పరిశ్రమ వార్తలు

సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో అధిక స్వచ్ఛత క్వార్ట్జ్ పదార్థాలు కీలక పాత్ర పోషిస్తాయి. వాటి ఉన్నతమైన అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత, ఉష్ణ స్థిరత్వం మరియు కాంతి ప్రసార లక్షణాలు వాటిని క్లిష్టమైన వినియోగ వస్తువులుగా చేస్తాయి. క్వార్ట్జ్ ఉత్పత్తులు పొర ఉత్పత్తి యొక్క అధిక-ఉష్ణోగ్రత మరియు తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత జోన్‌లలోని భాగాల కోసం ఉపయోగించబడతాయి, తయారీ ప్రక్రియ యొక్క స్థిరత్వం మరియు పరిశుభ్రతను నిర్ధారిస్తుంది.

ప్రపంచ శక్తి పరివర్తన, AI విప్లవం మరియు కొత్త తరం సమాచార సాంకేతికతల తరంగంతో, సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) అసాధారణమైన భౌతిక లక్షణాల కారణంగా "సంభావ్య పదార్థం" నుండి "వ్యూహాత్మక పునాది పదార్థం"గా వేగంగా అభివృద్ధి చెందింది.

సెమీకండక్టర్ అధిక-ఉష్ణోగ్రత ప్రక్రియలలో, పొరల నిర్వహణ, మద్దతు మరియు ఉష్ణ చికిత్స ఒక ప్రత్యేక సహాయక భాగం-వేఫర్ బోట్‌పై ఆధారపడతాయి. ప్రక్రియ ఉష్ణోగ్రతలు పెరగడం మరియు శుభ్రత మరియు కణ నియంత్రణ అవసరాలు పెరిగేకొద్దీ, సాంప్రదాయ క్వార్ట్జ్ పొర పడవలు క్రమంగా స్వల్ప సేవా జీవితం, అధిక రూపాంతరం రేట్లు మరియు పేలవమైన తుప్పు నిరోధకత వంటి సమస్యలను వెల్లడిస్తాయి.

సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ల పారిశ్రామిక-స్థాయి ఉత్పత్తికి, ఒకే వృద్ధి పరుగుల విజయం అంతిమ లక్ష్యం కాదు. విభిన్న బ్యాచ్‌లు, సాధనాలు మరియు సమయ వ్యవధిలో పెరిగిన స్ఫటికాలు నాణ్యతలో అధిక స్థాయి స్థిరత్వం మరియు పునరావృతతను నిర్వహించేలా చేయడంలో నిజమైన సవాలు ఉంది. ఈ సందర్భంలో, టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూత యొక్క పాత్ర ప్రాథమిక రక్షణకు మించినది-ఇది ప్రక్రియ విండోను స్థిరీకరించడంలో మరియు ఉత్పత్తి దిగుబడిని కాపాడడంలో కీలక అంశం అవుతుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) PVT పెరుగుదలలో తీవ్రమైన థర్మల్ సైక్లింగ్ ఉంటుంది (గది ఉష్ణోగ్రత 2200 ℃ కంటే ఎక్కువ). థర్మల్ ఎక్స్‌పాన్షన్ (CTE) కోఎఫీషియంట్స్‌లో అసమతుల్యత కారణంగా పూత మరియు గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ మధ్య ఏర్పడే అపారమైన ఉష్ణ ఒత్తిడి, పూత జీవితకాలం మరియు అనువర్తన విశ్వసనీయతను నిర్ణయించే ప్రధాన సవాలు.

