QR కోడ్
ఉత్పత్తులు
మమ్మల్ని సంప్రదించండి


ఫ్యాక్స్
+86-579-87223657

ఇమెయిల్

చిరునామా
వాంగ్డా రోడ్, జియాంగ్ స్ట్రీట్, వుయి కౌంటీ, జిన్హువా సిటీ, జెజియాంగ్ ప్రావిన్స్, చైనా
బహుళ-పాకెట్ సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్లలో అధిక పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యం (1.4%) కారణంగా ఏర్పడే ఫిల్మ్ మందం ఏకరూపత లేని సమస్యను పరిష్కరిస్తూ, VeTek సెమీకండక్టర్ ససెప్టర్ ఫ్లాట్నెస్ను <0.08mmకి మెరుగుపరిచింది మరియు పాకెట్-టు-పాకెట్ 6ఫుల్ ఫీల్డ్ ద్వారా పాకెట్-టు-పాకెట్ 6ఫు %కి తగ్గించింది. మరియు హై-ప్రెసిషన్ మ్యాచింగ్, ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ దిగుబడిని గణనీయంగా పెంచుతుంది.
హై-ప్రెసిషన్ CVD SiC కోటింగ్తో మల్టీ-పాకెట్ సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్లు
బహుళ-పాకెట్ సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ ఉత్పత్తి సమయంలో, మా క్లయింట్ (ఒక సెమీకండక్టర్ వేఫర్ ఫౌండ్రీ) ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ మందం (అసలు డేటా: 1.4%)లో అధిక పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యంతో దీర్ఘకాల సవాళ్లను ఎదుర్కొంది. ఇది ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ అనుగుణ్యత మరియు దిగువ పరికర దిగుబడిని తీవ్రంగా ప్రభావితం చేసింది. టూలింగ్ స్ట్రక్చర్ ఆప్టిమైజేషన్ మరియు హై-ప్రెసిషన్ కెమికల్ వేపర్ డిపోజిషన్ సిలికాన్ కార్బైడ్ (CVD SiC) పూత సాంకేతికతతో కలిపి CVD ఎపిటాక్సీ ఫర్నేస్ లోపల అంతర్గత ద్రవ డైనమిక్స్ మరియు థర్మల్ ఫీల్డ్ల యొక్క 3D సంఖ్యా అనుకరణ మరియు విశ్లేషణ నిర్వహించడం ద్వారా, VeTek సెమీకండక్టర్ సిల్ప్కండక్టర్ సిల్ప్టాక్ టీమ్ని గణనీయంగా మెరుగుపరుస్తుంది. గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ <0.20mm నుండి <0.08mm వరకు. ఈ మెరుగుదలలను అనుసరించి, క్లయింట్ యొక్క పాకెట్-టు-పాకెట్ ఫిల్మ్ మందం వైవిధ్యం బాగా 0.69%కి పడిపోయింది, ఫిల్మ్ మందం ఏకరూపతలో గుణాత్మక పురోగతిని సాధించింది.
కీ పనితీరు కొలమానాల పోలిక
|
కీ మెట్రిక్ |
ప్రీ-ఇంప్రూవ్మెంట్ డేటా |
పోస్ట్-ఇంప్రూవ్మెంట్ డేటా |
ఆప్టిమైజేషన్ & ఇంప్రూవ్మెంట్ మార్జిన్ |
|
ఫిల్మ్ థిక్నెస్ పాకెట్-టు-పాకెట్ వేరియేషన్ |
1.40% |
0.69% |
50.7% తగ్గించబడింది (0.71% సంపూర్ణ తగ్గుదల) |
|
గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ ఫ్లాట్నెస్ |
< 0.20 మి.మీ |
< 0.08 మిమీ (సాంప్రదాయ <0.15 మిమీ) |
ఫ్లాట్నెస్ ఖచ్చితత్వం 60% మెరుగుపడింది |
|
CVD ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ ఫిల్మ్ మందం ఏకరూపత |
పేలవమైన (తీవ్రమైన సరిహద్దు ప్రభావాలు) |
అద్భుతమైన (అత్యుత్తమ పూర్తి-డిస్క్ అనుగుణ్యత) |
ప్రధాన స్రవంతి టైర్-1 ఫౌండ్రీ గ్రేడ్-A ప్రమాణాన్ని చేరుకుంది |
|
ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ మొత్తం ఉత్పత్తి దిగుబడి |
అంచు పొరల కోసం అధిక స్క్రాప్ రేట్ |
గణనీయంగా మెరుగుపడింది |
సింగిల్-రన్ అవుట్పుట్ సామర్థ్యం ~12% పెరిగింది |
ప్రధాన దృక్పథం: పెద్ద-పరిమాణ, బహుళ-పాకెట్ సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ తయారీలో, ఖరీదైన చిప్ దిగుబడి నష్టాల ద్వారా నిమిషం ససెప్టర్ వైకల్యాలు కూడా పెద్దవిగా ఉంటాయి.
ఈ భాగస్వామ్యంలోని క్లయింట్ ప్రముఖ 8-అంగుళాల/12-అంగుళాల శక్తి పరికరం మరియు సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ ఫౌండ్రీ, ప్రధానంగా అధిక-వోల్టేజ్ MOSFETలు, IGBTలు మరియు ఆటోమోటివ్ ఎలక్ట్రానిక్స్లో ఉపయోగించే మందపాటి-ఫిల్మ్ సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్లను తయారు చేస్తుంది. దిగువ కస్టమర్లు చిప్ ఎలక్ట్రికల్ పారామితులలో మరింత కఠినమైన అనుగుణ్యతను డిమాండ్ చేస్తున్నందున, ఎపిటాక్సియల్ పొర నాణ్యతను అంచనా వేయడానికి ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ మందం మరియు రెసిస్టివిటీ ఏకరూపత కోర్ మెట్రిక్లుగా మారాయి. క్లయింట్ బహుళ-పాకెట్ CVD సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ రియాక్టర్లను ఒకే రన్లో ఏకకాలంలో బహుళ సిలికాన్ పొరలను ప్రాసెస్ చేయగల సామర్థ్యాన్ని ఉపయోగిస్తుంది. అయినప్పటికీ, సుదీర్ఘమైన అధిక-ఉష్ణోగ్రత థర్మల్ సైక్లింగ్ మరియు గ్యాస్ ప్రవాహ కోత కారణంగా, వాటి అసలు గ్రాఫైట్ ససెప్టర్లు పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యం మరియు ఫ్లాట్నెస్కు సంబంధించి అధిక-ఖచ్చితమైన ప్రక్రియ అవసరాలను ఇకపై తీర్చలేవు.
ప్రధాన దృక్పథం: అధిక గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ ఫ్లాట్నెస్ టాలరెన్స్లు నేరుగా CVD ఫర్నేస్ లోపల ఉష్ణ ప్రసరణ మరియు గ్యాస్ ప్రవాహ క్షేత్ర పంపిణీకి అంతరాయం కలిగిస్తాయి, పాకెట్స్ మధ్య తీవ్రమైన మందం వైవిధ్యాలను ప్రేరేపిస్తాయి.
CVD సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల సమయంలో, పూర్వగామి వాయువులు (SiHCl3/SiH4 వంటివి) పొర ఉపరితలంపై అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద నిక్షిప్తం చేసి సింగిల్-క్రిస్టల్ ఎపిటాక్సియల్ పొరను ఏర్పరుస్తాయి. గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ క్యారియర్గా మాత్రమే కాకుండా ఏకరీతి ఉష్ణ వాహకత మరియు ప్రవాహ క్షేత్ర మార్గదర్శకత్వంలో కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది. క్లయింట్ ఎదుర్కొంటున్న నిర్దిష్ట సాంకేతిక అడ్డంకులు:
పొడిగించిన ఉపయోగం తర్వాత ఉపరితలంపై సూక్ష్మ-వికృతీకరణల కారణంగా, క్లయింట్ యొక్క అసలైన బహుళ-పాకెట్ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్లు వ్యక్తిగత పాకెట్ల మధ్య పాకెట్ రీసెస్ డెప్త్ మరియు థర్మల్ రేడియేషన్ సామర్థ్యంలో స్వల్ప వ్యత్యాసాలను ప్రదర్శించాయి. వాస్తవ కొలతలు పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యం డేటాను 1.4% ఎక్కువగా వెల్లడించాయి. ఈ వ్యత్యాసం నేరుగా ఒకే బ్యాచ్లోని వివిధ పాకెట్లలో ఉంచబడిన సిలికాన్ పొరల అంతటా అస్థిరమైన ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ వృద్ధి రేటుకు దారితీసింది, ఫలితంగా అధిక ఫిల్మ్ మందం విచలనం ఏర్పడుతుంది.
అసలు ససెప్టర్ల యొక్క ఫ్లాట్నెస్ <0.20mm స్థాయిలో మాత్రమే నిర్వహించబడుతుంది. 1100°C–1200°C అధిక-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సీ పరిసరాలలో, ఒక అసమాన ఉపరితలం ప్రతిస్పందించే వాయువు ప్రవాహాన్ని స్థానికీకరించిన ఎడ్డీలను ఏర్పరుస్తుంది, అదే సమయంలో ససెప్టర్ మరియు ఇండక్షన్ హీటర్ మధ్య ఏకరీతి కాని ఖాళీలను సృష్టిస్తుంది. ఇది తదనంతరం ఉపరితలం అంతటా నాన్-యూనిఫాం థర్మల్ ఫీల్డ్లను ప్రేరేపించింది, ఫిల్మ్ మందం హెచ్చుతగ్గులను మరింత దిగజార్చింది.
పెయిన్ పాయింట్స్ & టెక్నికల్ మెకానిజం అనాలిసిస్
|
పెయిన్ పాయింట్ మానిఫెస్టేషన్ |
భౌతిక / ప్రక్రియ మెకానిజం |
ఉత్పత్తి & దిగుబడిపై ప్రభావం |
|
1.4% వద్ద పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యం |
పాకెట్స్ మధ్య అస్థిరమైన గూడ లోతు మరియు దిగువ ఉష్ణ వాహక రేటు |
ఒకే బ్యాచ్లోని పొరల అంతటా పెద్ద మందం వైవిధ్యాలు; గ్రేడ్-ఎ దిగుబడి రేటు పడిపోయింది |
|
ఫ్లాట్నెస్ > 0.20mm |
ఉపరితల ఆవర్తనాలు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద అసమాన ఉష్ణ వికిరణం మరియు గ్యాస్ అల్లకల్లోలం కలిగిస్తాయి |
పొర కేంద్రం మరియు అంచు మధ్య ట్రాపెజాయిడ్-వంటి మందం విచలనాలు; అంచు ప్రభావాలు తీవ్రతరం |
|
చిన్న పూత జీవితం / పీలింగ్కు అనువుగా ఉంటుంది |
సాంప్రదాయ SiC పూత మరియు గ్రాఫైట్ మధ్య పేలవమైన ఉష్ణ విస్తరణ గుణకం సరిపోలిక |
పెరిగిన కణ కాలుష్యం; నిర్వహణ కోసం తరచుగా పరికరాలు పనికిరాని సమయం |
కోర్ పెర్స్పెక్టివ్: మైక్రాన్-స్థాయి ఖచ్చితత్వం కలిగిన CNC మ్యాచింగ్ మరియు అధిక స్వచ్ఛత దట్టమైన CVD SiC పూతతో కలిపి, సంఖ్యా అనుకరణ ద్వారా ఫ్లో మరియు థర్మల్ ఫీల్డ్లను ఆప్టిమైజ్ చేయడం, ప్రాథమికంగా ససెప్టర్ పనితీరును పునర్నిర్మిస్తుంది.
క్లయింట్ యొక్క పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యం మరియు ఫ్లాట్నెక్లను పరిష్కరించడానికి, VeTek సెమీకండక్టర్ ఇంజనీరింగ్ బృందం ఆన్-సైట్ మూల్యాంకనాలను నిర్వహించింది, రియాక్టర్ కార్యాచరణ పారామితులను సంగ్రహించింది మరియు పూర్తిగా అనుకూలీకరించిన, ఎండ్-టు-ఎండ్ ఆప్టిమైజేషన్ పరిష్కారాన్ని రూపొందించింది:
VeTek సెమీకండక్టర్ అడ్వాన్స్డ్ ప్రెసిషన్ మెషినింగ్, క్లీన్రూమ్ & క్వాలిటీ కంట్రోల్ సౌకర్యాలు
ANSYS ఫ్లూయెంట్ని ఉపయోగించి, CVD రియాక్టర్ లోపల గ్యాస్ ప్రవాహ వేగం, సరిహద్దు పొర మందం మరియు థర్మల్ రేడియేషన్ ఉష్ణ బదిలీ కోసం 3D సంఖ్యా అనుకరణలు జరిగాయి. మోడలింగ్ విశ్లేషణల ఆధారంగా, ససెప్టర్ ఉపరితలంపై పాకెట్ ఎడ్జ్ ట్రాన్సిషన్ రేడియస్ మరియు గ్యాస్-గైడింగ్ గ్రూవ్ స్ట్రక్చర్లు పునఃరూపకల్పన చేయబడ్డాయి, ప్రతి పాకెట్ పైన అత్యంత స్థిరమైన లామినార్ ఫ్లో పాలనను నిర్వహించడానికి మరియు స్థానికీకరించిన వోర్టీస్లను తొలగించడానికి రియాక్టెంట్ వాయువులను అనుమతిస్తుంది.
