Sic సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్ విడి భాగాలు

వెటెక్సెమికన్ యొక్క ఉత్పత్తి, దికర్ణభేరికి కర్రించుటSIC సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్ కోసం ఉత్పత్తులు, సిలికాన్ కార్బైడ్ (SIC) స్ఫటికాల గ్రోత్ ఇంటర్‌ఫేస్‌తో సంబంధం ఉన్న సవాళ్లను పరిష్కరిస్తాయి, ముఖ్యంగా క్రిస్టల్ అంచు వద్ద సంభవించే సమగ్ర లోపాలు. TAC పూతను వర్తింపజేయడం ద్వారా, మేము క్రిస్టల్ వృద్ధి నాణ్యతను మెరుగుపరచడం మరియు క్రిస్టల్ సెంటర్ యొక్క ప్రభావవంతమైన ప్రాంతాన్ని పెంచడం లక్ష్యంగా పెట్టుకున్నాము, ఇది వేగంగా మరియు మందపాటి పెరుగుదలను సాధించడానికి కీలకమైనది.

అధిక-నాణ్యత పెరగడానికి TAC పూత ఒక ప్రధాన సాంకేతిక పరిష్కారంSic సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్. అంతర్జాతీయంగా అభివృద్ధి చెందిన స్థాయికి చేరుకున్న రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (సివిడి) ను ఉపయోగించి మేము టిఎసి పూత సాంకేతికతను విజయవంతంగా అభివృద్ధి చేసాము. TAC అసాధారణమైన లక్షణాలను కలిగి ఉంది, వీటిలో 3880 ° C వరకు అధిక ద్రవీభవన స్థానం, అద్భుతమైన యాంత్రిక బలం, కాఠిన్యం మరియు థర్మల్ షాక్ నిరోధకత ఉన్నాయి. అధిక ఉష్ణోగ్రతలు మరియు అమ్మోనియా, హైడ్రోజన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ఆవిరి వంటి పదార్ధాలకు గురైనప్పుడు ఇది మంచి రసాయన జడత్వం మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వాన్ని ప్రదర్శిస్తుంది.

వెకెకెమ్యాన్కర్ణభేరికి కర్రించుటSIC సింగిల్ క్రిస్టల్ వృద్ధి ప్రక్రియలో ఎడ్జ్-సంబంధిత సమస్యలను పరిష్కరించడానికి ఒక పరిష్కారాన్ని అందిస్తుంది, వృద్ధి ప్రక్రియ యొక్క నాణ్యత మరియు సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది. మా అధునాతన TAC పూత సాంకేతికతతో, మేము మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమ అభివృద్ధికి మద్దతు ఇవ్వడం మరియు దిగుమతి చేసుకున్న కీలక పదార్థాలపై ఆధారపడటాన్ని తగ్గించడం.

పివిటి పద్ధతి sic సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్ విడి భాగాలు:

TAC కోటెడ్ క్రూసిబుల్, TAC పూతతో సీడ్ హోల్డర్, TAC కోటింగ్ గైడ్ రింగ్ SIC లో ముఖ్యమైన భాగాలు మరియు PVT పద్ధతి ద్వారా AIN సింగిల్ క్రిస్టల్ కొలిమి.

● అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత

●  అధిక స్వచ్ఛత, SIC ముడి పదార్థాలు మరియు SIC సింగిల్ స్ఫటికాలను కలుషితం చేయదు.

●  అల్ ఆవిరి మరియు నాకోరోషన్లకు నిరోధకత

●  క్రిస్టల్ తయారీ చక్రాన్ని తగ్గించడానికి అధిక యూటెక్టిక్ ఉష్ణోగ్రత (ALN తో).

●  పునర్వినియోగపరచదగిన (200 హెచ్ వరకు), ఇది అటువంటి సింగిల్ స్ఫటికాల తయారీ యొక్క స్థిరత్వం మరియు సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది.