Sic క్రిస్టల్ గ్రోత్ న్యూ టెక్నాలజీ

Vఎటెక్ సెమీకండక్టర్ 'సిక్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ కొత్త టెక్నాలజీ పెరుగుతున్న SIC స్ఫటికాలకు మూలంగా పదార్థాన్ని రీసైకిల్ చేయడానికి విస్మరించిన CVD-SIC బ్లాకులను ఉపయోగిస్తుంది. సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల కోసం ఉపయోగించే CVD-SIC BLUK పరిమాణం-నియంత్రిత విరిగిన బ్లాక్‌లుగా తయారు చేయబడింది, ఇవి PVT ప్రక్రియలో సాధారణంగా ఉపయోగించే వాణిజ్య SIC పౌడర్‌తో పోలిస్తే ఆకారం మరియు పరిమాణంలో గణనీయమైన తేడాలను కలిగి ఉంటాయి, కాబట్టి SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల యొక్క ప్రవర్తన S గా భావిస్తారుఎంత గణనీయంగా భిన్నమైన ప్రవర్తన.

SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రయోగం నిర్వహించడానికి ముందు, అధిక వృద్ధి రేట్లు పొందటానికి కంప్యూటర్ అనుకరణలు జరిగాయి, మరియు హాట్ జోన్ ఒకే క్రిస్టల్ వృద్ధికి అనుగుణంగా కాన్ఫిగర్ చేయబడింది. క్రిస్టల్ పెరుగుదల తరువాత, పెరిగిన స్ఫటికాలను క్రాస్-సెక్షనల్ టోమోగ్రఫీ, మైక్రో-రామన్ స్పెక్ట్రోస్కోపీ, హై-రిజల్యూషన్ ఎక్స్-రే డిఫ్రాక్షన్ మరియు సింక్రోట్రోన్ రేడియేషన్ వైట్-బీమ్ ఎక్స్-రే టోపోగ్రఫీ ద్వారా అంచనా వేస్తారు.

✔ CVD-SIC బ్లాక్ మూలాన్ని సిద్ధం చేయండి: మొదట, మేము అధిక-నాణ్యత గల CVD-SIC బ్లాక్ మూలాన్ని సిద్ధం చేయాలి, ఇది సాధారణంగా అధిక స్వచ్ఛత మరియు అధిక సాంద్రత కలిగి ఉంటుంది. తగిన ప్రతిచర్య పరిస్థితులలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (సివిడి) పద్ధతి ద్వారా దీనిని తయారు చేయవచ్చు.

✔ ఉపరితల తయారీ: SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదలకు ఉపరితలంగా తగిన ఉపరితలాన్ని ఎంచుకోండి. సాధారణంగా ఉపయోగించే సబ్‌స్ట్రేట్ పదార్థాలలో సిలికాన్ కార్బైడ్, సిలికాన్ నైట్రైడ్ మొదలైనవి ఉన్నాయి, ఇవి పెరుగుతున్న SIC సింగిల్ క్రిస్టల్‌తో మంచి మ్యాచ్‌ను కలిగి ఉంటాయి.

✔ తాపన మరియు సబ్లిమేషన్: CVD-SIC బ్లాక్ సోర్స్ మరియు సబ్‌స్ట్రేట్‌ను అధిక-ఉష్ణోగ్రత కొలిమిలో ఉంచండి మరియు తగిన సబ్‌మేషన్ పరిస్థితులను అందించండి. సబ్లిమేషన్ అంటే అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద, బ్లాక్ మూలం నేరుగా ఘన నుండి ఆవిరి స్థితికి మారుతుంది, ఆపై ఒకే క్రిస్టల్‌ను ఏర్పరుస్తుంది.

✔ ఉష్ణోగ్రత నియంత్రణ: సబ్లిమేషన్ ప్రక్రియలో, బ్లాక్ మూలం యొక్క సబ్లిమేషన్ మరియు సింగిల్ స్ఫటికాల పెరుగుదలను ప్రోత్సహించడానికి ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత మరియు ఉష్ణోగ్రత పంపిణీని ఖచ్చితంగా నియంత్రించాల్సిన అవసరం ఉంది. తగిన ఉష్ణోగ్రత నియంత్రణ ఆదర్శ క్రిస్టల్ నాణ్యత మరియు వృద్ధి రేటును సాధించగలదు.

✔ వాతావరణ నియంత్రణ: సబ్లిమేషన్ ప్రక్రియలో, ప్రతిచర్య వాతావరణాన్ని కూడా నియంత్రించాల్సిన అవసరం ఉంది. అధిక-స్వచ్ఛత జడ వాయువు (ఆర్గాన్ వంటివి) సాధారణంగా క్యారియర్ వాయువుగా ఉపయోగిస్తారు, తగిన ఒత్తిడి మరియు స్వచ్ఛతను నిర్వహించడానికి మరియు మలినాలను ద్వారా కలుషితాన్ని నివారించడానికి.

✔ ఒకే క్రిస్టల్ పెరుగుదల. SIC సింగిల్ స్ఫటికాల యొక్క వేగవంతమైన పెరుగుదల తగిన సబ్లిమేషన్ పరిస్థితులు మరియు ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత నియంత్రణ ద్వారా సాధించవచ్చు.