అధిక-సాంద్రత, అధిక-స్వచ్ఛత ఐసోట్రోపిక్ ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్ అప్గ్రేడ్ చేయబడిన 5-యాక్సిస్ CNC ప్రెసిషన్ మ్యాచింగ్ టూలింగ్తో పాటు సబ్స్ట్రేట్ మెటీరియల్గా ఎంపిక చేయబడింది. ప్రాసెసింగ్ సమయంలో బిగింపు ఒత్తిడి నియంత్రణ మరియు సాధన మార్గం పథాలను మెరుగుపరచడం ద్వారా, పోస్ట్-మెచింగ్ ససెప్టర్ ఫ్లాట్నెస్ <0.20mm నుండి <0.15mm వరకు ఖచ్చితంగా నియంత్రించబడుతుంది, కోర్ టాప్-గ్రేడ్ ససెప్టర్ ఉపరితలాలు <0.08mm యొక్క పురోగతి ఫ్లాట్నెస్ను సాధించాయి.
రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) ద్వారా గ్రాఫైట్ ఉపరితల ఉపరితలంపై ఏకరీతి మందంతో అత్యంత దట్టమైన α-SiC పూత పెంచబడింది. పూత 99.999% వరకు స్వచ్ఛత (5N-6N గ్రేడ్), అధిక ఉష్ణ వాహకత మరియు వేడి హైడ్రోజన్ క్లోరైడ్ (HCl) గ్యాస్ తుప్పుకు నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది. ఇది గ్రాఫైట్ సబ్స్ట్రేట్ యొక్క థర్మల్ ఎక్స్పాన్షన్ (CTE) కోఎఫీషియంట్తో సరిగ్గా సరిపోతుంది, వేగవంతమైన థర్మల్ సైక్లింగ్ సమయంలో సున్నా మైక్రో క్రాక్లు లేదా డీలామినేషన్ను నిర్ధారిస్తుంది.
సాంకేతిక పరిష్కారం & పనితీరు ప్రయోజనాలు
|
సాంకేతిక పరిమాణం |
VeTek మెరుగుదల చర్యలు |
సాంకేతిక ప్రయోజనాలు & ఫలితాలు |
|
స్ట్రక్చరల్ & ఫ్లో ఫీల్డ్ డిజైన్ |
3D CVD ఫ్లో ఫీల్డ్ సిమ్యులేషన్ + ఫ్లో గైడెన్స్ కోసం పాకెట్ ఎడ్జ్ మైక్రో స్ట్రక్చర్లు |
గ్యాస్ ప్రవాహ పంపిణీ ఏకరూపత 35% పెరిగింది; సరిహద్దు నిక్షేపణ తేడాలు తొలగించబడ్డాయి |
|
మ్యాచింగ్ ప్రెసిషన్ కంట్రోల్ |
5-యాక్సిస్ CNC అల్ట్రా-ప్రెసిషన్ మ్యాచింగ్ + స్ట్రెస్-రిలీఫ్ టూలింగ్ |
ఫ్లాట్నెస్ <0.08mm; పాకెట్ డెప్త్ టాలరెన్స్ ±0.003mm లోపల నియంత్రించబడుతుంది |
|
కోటింగ్ మెటీరియల్ & ప్రాసెస్ |
అధిక స్వచ్ఛత CVD SiC దట్టమైన పూత (మందం 100-150μm) |
అసాధారణమైన తుప్పు మరియు థర్మల్ షాక్ నిరోధకత; కార్యాచరణ సేవా జీవితం> 40% పొడిగించబడింది |
ముఖ్య భౌతిక లక్షణాలు, SEM మందం ఏకరూపత మరియు CVD SiC పూత యొక్క అల్ట్రా-హై ప్యూరిటీ విశ్లేషణ
కోర్ పెర్స్పెక్టివ్: కొలిచిన ఫీల్డ్ డేటా ససెప్టర్ ఫ్లాట్నెస్ ఆప్టిమైజేషన్ నేరుగా ఎపిటాక్సియల్ ఫిల్మ్ పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యంలో గణనీయమైన 50.7% తగ్గింపుగా అనువదించబడింది.
