వార్తలు

CVD TAC పూత అనేది ఒక ఉపరితలంపై (గ్రాఫైట్) దట్టమైన మరియు మన్నికైన పూతను ఏర్పరచడానికి ఒక ప్రక్రియ. ఈ పద్ధతిలో అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద ఉపరితల ఉపరితలంపై TaC ని నిక్షిప్తం చేయడం జరుగుతుంది, దీని ఫలితంగా అద్భుతమైన ఉష్ణ స్థిరత్వం మరియు రసాయన నిరోధకతతో టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూత వస్తుంది.

8-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) ప్రక్రియ పరిపక్వం చెందడంతో, తయారీదారులు 6-అంగుళాల నుండి 8-అంగుళాలకు మారడాన్ని వేగవంతం చేస్తున్నారు. ఇటీవల, ON సెమీకండక్టర్ మరియు రెసోనాక్ 8-అంగుళాల SiC ఉత్పత్తిపై నవీకరణలను ప్రకటించాయి.

ఈ కథనం ఇటాలియన్ కంపెనీ LPE యొక్క కొత్తగా రూపొందించిన PE1O8 హాట్-వాల్ CVD రియాక్టర్‌లో తాజా పరిణామాలను మరియు 200mm SiCలో ఏకరీతి 4H-SiC ఎపిటాక్సీని నిర్వహించగల సామర్థ్యాన్ని పరిచయం చేస్తుంది.

పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్, ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు ఇతర రంగాలలో SIC పదార్థాల కోసం పెరుగుతున్న డిమాండ్తో, SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ టెక్నాలజీ అభివృద్ధి శాస్త్రీయ మరియు సాంకేతిక ఆవిష్కరణల యొక్క ముఖ్య ప్రాంతంగా మారుతుంది. SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ పరికరాల ప్రధానమైనదిగా, థర్మల్ ఫీల్డ్ డిజైన్ విస్తృతమైన శ్రద్ధ మరియు లోతైన పరిశోధనలను పొందుతుంది.

నిరంతర సాంకేతిక పురోగతి మరియు లోతైన మెకానిజం పరిశోధన ద్వారా, 3C-SIC హెటెరోపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో మరింత ముఖ్యమైన పాత్ర పోషిస్తుందని మరియు అధిక-సామర్థ్య ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల అభివృద్ధిని ప్రోత్సహిస్తుందని భావిస్తున్నారు.

ప్రాదేశిక ALD, ప్రాదేశికంగా వేరుచేయబడిన పరమాణు పొర నిక్షేపణ. పొర వేర్వేరు స్థానాల మధ్య కదులుతుంది మరియు ప్రతి స్థానం వద్ద వేర్వేరు పూర్వగాములకు బహిర్గతమవుతుంది. దిగువ బొమ్మ సాంప్రదాయ ALD మరియు ప్రాదేశికంగా వేరు చేయబడిన ALD మధ్య పోలిక.

ఇటీవల, జర్మన్ రీసెర్చ్ ఇన్స్టిట్యూట్ ఫ్రాన్హోఫర్ IISB టాంటాలమ్ కార్బైడ్ పూత సాంకేతిక పరిజ్ఞానం యొక్క పరిశోధన మరియు అభివృద్ధిలో పురోగతి సాధించింది మరియు స్ప్రే పూత పరిష్కారాన్ని అభివృద్ధి చేసింది, ఇది CVD నిక్షేపణ పరిష్కారం కంటే సరళమైనది మరియు పర్యావరణ అనుకూలమైనది మరియు వాణిజ్యీకరించబడింది.

వేగవంతమైన సాంకేతిక అభివృద్ధి యొక్క యుగంలో, 3 డి ప్రింటింగ్, అధునాతన ఉత్పాదక సాంకేతిక పరిజ్ఞానం యొక్క ముఖ్యమైన ప్రతినిధిగా, సాంప్రదాయ తయారీ యొక్క ముఖాన్ని క్రమంగా మారుస్తోంది. సాంకేతిక పరిజ్ఞానం యొక్క నిరంతర పరిపక్వత మరియు ఖర్చులను తగ్గించడంతో, 3 డి ప్రింటింగ్ టెక్నాలజీ ఏరోస్పేస్, ఆటోమొబైల్ తయారీ, వైద్య పరికరాలు మరియు నిర్మాణ రూపకల్పన వంటి అనేక రంగాలలో విస్తృత అనువర్తన అవకాశాలను చూపించింది మరియు ఈ పరిశ్రమల ఆవిష్కరణ మరియు అభివృద్ధిని ప్రోత్సహించింది.

