వార్తలు

తైకో ప్రక్రియ సిలికాన్ పొరలను దాని సూత్రాలు, సాంకేతిక ప్రయోజనాలు మరియు ప్రక్రియ మూలాలను ఉపయోగించి చేస్తుంది.

8-అంగుళాల SIC ఎపిటాక్సియల్ కొలిమి మరియు హోమోపిటాక్సియల్ ప్రాసెస్ పరిశోధన

వ్యాసం సిలికాన్, GaAs, SiC మరియు GaN వంటి సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్ పొరల యొక్క పదార్థ లక్షణాలను విశ్లేషిస్తుంది.

ఈ వ్యాసం ప్రధానంగా GAN- ఆధారిత తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీని వివరిస్తుంది, వీటిలో GAN- ఆధారిత పదార్థాల క్రిస్టల్ స్ట్రక్చర్, 3. ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ అవసరాలు మరియు అమలు పరిష్కారాలు, పివిడి సూత్రాల ఆధారంగా తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ యొక్క ప్రయోజనాలు మరియు తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ యొక్క అభివృద్ధి అవకాశాలు.

ఈ వ్యాసం మొదట TAC యొక్క పరమాణు నిర్మాణం మరియు భౌతిక లక్షణాలను పరిచయం చేస్తుంది మరియు సైనర్డ్ టాంటాలమ్ కార్బైడ్ మరియు సివిడి టాంటాలమ్ కార్బైడ్, అలాగే వెటెక్ సెమీకండక్టర్ యొక్క ప్రసిద్ధ TAC పూత ఉత్పత్తుల యొక్క తేడాలు మరియు అనువర్తనాలపై దృష్టి పెడుతుంది.

ఈ వ్యాసం CVD TAC పూత యొక్క ఉత్పత్తి లక్షణాలను, CVD పద్ధతిని ఉపయోగించి CVD TAC పూతను తయారుచేసే ప్రక్రియ మరియు సిద్ధం చేసిన CVD TAC పూత యొక్క ఉపరితల పదనిర్మాణాన్ని గుర్తించే ప్రాథమిక పద్ధతిని పరిచయం చేస్తుంది.