VeTek సెమీకండక్టర్ యొక్క ఆప్టిమైజ్ చేయబడిన మల్టీ-పాకెట్ సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్లతో పాత భాగాలను భర్తీ చేసిన తర్వాత, క్లయింట్ వారి లైన్లో 30-రోజుల నిరంతర అధిక-వాల్యూమ్ ఉత్పత్తి ట్రాకింగ్ అధ్యయనాన్ని నిర్వహించింది. సేకరించిన నిజమైన నాణ్యత మెరుగుదల డేటా వీటిని కలిగి ఉంటుంది:
క్లయింట్ యొక్క కొలిచిన ఉత్పత్తి డేటా పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యం గణనీయంగా 1.4% నుండి 0.69%కి పడిపోయిందని, మొత్తంగా 50.7% తగ్గింపును సాధించింది. ఇది వివిధ పాకెట్లలో వృద్ధి రేటు అంతరాలను తీవ్రంగా తగ్గించింది.
ఫ్లో ఫీల్డ్ ఆప్టిమైజేషన్ మరియు హై-ప్రెసిషన్ టూలింగ్ ద్వారా, మాస్-ప్రొడ్యూస్డ్ ససెప్టర్లు <0.15mm లోపల ఫ్లాట్నెస్ని స్థిరంగా సాధించాయి, టాప్-టైర్ ససెప్టర్లు స్టాండర్డ్ ఇండస్ట్రీ నిబంధనలను మించి <0.08mmని స్థిరంగా కొట్టాయి.
అధిక స్థిరమైన థర్మల్ మరియు ఫ్లో ఫీల్డ్లకు ధన్యవాదాలు, ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ యొక్క రెసిస్టివిటీ మరియు మందం ఏకరూపత కొలమానాలు ప్రీమియం నాణ్యత పరిధులలోకి ప్రవేశించాయి. ఫౌండ్రీ యొక్క గ్రేడ్-A వేఫర్ దిగుబడి రేటు సుమారు 3.5% పెరిగింది, స్క్రాప్డ్ వేఫర్ ఖర్చులలో సంవత్సరానికి వందల వేల RMB ఆదా అవుతుంది.
సమాధానం:అధిక-ఉష్ణోగ్రత CVD ప్రక్రియలలో, సిలికాన్ పొరలు ప్రధానంగా ఉష్ణ ప్రసరణ మరియు ససెప్టర్ నుండి థర్మల్ రేడియేషన్ ద్వారా వేడి చేయబడతాయి. ససెప్టర్ ఫ్లాట్నెస్ పేలవంగా ఉంటే (ఉదా., >0.20 మిమీ), ఇది ససెప్టర్ మరియు అంతర్లీన హీటర్ మధ్య అసమాన అంతరాలను సృష్టిస్తుంది, ఇది స్థానికీకరించిన ఉష్ణోగ్రత వైవిధ్యాలను ప్రేరేపిస్తుంది. అదే సమయంలో, ఒక అసమాన ఉపరితలం రియాక్టెంట్ వాయువుల లామినార్ ప్రవాహానికి అంతరాయం కలిగిస్తుంది, ఇది స్థానికీకరించిన వాయువు సాంద్రత మరియు వేగం హెచ్చుతగ్గులకు కారణమవుతుంది, ఇది నేరుగా పాకెట్-టు-పాకెట్ ఫిల్మ్ మందం వైవిధ్యాలుగా వ్యక్తమవుతుంది.
