వార్తలు

తైకో ప్రక్రియ సిలికాన్ పొరలను దాని సూత్రాలు, సాంకేతిక ప్రయోజనాలు మరియు ప్రక్రియ మూలాలను ఉపయోగించి చేస్తుంది.

8-అంగుళాల SIC ఎపిటాక్సియల్ కొలిమి మరియు హోమోపిటాక్సియల్ ప్రాసెస్ పరిశోధన

వ్యాసం సిలికాన్, GaAs, SiC మరియు GaN వంటి సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్ పొరల యొక్క పదార్థ లక్షణాలను విశ్లేషిస్తుంది.

ఈ వ్యాసం ప్రధానంగా GAN- ఆధారిత తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీని వివరిస్తుంది, వీటిలో GAN- ఆధారిత పదార్థాల క్రిస్టల్ స్ట్రక్చర్, 3. ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ అవసరాలు మరియు అమలు పరిష్కారాలు, పివిడి సూత్రాల ఆధారంగా తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ యొక్క ప్రయోజనాలు మరియు తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ యొక్క అభివృద్ధి అవకాశాలు.