సిక్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ గ్రాఫైట్

SiC క్రిస్టల్ గ్రోత్ పోరస్ గ్రాఫైట్ అనేది పోరస్ గ్రాఫైట్ నుండి అత్యంత నియంత్రించదగిన రంధ్ర నిర్మాణంతో తయారు చేయబడిన పదార్థం. సెమీకండక్టర్ ప్రాసెసింగ్‌లో, ఇది అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత మరియు రసాయన స్థిరత్వాన్ని చూపుతుంది, కాబట్టి ఇది భౌతిక ఆవిరి నిక్షేపణ, రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ మరియు ఇతర ప్రక్రియలలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది, ఉత్పత్తి ప్రక్రియ యొక్క సామర్థ్యాన్ని మరియు ఉత్పత్తి నాణ్యతను గణనీయంగా మెరుగుపరుస్తుంది, ఆప్టిమైజ్ చేయబడిన సెమీకండక్టర్‌గా మారుతుంది. తయారీ పరికరాల పనితీరుకు కీలకమైన పదార్థాలు.

PVD ప్రక్రియలో, SiC క్రిస్టల్ గ్రోత్ పోరస్ గ్రాఫైట్ సాధారణంగా సబ్‌స్ట్రేట్ సపోర్ట్ లేదా ఫిక్చర్‌గా ఉపయోగించబడుతుంది. దీని పని పొర లేదా ఇతర సబ్‌స్ట్రేట్‌లకు మద్దతు ఇవ్వడం మరియు నిక్షేపణ ప్రక్రియలో పదార్థం యొక్క స్థిరత్వాన్ని నిర్ధారించడం. పోరస్ గ్రాఫైట్ యొక్క ఉష్ణ వాహకత సాధారణంగా 80 W/m·K మరియు 120 W/m·K మధ్య ఉంటుంది, ఇది పోరస్ గ్రాఫైట్‌ను త్వరగా మరియు సమానంగా వేడిని నిర్వహించేలా చేస్తుంది, స్థానికంగా వేడెక్కకుండా చేస్తుంది, తద్వారా సన్నని పొరల అసమాన నిక్షేపణను నివారిస్తుంది, ప్రక్రియ సామర్థ్యాన్ని బాగా మెరుగుపరుస్తుంది. .

అదనంగా, SIC క్రిస్టల్ గ్రోత్ పోరస్ గ్రాఫైట్ యొక్క సాధారణ సచ్ఛిద్రత పరిధి 20% ~ 40%. ఈ లక్షణం వాక్యూమ్ చాంబర్‌లో గ్యాస్ ప్రవాహాన్ని చెదరగొట్టడానికి మరియు నిక్షేపణ ప్రక్రియలో చలన చిత్ర పొర యొక్క ఏకరూపతను ప్రభావితం చేయకుండా వాయువు ప్రవాహం నిరోధించడానికి సహాయపడుతుంది.

CVD ప్రక్రియలో, SiC క్రిస్టల్ గ్రోత్ పోరస్ గ్రాఫైట్ యొక్క పోరస్ నిర్మాణం వాయువుల ఏకరీతి పంపిణీకి అనువైన మార్గాన్ని అందిస్తుంది. రియాక్టివ్ వాయువు ఒక సన్నని పొరను రూపొందించడానికి గ్యాస్-ఫేజ్ రసాయన ప్రతిచర్య ద్వారా ఉపరితల ఉపరితలంపై జమ చేయబడుతుంది. ఈ ప్రక్రియకు రియాక్టివ్ వాయువు యొక్క ప్రవాహం మరియు పంపిణీపై ఖచ్చితమైన నియంత్రణ అవసరం. పోరస్ గ్రాఫైట్ యొక్క 20% ~ 40% సచ్ఛిద్రత వాయువును ప్రభావవంతంగా మార్గనిర్దేశం చేస్తుంది మరియు దానిని ఉపరితలం యొక్క ఉపరితలంపై సమానంగా పంపిణీ చేస్తుంది, డిపాజిట్ చేయబడిన ఫిల్మ్ లేయర్ యొక్క ఏకరూపత మరియు స్థిరత్వాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది.

పోరస్ గ్రాఫైట్ సాధారణంగా CVD పరికరాలలో ఫర్నేస్ ట్యూబ్‌లు, సబ్‌స్ట్రేట్ క్యారియర్లు లేదా మాస్క్ మెటీరియల్‌గా ఉపయోగించబడుతుంది, ప్రత్యేకించి సెమీకండక్టర్ ప్రక్రియలలో అధిక స్వచ్ఛత పదార్థాలు అవసరం మరియు నలుసు కాలుష్యం కోసం చాలా ఎక్కువ అవసరాలు ఉంటాయి. అదే సమయంలో, CVD ప్రక్రియ సాధారణంగా అధిక ఉష్ణోగ్రతలను కలిగి ఉంటుంది మరియు పోరస్ గ్రాఫైట్ దాని భౌతిక మరియు రసాయన స్థిరత్వాన్ని 2500 ° C వరకు ఉష్ణోగ్రత వద్ద నిర్వహించగలదు, ఇది CVD ప్రక్రియలో ఒక అనివార్యమైన పదార్థంగా మారుతుంది.

దాని పోరస్ నిర్మాణం ఉన్నప్పటికీ, SiC క్రిస్టల్ గ్రోత్ పోరస్ గ్రాఫైట్ ఇప్పటికీ 50 MPa యొక్క సంపీడన బలాన్ని కలిగి ఉంది, ఇది సెమీకండక్టర్ తయారీ సమయంలో ఉత్పన్నమయ్యే యాంత్రిక ఒత్తిడిని నిర్వహించడానికి సరిపోతుంది.

చైనా యొక్క సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో పోరస్ గ్రాఫైట్ ఉత్పత్తులకు అగ్రగామిగా, Veteksemi ఎల్లప్పుడూ ఉత్పత్తి అనుకూలీకరణ సేవలు మరియు సంతృప్తికరమైన ఉత్పత్తి ధరలకు మద్దతు ఇస్తుంది. మీ నిర్దిష్ట అవసరాలు ఏమైనప్పటికీ, మేము మీ పోరస్ గ్రాఫైట్‌కు ఉత్తమ పరిష్కారాన్ని సరిపోల్చుతాము మరియు ఎప్పుడైనా మీ సంప్రదింపుల కోసం ఎదురుచూస్తాము.

SIC క్రిస్టల్ గ్రోత్ పోరస్ గ్రాఫైట్ యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలు:

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ SIC క్రిస్టల్ గ్రోత్ పోరస్ గ్రాఫైట్ ఉత్పత్తుల షాపులు:

సెమీకండక్టర్ చిప్ ఎపిటాక్సీ పరిశ్రమ గొలుసు యొక్క అవలోకనం: