వార్తలు

సెమీకండక్టర్ తయారీ పరిశ్రమలో, పరికర పరిమాణం తగ్గిపోతున్నందున, సన్నని చలన చిత్ర సామగ్రి యొక్క నిక్షేపణ సాంకేతికత అపూర్వమైన సవాళ్లను ఎదుర్కొంది. అణు పొర నిక్షేపణ (ALD), అణు స్థాయిలో ఖచ్చితమైన నియంత్రణను సాధించగల సన్నని ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ టెక్నాలజీగా, సెమీకండక్టర్ తయారీలో ఒక అనివార్యమైన భాగంగా మారింది. ఈ వ్యాసం అధునాతన చిప్ తయారీలో దాని ముఖ్యమైన పాత్రను అర్థం చేసుకోవడంలో ALD యొక్క ప్రక్రియ ప్రవాహం మరియు సూత్రాలను ప్రవేశపెట్టడం లక్ష్యంగా పెట్టుకుంది.

సంపూర్ణ స్ఫటికాకార బేస్ లేయర్‌పై ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు లేదా సెమీకండక్టర్ పరికరాలను నిర్మించడం ఉత్తమం. సెమీకండక్టర్ తయారీలో ఎపిటాక్సీ (epi) ప్రక్రియ ఒక స్ఫటికాకార ఉపరితలంపై సాధారణంగా 0.5 నుండి 20 మైక్రాన్‌ల వరకు ఉండే చక్కటి సింగిల్-స్ఫటికాకార పొరను జమ చేయడం లక్ష్యంగా పెట్టుకుంది. సెమీకండక్టర్ పరికరాల తయారీలో, ముఖ్యంగా సిలికాన్ పొరల తయారీలో ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియ ఒక ముఖ్యమైన దశ.

ఎపిటాక్సీ మరియు అటామిక్ లేయర్ డిపాజిషన్ (ALD) మధ్య ప్రధాన వ్యత్యాసం వారి చలనచిత్ర వృద్ధి విధానాలు మరియు ఆపరేటింగ్ పరిస్థితులలో ఉంది. ఎపిటాక్సీ ఒక స్ఫటికాకార సన్నని చలనచిత్రాన్ని స్ఫటికాకార ఉపరితలంపై ఒక నిర్దిష్ట ధోరణి సంబంధంతో పెంచే ప్రక్రియను సూచిస్తుంది, అదే లేదా ఇలాంటి క్రిస్టల్ నిర్మాణాన్ని నిర్వహిస్తుంది. దీనికి విరుద్ధంగా, ALD అనేది ఒక నిక్షేపణ సాంకేతికత, ఇది క్రమంలో వేర్వేరు రసాయన పూర్వగాములకు ఒక ఉపరితలాన్ని బహిర్గతం చేస్తుంది, ఒక సమయంలో సన్నని ఫిల్మ్ వన్ అటామిక్ పొరను ఏర్పరుస్తుంది.

CVD TAC పూత అనేది ఒక ఉపరితలంపై (గ్రాఫైట్) దట్టమైన మరియు మన్నికైన పూతను ఏర్పరచడానికి ఒక ప్రక్రియ. ఈ పద్ధతిలో అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద ఉపరితల ఉపరితలంపై TaC ని నిక్షిప్తం చేయడం జరుగుతుంది, దీని ఫలితంగా అద్భుతమైన ఉష్ణ స్థిరత్వం మరియు రసాయన నిరోధకతతో టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూత వస్తుంది.

8-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) ప్రక్రియ పరిపక్వం చెందడంతో, తయారీదారులు 6-అంగుళాల నుండి 8-అంగుళాలకు మారడాన్ని వేగవంతం చేస్తున్నారు. ఇటీవల, ON సెమీకండక్టర్ మరియు రెసోనాక్ 8-అంగుళాల SiC ఉత్పత్తిపై నవీకరణలను ప్రకటించాయి.

ఈ కథనం ఇటాలియన్ కంపెనీ LPE యొక్క కొత్తగా రూపొందించిన PE1O8 హాట్-వాల్ CVD రియాక్టర్‌లో తాజా పరిణామాలను మరియు 200mm SiCలో ఏకరీతి 4H-SiC ఎపిటాక్సీని నిర్వహించగల సామర్థ్యాన్ని పరిచయం చేస్తుంది.