టాంటాలమ్ కార్బైడ్ కోటెడ్ గైడ్ రింగ్

మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) క్రిస్టల్ పెరుగుదలకు అధిక ఉష్ణోగ్రతలు (2000-2200 ° C) అవసరం మరియు Si, C, SiC ఆవిరి భాగాలను కలిగి ఉన్న సంక్లిష్ట వాతావరణంతో చిన్న గదులలో సంభవిస్తుంది. అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద గ్రాఫైట్ అస్థిరతలు మరియు కణాలు క్రిస్టల్ నాణ్యతను ప్రభావితం చేస్తాయి, ఇది కార్బన్ చేరికల వంటి లోపాలకు దారితీస్తుంది. SiC పూతలతో గ్రాఫైట్ క్రూసిబుల్స్ ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలలో సాధారణం అయితే, సిలికాన్ కార్బైడ్ హోమోపిటాక్సీకి సుమారు 1600°C వద్ద, SiC దశల మార్పులకు లోనవుతుంది, గ్రాఫైట్‌పై దాని రక్షణ లక్షణాలను కోల్పోతుంది. ఈ సమస్యలను తగ్గించడానికి, టాంటాలమ్ కార్బైడ్ పూత ప్రభావవంతంగా ఉంటుంది. అధిక ద్రవీభవన స్థానం (3880°C) కలిగిన టాంటాలమ్ కార్బైడ్, 3000°C కంటే ఎక్కువ మంచి యాంత్రిక లక్షణాలను నిర్వహించే ఏకైక పదార్థం, ఇది అద్భుతమైన అధిక-ఉష్ణోగ్రత రసాయన నిరోధకత, ఎరోషన్ ఆక్సీకరణ నిరోధకత మరియు ఉన్నతమైన అధిక-ఉష్ణోగ్రత యాంత్రిక లక్షణాలను అందిస్తుంది.

SiC క్రిస్టల్ వృద్ధి ప్రక్రియలో, SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ యొక్క ప్రధాన తయారీ పద్ధతి PVT పద్ధతి. అల్ప పీడనం మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులలో, పెద్ద కణ పరిమాణం (> 200μm) కలిగిన సిలికాన్ కార్బైడ్ పౌడర్ కుళ్ళిపోయి వివిధ గ్యాస్ ఫేజ్ పదార్ధాలుగా సబ్‌లిమేట్ అవుతుంది, ఇవి ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత డ్రైవ్‌లో తక్కువ ఉష్ణోగ్రతతో విత్తన స్ఫటికానికి రవాణా చేయబడతాయి మరియు ప్రతిచర్య మరియు డిపాజిట్ చేయబడతాయి మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్‌గా రీక్రిస్టలైజ్ చేయండి. ఈ ప్రక్రియలో, సోర్స్ ఏరియా మరియు గ్రోత్ ఏరియా మధ్య గ్యాస్ ప్రవాహం స్థిరంగా మరియు ఏకరీతిగా ఉండేలా టాంటాలమ్ కార్బైడ్ కోటెడ్ గైడ్ రింగ్ ఒక ముఖ్యమైన పాత్ర పోషిస్తుంది, తద్వారా క్రిస్టల్ పెరుగుదల నాణ్యతను మెరుగుపరుస్తుంది మరియు అసమాన గాలి ప్రవాహ ప్రభావాన్ని తగ్గిస్తుంది.

PVT పద్ధతి SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్‌లో టాంటాలమ్ కార్బైడ్ కోటెడ్ గైడ్ రింగ్ పాత్ర

● వాయు ప్రవాహ మార్గదర్శకత్వం మరియు పంపిణీ

TaC కోటింగ్ గైడ్ రింగ్ యొక్క ప్రధాన విధి మూల వాయువు యొక్క ప్రవాహాన్ని నియంత్రించడం మరియు పెరుగుదల ప్రాంతం అంతటా గ్యాస్ ప్రవాహాన్ని సమానంగా పంపిణీ చేయడం. వాయుప్రవాహం యొక్క మార్గాన్ని ఆప్టిమైజ్ చేయడం ద్వారా, వృద్ధి ప్రదేశంలో వాయువు మరింత సమానంగా నిక్షిప్తం చేయడంలో సహాయపడుతుంది, తద్వారా SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ యొక్క మరింత ఏకరీతి పెరుగుదలను నిర్ధారిస్తుంది మరియు అసమాన వాయుప్రవాహం వల్ల ఏర్పడే లోపాలను తగ్గిస్తుంది. క్రిస్టల్ నాణ్యత.

● ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత నియంత్రణ

SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ యొక్క పెరుగుదల ప్రక్రియలో, ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత చాలా క్లిష్టమైనది. TAC పూత గైడ్ రింగ్ మూల ప్రాంతం మరియు పెరుగుదల ప్రాంతంలో వాయువు ప్రవాహాన్ని నియంత్రించడంలో సహాయపడుతుంది, ఇది ఉష్ణోగ్రత పంపిణీని పరోక్షంగా ప్రభావితం చేస్తుంది. స్థిరమైన వాయు ప్రవాహం ఉష్ణోగ్రత క్షేత్రం యొక్క ఏకరూపతకు సహాయపడుతుంది, తద్వారా క్రిస్టల్ యొక్క నాణ్యతను మెరుగుపరుస్తుంది.

●  గ్యాస్ ట్రాన్స్మిషన్ సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరచండి

SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ వృద్ధికి మూల పదార్థం యొక్క బాష్పీభవనం మరియు నిక్షేపణపై ఖచ్చితమైన నియంత్రణ అవసరం కాబట్టి, TAC పూత గైడ్ రింగ్ యొక్క రూపకల్పన గ్యాస్ ట్రాన్స్మిషన్ సామర్థ్యాన్ని ఆప్టిమైజ్ చేయగలదు, సోర్స్ మెటీరియల్ వాయువు వృద్ధి ప్రాంతానికి మరింత సమర్థవంతంగా ప్రవహిస్తుంది, వృద్ధిని మెరుగుపరుస్తుంది సింగిల్ క్రిస్టల్ యొక్క రేటు మరియు నాణ్యత.

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ యొక్క టాంటాలమ్ కార్బైడ్ కోటెడ్ గైడ్ రింగ్ అధిక-నాణ్యత గ్రాఫైట్ మరియు TAC పూతతో కూడి ఉంటుంది. ఇది బలమైన తుప్పు నిరోధకత, బలమైన ఆక్సీకరణ నిరోధకత మరియు బలమైన యాంత్రిక బలంతో సుదీర్ఘ సేవా జీవితాన్ని కలిగి ఉంది. వెటెక్ సెమీకండక్టర్ యొక్క సాంకేతిక బృందం అత్యంత ప్రభావవంతమైన సాంకేతిక పరిష్కారాన్ని సాధించడంలో మీకు సహాయపడుతుంది. మీ అవసరాలు ఎలా ఉన్నా, వెటెక్ సెమీకండక్టర్ సంబంధిత అనుకూలీకరించిన ఉత్పత్తులను అందించగలదు మరియు మీ విచారణ కోసం ఎదురుచూడవచ్చు.

TAC పూత యొక్క భౌతిక లక్షణాలు

VeTek సెమీకండక్టర్ యొక్క టాంటాలమ్ కార్బైడ్ కోటెడ్ గైడ్ రింగ్ ఉత్పత్తుల దుకాణాలు