సింగిల్ క్రిస్టల్ పదార్థాలు మాత్రమే వివిధ సెమీకండక్టర్ పరికరాల పెరుగుతున్న ఉత్పత్తి అవసరాలను తీర్చలేవు. 1959 చివరిలో, సింగిల్ క్రిస్టల్ మెటీరియల్ గ్రోత్ టెక్నాలజీ యొక్క సన్నని పొర - ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల అభివృద్ధి చేయబడింది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ అధిక-ఉష్ణోగ్రత, అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ, అధిక-శక్తి మరియు అధిక-వోల్టేజ్ పరికరాలను తయారు చేయడానికి అనువైన పదార్థాలలో ఒకటి. ఉత్పత్తి సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరచడానికి మరియు ఖర్చులను తగ్గించడానికి, పెద్ద-పరిమాణ సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలాల తయారీ ఒక ముఖ్యమైన అభివృద్ధి దిశ.

విదేశీ వార్తల ప్రకారం, బైట్‌డాన్స్ US చిప్ డిజైన్ కంపెనీ బ్రాడ్‌కామ్‌తో కలిసి అడ్వాన్స్‌డ్ ఆర్టిఫిషియల్ ఇంటెలిజెన్స్ (AI) కంప్యూటింగ్ ప్రాసెసర్‌ను అభివృద్ధి చేయడానికి పని చేస్తోందని జూన్ 24న రెండు వర్గాలు వెల్లడించాయి, ఇది చైనా మధ్య ఉద్రిక్తతల మధ్య బైట్‌డాన్స్ తగినన్ని హై-ఎండ్ చిప్‌ల సరఫరాను నిర్ధారించడంలో సహాయపడుతుంది. మరియు యునైటెడ్ స్టేట్స్.

SiC పరిశ్రమలో ప్రముఖ తయారీదారుగా, సనన్ ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ సంబంధిత డైనమిక్స్ పరిశ్రమలో విస్తృత దృష్టిని పొందింది. ఇటీవల, సనన్ ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ 8-అంగుళాల పరివర్తన, కొత్త సబ్‌స్ట్రేట్ ఫ్యాక్టరీ ఉత్పత్తి, కొత్త కంపెనీల స్థాపన, ప్రభుత్వ సబ్సిడీలు మరియు ఇతర అంశాలతో కూడిన తాజా పరిణామాల శ్రేణిని వెల్లడించింది.

భౌతిక ఆవిరి రవాణా (పివిటి) పద్ధతిని ఉపయోగించి SIC మరియు ALN సింగిల్ స్ఫటికాల పెరుగుదలలో, క్రూసిబుల్, సీడ్ హోల్డర్ మరియు గైడ్ రింగ్ వంటి కీలకమైన భాగాలు కీలక పాత్ర పోషిస్తాయి. మూర్తి 2 [1] లో చిత్రీకరించినట్లుగా, పివిటి ప్రక్రియలో, విత్తన క్రిస్టల్ తక్కువ ఉష్ణోగ్రత ప్రాంతంలో ఉంచబడుతుంది, అయితే SIC ముడి పదార్థం అధిక ఉష్ణోగ్రతలకు (2400 ℃ పైన) బహిర్గతమవుతుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలాలు చాలా లోపాలను కలిగి ఉన్నాయి మరియు నేరుగా ప్రాసెస్ చేయలేవు. చిప్ పొరలను తయారు చేయడానికి ఒక నిర్దిష్ట సింగిల్ క్రిస్టల్ సన్నని చలనచిత్రం ఎపిటాక్సియల్ ప్రక్రియ ద్వారా వాటిపై పెరగడం అవసరం. ఈ సన్నని చిత్రం ఎపిటాక్సియల్ పొర. దాదాపు అన్ని సిలికాన్ కార్బైడ్ పరికరాలు ఎపిటాక్సియల్ పదార్థాలపై గ్రహించబడ్డాయి. సిలికాన్ కార్బైడ్ పరికరాల అభివృద్ధికి అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ సజాతీయ ఎపిటాక్సియల్ పదార్థాలు ఆధారం. ఎపిటాక్సియల్ పదార్థాల పనితీరు సిలికాన్ కార్బైడ్ పరికరాల పనితీరు యొక్క సాక్షాత్కారాన్ని నేరుగా నిర్ణయిస్తుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ శక్తి మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత అనువర్తనాల కోసం సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమను పున hap రూపకల్పన చేస్తోంది, దాని సమగ్ర లక్షణాలతో, ఎపిటాక్సియల్ సబ్‌స్ట్రేట్ల నుండి రక్షణ పూతల వరకు ఎలక్ట్రిక్ వాహనాలు మరియు పునరుత్పాదక ఇంధన వ్యవస్థలు.

అధిక స్వచ్ఛత: రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) ద్వారా పెరిగిన సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ పొర చాలా ఎక్కువ స్వచ్ఛత, మెరుగైన ఉపరితల ఫ్లాట్‌నెస్ మరియు సాంప్రదాయ పొరల కంటే తక్కువ లోపం సాంద్రతను కలిగి ఉంటుంది.