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) PVT క్రిస్టల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్‌లో, థర్మల్ ఫీల్డ్ యొక్క స్థిరత్వం మరియు ఏకరూపత నేరుగా క్రిస్టల్ వృద్ధి రేటు, లోపం సాంద్రత మరియు పదార్థ ఏకరూపతను నిర్ణయిస్తాయి. సిస్టమ్ సరిహద్దుగా, థర్మల్-ఫీల్డ్ భాగాలు ఉపరితల థర్మోఫిజికల్ లక్షణాలను ప్రదర్శిస్తాయి, దీని స్వల్ప హెచ్చుతగ్గులు అధిక-ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులలో నాటకీయంగా విస్తరించబడతాయి, చివరికి వృద్ధి ఇంటర్‌ఫేస్ వద్ద అస్థిరతకు దారితీస్తాయి.

భౌతిక ఆవిరి రవాణా (PVT) పద్ధతి ద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) స్ఫటికాలను పెంచే ప్రక్రియలో, 2000-2500 °C యొక్క అధిక ఉష్ణోగ్రత "డబుల్-ఎడ్జ్డ్ ఖడ్గం" - ఇది మూలపదార్థాల ఉత్కృష్టత మరియు రవాణాను నడుపుతున్నప్పుడు, ఇది అన్ని లోహపు మూలకాలను నాటకీయంగా తీవ్రతరం చేస్తుంది. సాంప్రదాయ గ్రాఫైట్ హాట్-జోన్ భాగాలు. ఈ మలినాలు వృద్ధి ఇంటర్‌ఫేస్‌లోకి ప్రవేశించిన తర్వాత, అవి నేరుగా క్రిస్టల్ యొక్క ప్రధాన నాణ్యతను దెబ్బతీస్తాయి. టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూతలు PVT క్రిస్టల్ వృద్ధికి "ఐచ్ఛిక ఎంపిక" కాకుండా "తప్పనిసరి ఎంపిక"గా మారడానికి ఇది ప్రాథమిక కారణం.

Veteksemicon వద్ద, మేము ఈ సవాళ్లను ప్రతిరోజూ నావిగేట్ చేస్తాము, అధునాతన అల్యూమినియం ఆక్సైడ్ సిరామిక్స్‌ను ఖచ్చితమైన స్పెసిఫికేషన్‌లకు అనుగుణంగా పరిష్కారాలుగా మార్చడంలో ప్రత్యేకత కలిగి ఉన్నాము. సరైన మ్యాచింగ్ మరియు ప్రాసెసింగ్ పద్ధతులను అర్థం చేసుకోవడం చాలా ముఖ్యం, ఎందుకంటే తప్పు విధానం ఖరీదైన వ్యర్థాలు మరియు భాగాల వైఫల్యానికి దారి తీస్తుంది. దీన్ని సాధ్యం చేసే వృత్తిపరమైన పద్ధతులను అన్వేషిద్దాం.

పొర కట్టింగ్ సమయంలో డైసింగ్ నీటిలో CO₂ను ప్రవేశపెట్టడం అనేది స్టాటిక్ ఛార్జ్ బిల్డప్ మరియు తక్కువ కాలుష్య ప్రమాదాన్ని అణిచివేసేందుకు సమర్థవంతమైన ప్రక్రియ కొలత, తద్వారా డైసింగ్ దిగుబడి మరియు దీర్ఘకాలిక చిప్ విశ్వసనీయతను మెరుగుపరుస్తుంది.

సిలికాన్ పొరలు ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు మరియు సెమీకండక్టర్ పరికరాలకు పునాది. వాటికి ఆసక్తికరమైన ఫీచర్ ఉంది - ఫ్లాట్ అంచులు లేదా వైపులా చిన్న పొడవైన కమ్మీలు .ఇది లోపం కాదు, ఉద్దేశపూర్వకంగా రూపొందించిన ఫంక్షనల్ మార్కర్. వాస్తవానికి, ఈ గీత మొత్తం తయారీ ప్రక్రియలో దిశాత్మక సూచన మరియు గుర్తింపు మార్కర్‌గా పనిచేస్తుంది.