సమాధానం:VeTek గ్రాఫైట్ సబ్స్ట్రేట్కు ఖచ్చితమైన CTE మ్యాచింగ్తో రూపొందించబడిన అల్ట్రా-హై-ప్యూరిటీ CVD సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటింగ్లను ఉపయోగిస్తుంది. 1200°C అధిక-ఉష్ణోగ్రత మరియు H2/HCl తినివేయు వాతావరణంలో, ఇది అసాధారణమైన థర్మల్ షాక్ రెసిస్టెన్స్ మరియు కెమికల్ జడత్వాన్ని ప్రదర్శిస్తుంది, సాధారణంగా స్టాండర్డ్ ఇండస్ట్రీ కోటెడ్ ససెప్టర్లతో పోలిస్తే సేవా జీవితాన్ని 30% నుండి 50% వరకు పొడిగిస్తుంది.
సమాధానం:అవును. VeTek పూర్తి CVD ఫ్లో/థర్మల్ ఫీల్డ్ సిమ్యులేషన్ సామర్థ్యాలను మరియు ఖచ్చితమైన CNC ప్రాసెసింగ్ గొలుసును కలిగి ఉంది. క్లయింట్ అందించిన ఫర్నేస్ కొలతలు, ఎయిర్ఫ్లో పారామీటర్లు లేదా లెగసీ ససెప్టర్ డ్రాయింగ్ల ఆధారంగా మేము 1:1 రివర్స్ ఇంజనీరింగ్ లేదా స్ట్రక్చరల్ ఆప్టిమైజేషన్ను చేయవచ్చు.
సమాధానం:క్లాస్ 1000 క్లీన్రూమ్లలో అన్ని ససెప్టర్ ఉత్పత్తులు అల్ట్రాసోనిక్ క్లీనింగ్ మరియు యాంటీ-స్టాటిక్ వాక్యూమ్ ప్యాకేజింగ్కు లోనవుతాయి. కస్టమైజ్డ్ హై-డెన్సిటీ EVA షాక్-అబ్జార్ప్షన్ మాడ్యూల్లను ఉపయోగించి ఇంటీరియర్ భద్రపరచబడింది మరియు వెలుపలి భాగం ఎగుమతి-గ్రేడ్ ఫ్యూమిగేటెడ్ చెక్క డబ్బాలలో ప్యాక్ చేయబడింది, ఇది జీరో-ఇంపాక్ట్ డెలివరీని నిర్ధారిస్తుంది.
కోర్ పెర్స్పెక్టివ్: అధిక-నాణ్యత సెమీకండక్టర్ మెకానికల్ మరియు థర్మోడైనమిక్ టూలింగ్ భాగాలు ఫౌండ్రీ పోటీతత్వాన్ని పెంపొందించడంలో ప్రత్యక్ష పెట్టుబడిని సూచిస్తాయి.
మల్టీ-పాకెట్ సిలికాన్ ఎపిటాక్సీ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్లపై CVD ఫ్లో ఫీల్డ్ సిమ్యులేషన్, ప్రెసిషన్ టూలింగ్ కంట్రోల్ మరియు CVD SiC కోటింగ్ ఆప్టిమైజేషన్ను అమలు చేయడం ద్వారా, VeTek సెమీకండక్టర్ క్లయింట్కి ఫిల్మ్ మందం పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యాన్ని 1.4% నుండి 0.69% మందంతో 0.69% వరకు తగ్గించడంలో క్లయింట్కు విజయవంతంగా సహాయపడింది. ఏకరూపత లేనిది.
మీరు ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ నాన్-యూనిఫార్మిటీ, గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ డిఫార్మేషన్, హై పాకెట్-టు-పాకెట్ వైవిధ్యం లేదా CVD కోటింగ్ పీలింగ్ వంటి సాంకేతిక నొప్పి పాయింట్లను కూడా ఎదుర్కొంటే, ఉచిత ఫ్లో ఫీల్డ్ మూల్యాంకనం మరియు అనుకూలీకరించిన ఆప్టిమైజేషన్ ప్లాన్ను స్వీకరించడానికి VeTek సెమీకండక్టర్ సాంకేతిక నిపుణుల బృందాన్ని సంకోచించకండి!
![]()
+86-579-87223657
వాంగ్డా రోడ్, జియాంగ్ స్ట్రీట్, వుయి కౌంటీ, జిన్హువా సిటీ, జెజియాంగ్ ప్రావిన్స్, చైనా
కాపీరైట్ © 2024 WuYi TianYao కొత్త మెటీరియల్ Tech.Co.,Ltd. సర్వ హక్కులు ప్రత్యేకించబడినవి.
Links | Sitemap | RSS | XML | గోప్యతా విధానం |