగ్ ఖచ్చితత్వం 0.1mm కంటే తక్కువ.

● కొలిమి ఉష్ణోగ్రత స్థిరంగా ఉంటుంది మరియు పునరావృతమవుతుంది. స్థిరమైన ఉష్ణోగ్రత జోన్ యొక్క ఖచ్చితత్వం ± 0.5 than కన్నా మంచిది. శీతలీకరణ రేటును 0.1 ～ 6 ℃/min పరిధిలో సర్దుబాటు చేయవచ్చు. స్థిరమైన ఉష్ణోగ్రత జోన్ శీతలీకరణ ప్రక్రియలో మంచి ఫ్లాట్‌నెస్ మరియు మంచి వాలు సరళతను కలిగి ఉంటుంది.

శీతలీకరణ ఫంక్షన్.

●  సమగ్ర మరియు విశ్వసనీయ రక్షణ ఫంక్షన్.

●  అధిక పరికరాల విశ్వసనీయత మరియు మంచి ప్రక్రియ పునరావృతం.

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ చైనాలో ప్రొఫెషనల్ ఎపిటాక్సియల్ ఎక్విప్మెంట్ తయారీదారు మరియు సరఫరాదారు. మా ప్రధాన ఎపిటాక్సియల్ ఉత్పత్తులు ఉన్నాయిసివిడి సిక్ కోటెడ్ బారెల్ ససెప్టర్, Sదార్యం, EPI కోసం SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ బారెల్ ససెప్టర్, CVD SIC పూత పొర EPI ససెప్టర్, గ్రాఫైట్ తిరిగే రిసీవర్. చైనాలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామి కావడానికి మేము హృదయపూర్వకంగా ఎదురుచూస్తున్నాము.

మీకు ఏవైనా విచారణలు ఉంటే లేదా అదనపు వివరాలు అవసరమైతే, దయచేసి మాతో సన్నిహితంగా ఉండటానికి వెనుకాడరు.

మాబ్/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

ఇమెయిల్: anny@veteksemi.com