కెమికల్ మెకానికల్ పాలిషింగ్ (CMP) రసాయన ప్రతిచర్యలు మరియు యాంత్రిక రాపిడి యొక్క మిశ్రమ చర్య ద్వారా అదనపు పదార్థం మరియు ఉపరితల లోపాలను తొలగిస్తుంది. పొర ఉపరితలం యొక్క గ్లోబల్ ప్లానరైజేషన్‌ను సాధించడానికి ఇది కీలక ప్రక్రియ మరియు బహుళస్థాయి రాగి ఇంటర్‌కనెక్ట్‌లు మరియు తక్కువ-కె డైలెక్ట్రిక్ నిర్మాణాలకు ఇది ఎంతో అవసరం. ఆచరణాత్మక తయారీలో

సిలికాన్ వేఫర్ CMP (కెమికల్ మెకానికల్ ప్లానరైజేషన్) పాలిషింగ్ స్లర్రీ అనేది సెమీకండక్టర్ తయారీ ప్రక్రియలో కీలకమైన భాగం. ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు (ICలు) మరియు మైక్రోచిప్‌లను రూపొందించడానికి ఉపయోగించే సిలికాన్ పొరలు-ఉత్పత్తి యొక్క తదుపరి దశలకు అవసరమైన సున్నితత్వం యొక్క ఖచ్చితమైన స్థాయికి పాలిష్ చేయబడేలా చేయడంలో ఇది కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది.

సెమీకండక్టర్ తయారీలో, కెమికల్ మెకానికల్ ప్లానరైజేషన్ (CMP) కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది. CMP ప్రక్రియ సిలికాన్ పొరల ఉపరితలాన్ని సున్నితంగా చేయడానికి రసాయన మరియు యాంత్రిక చర్యలను మిళితం చేస్తుంది, సన్నని-ఫిల్మ్ నిక్షేపణ మరియు ఎచింగ్ వంటి తదుపరి దశలకు ఏకరీతి పునాదిని అందిస్తుంది. CMP పాలిషింగ్ స్లర్రీ, ఈ ప్రక్రియ యొక్క ప్రధాన భాగం, పాలిషింగ్ సామర్థ్యం, ​​ఉపరితల నాణ్యత మరియు ఉత్పత్తి యొక్క తుది పనితీరును గణనీయంగా ప్రభావితం చేస్తుంది

వేఫర్ CMP పాలిషింగ్ స్లర్రీ అనేది సెమీకండక్టర్ తయారీలో CMP ప్రక్రియలో ఉపయోగించే ప్రత్యేకంగా రూపొందించబడిన ద్రవ పదార్థం. ఇది నీరు, రసాయన ఎచాంట్లు, అబ్రాసివ్‌లు మరియు సర్ఫ్యాక్టెంట్‌లను కలిగి ఉంటుంది, ఇది రసాయన చెక్కడం మరియు మెకానికల్ పాలిషింగ్ రెండింటినీ అనుమతిస్తుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ అబ్రాసివ్‌లు సాధారణంగా క్వార్ట్జ్ మరియు పెట్రోలియం కోక్‌లను ప్రాథమిక ముడి పదార్థాలుగా ఉపయోగించి ఉత్పత్తి చేస్తారు. సన్నాహక దశలో, ఈ పదార్థాలు ఫర్నేస్ ఛార్జ్‌లో రసాయనికంగా నిష్పత్తిలో ఉండే ముందు కావలసిన కణ పరిమాణాన్ని సాధించడానికి మెకానికల్ ప్రాసెసింగ్‌కు లోనవుతాయి.

గత కొన్ని సంవత్సరాలుగా, ప్యాకేజింగ్ సాంకేతికత యొక్క కేంద్ర దశ క్రమంగా "పాత సాంకేతికత" - CMP (కెమికల్ మెకానికల్ పాలిషింగ్)కి ఇవ్వబడింది. కొత్త తరం అధునాతన ప్యాకేజింగ్‌లో హైబ్రిడ్ బాండింగ్ ప్రధాన పాత్రగా మారినప్పుడు, CMP క్రమంగా తెర వెనుక నుండి వెలుగులోకి వస్తోంది.