అధిక స్వచ్ఛత దృఢమైన అనుభూతి

SiC ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ అనేది సబ్‌స్ట్రేట్ ఉపరితలంపై అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ సన్నని ఫిల్మ్‌లను పెంచే సాంకేతికత. సిలికాన్ కార్బైడ్ పవర్ పరికరాలు మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ RF పరికరాల వంటి అధిక-పనితీరు గల సిలికాన్ కార్బైడ్ సెమీకండక్టర్ పరికరాలను తయారు చేయడానికి ఈ ప్రక్రియ అవసరం. ఈ ప్రక్రియలో, ఉష్ణోగ్రత, గ్యాస్ ప్రవాహం, పీడనం మరియు ఇతర పారామితులతో సహా వృద్ధి వాతావరణం, మంచి విద్యుత్ లక్షణాలతో అధిక-నాణ్యత, అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ పొరల పెరుగుదలను నిర్ధారించడానికి ఖచ్చితంగా నియంత్రించాల్సిన అవసరం ఉంది. SiC coatig హాఫ్‌మూన్ గ్రాఫైట్ భాగాలు SIC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలలో ప్రధాన భాగం, మరియు అధిక స్వచ్ఛత దృఢత్వం ప్రధానంగా SiC కోటిగ్ హాఫ్‌మూన్ గ్రాఫైట్ భాగాల యొక్క ఉష్ణ సంరక్షణ పాత్రను పోషిస్తుంది.

అధిక స్వచ్ఛత దృ feeld ంగా భావించిన మంచి ఉష్ణ వాహకత ఉంది, ఇది SIC కోటిగ్ హాఫ్‌మూన్ గ్రాఫైట్ భాగాల చుట్టూ తాపన మూలం యొక్క వేడిని సమానంగా పంపిణీ చేస్తుంది మరియు మంచి ఉష్ణ సంరక్షణ ప్రభావాన్ని కలిగి ఉంటుంది. SIC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల సమయంలో, ఇది వేడిని గ్రహించి, స్థానిక వేడెక్కడం లేదా అధిక కూలింగ్‌ను నివారించడానికి నెమ్మదిగా విడుదల చేస్తుంది, తద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలం యొక్క ఉపరితలంపై ఉష్ణోగ్రత వ్యత్యాసం చాలా తక్కువ పరిధిలో నియంత్రించబడుతుంది మరియు ఉష్ణోగ్రత ఏకరూపత సాధారణంగా ± 1 కి చేరుకుంటుంది - 2 ℃, ఇది సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ పొరను ఏకరీతి మందం మరియు స్థిరమైన విద్యుత్ లక్షణాలతో పెంచడానికి చాలా ముఖ్యం.

సిలేన్ (SiH4) మరియు ప్రొపేన్ (C3H8) వంటి కొన్ని తినివేయు వాయువులు SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలలో ప్రతిచర్య మూల వాయువులుగా ఉపయోగించబడతాయి. అధిక స్వచ్ఛత దృఢమైన భావన ఈ రసాయన వాయువులకు మంచి సహనాన్ని కలిగి ఉంటుంది మరియు ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల చక్రం అంతటా దాని నిర్మాణ సమగ్రతను నిర్వహించగలదు (ఇది గంటలు లేదా డజన్ల కొద్దీ గంటలు కూడా ఉంటుంది). మరియు అధిక స్వచ్ఛత దృఢమైన అనుభూతి యొక్క స్వచ్ఛత 99.99% పైన ఉంది మరియు ఇది ఎపిటాక్సియల్ పొరను ప్రతిచర్య వాతావరణంలోకి కలుషితం చేసే పదార్థాలను విడుదల చేయదు, తద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క అధిక స్వచ్ఛతను నిర్ధారిస్తుంది.

తగిన సాంద్రత అధిక స్వచ్ఛత దృ feeld ంగా భావించిన యాంత్రిక బలం మరియు ఉష్ణ వాహకతను నిర్ధారించగలదు. ఉష్ణ వాహకతను నిర్ధారించేటప్పుడు, ఇది SIC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలపై బాహ్య కారకాల జోక్యాన్ని తగ్గించగలదు.

సాంప్రదాయ సిరామిక్ పదార్థాలు మరియు లోహ పదార్థాలతో పోలిస్తే, అధిక స్వచ్ఛత గ్రాఫైట్ దృ feeld ంగా భావించిన మెరుగైన ఉష్ణ వాహకత మరియు రసాయన స్థిరత్వాన్ని కలిగి ఉంది మరియు ఇది SIC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలకు అద్భుతమైన సహాయక భాగం పదార్థం.

ప్రముఖ చైనా హై ప్యూరిటీ దృ feeld ంగా భావించిన సరఫరాదారు మరియు ఫ్యాక్టరీగా, వెటెక్ సెమీకండక్టర్ అత్యంత అనుకూలీకరించిన ఉత్పత్తులను అందిస్తుంది, ఇది పదార్థాలు లేదా ఉత్పత్తి పరిమాణం అయినా, ఇది మీ కోసం అనుగుణంగా ఉంటుంది. తక్కువ, వెటెక్ సెమీకండక్టర్ అధునాతన అధిక స్వచ్ఛమైన అనుభూతి సాంకేతిక పరిజ్ఞానాన్ని అందించడానికి చాలాకాలంగా కట్టుబడి ఉంది. మరియు సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమకు ఉత్పత్తి పరిష్కారాలు. చైనాలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామి కావడానికి మేము హృదయపూర్వకంగా ఎదురుచూస్తున్నాము.

VeTek సెమీకండక్టర్ హై ప్యూరిటీ రిజిడ్ ఫీల్డ్ ప్రొడక్షన్ షాపులు: