వీకో MOCVD ప్రొవిడెన్స్

సెమీకండక్టర్ ఒప్పందాలువీకో MOCVDపొర ససెప్టర్ ఒక క్లిష్టమైన భాగం, ఇది a తో అల్ట్రాపుర్ గ్రాఫైట్ ఉపయోగించి సూక్ష్మంగా ఇంజనీరింగ్ చేయబడిందిసిలికన్ కార్బిడ్. ఇదిSic పూతఅనేక ప్రయోజనాలను అందిస్తుంది, ముఖ్యంగా సబ్‌స్ట్రేట్‌కు సమర్థవంతమైన ఉష్ణ బదిలీని అనుమతిస్తుంది. ఏకరీతి ఉష్ణోగ్రత నియంత్రణకు ఉపరితలం అంతటా సరైన ఉష్ణ పంపిణీని సాధించడం చాలా అవసరం, స్థిరమైన, అధిక-నాణ్యత సన్నని-ఫిల్మ్ నిక్షేపణను నిర్ధారిస్తుంది, ఇది సెమీకండక్టర్ పరికర కల్పనలో కీలకమైనది.

సాంకేతిక పారామితులు

భౌతిక లక్షణాల మాతృక

కీ సూచికలు వెటెక్ ప్రామాణిక సాంప్రదాయ పరిష్కారాలు

బేస్ మెటీరియల్ ప్యూరిటీ 6 ఎన్ ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్ 5 ఎన్ అచ్చుపోసిన గ్రాఫైట్

CTE మ్యాచింగ్ డిగ్రీ (25-1400 ℃) Δα ≤0.3 × 10⁻⁶/ k Δα ≥1.2 × 10⁻⁶/ k

ఉష్ణ వాహకత @800 ℃ 110 w/m · k 85 w/m · k

ఉపరితల కరుకుదనం (RA) ≤0.1μm ≥0.5μm

యాసిడ్ టాలరెన్స్ (ph = 1@80 ℃) 1500 చక్రాలు 300 చక్రాలు

కోర్ అడ్వాంటేజ్ పునర్నిర్మాణం

థర్మల్ మేనేజ్‌మెంట్ ఇన్నోవేషన్

అణు

జపాన్ టయోయో కార్బన్ గ్రాఫైట్/SGL సబ్‌స్ట్రేట్ + ప్రవణత SIC పూత

థర్మల్ సైకిల్ ఒత్తిడి 82% తగ్గింది (పగుళ్లు లేకుండా 1400 ℃↔RT 500 చక్రాలను కొలుస్తారు)

ఇంటెలిజెంట్ థర్మల్ ఫీల్డ్ డిజైన్

12-జోన్ ఉష్ణోగ్రత పరిహార నిర్మాణం: φ200 మిమీ పొర యొక్క ఉపరితలంపై ± 0.5 ℃ ఏకరూపతను సాధిస్తుంది

డైనమిక్ థర్మల్ స్పందన: ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత 5 ℃/s తాపన రేటు వద్ద ≤1.2 ℃/cm

రసాయన రక్షణ వ్యవస్థ
ట్రిపుల్ మిశ్రమ అవరోధం

50μm దట్టమైన SIC ప్రధాన రక్షణ పొర

నానోటాక్ పరివర్తన పొర (ఐచ్ఛికం)

గ్యాస్ దశ చొరబాటు సాంద్రత కలిగిన సాంద్రత

ASTM G31-21 చే ధృవీకరించబడింది:

CL బేస్ తుప్పు రేటు <0.003 మిమీ/సంవత్సరం

ధాన్యం సరిహద్దు తుప్పు లేకుండా 1000 హెచ్ కోసం NH3 బహిర్గతమైంది

ఇంటెలిజెంట్ మాన్యుఫ్యాక్చరింగ్ సిస్టమ్

డిజిటల్ ట్విన్ ప్రాసెసింగ్

ఐదు-యాక్సిస్ మ్యాచింగ్ సెంటర్: స్థానం ఖచ్చితత్వం ± 1.5μm

ఆన్‌లైన్ 3D స్కానింగ్ తనిఖీ: 100% పూర్తి పరిమాణ ధృవీకరణ (ASME Y14.5 ప్రకారం)

దృష్టాంత-ఆధారిత విలువ ప్రదర్శన

మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ ద్రవ్యరాశి ఉత్పత్తి

అప్లికేషన్ దృష్టాంతం ప్రాసెస్ పారామితులు కస్టమర్ ప్రయోజనాలు

గాన్ హెమ్ట్ 6 అంగుళాలు /150μm ఎపిటాక్సియల్ రెండు డైమెన్షనల్ ఎలక్ట్రాన్ గ్యాస్ డెన్సిటీ హెచ్చుతగ్గులు <2%

SIC MOSFET C డోపింగ్ ఏకరూపత ± 3% ప్రవేశ వోల్టేజ్ విచలనం 40% తగ్గించబడుతుంది

మైక్రో ఎల్‌ఈడీ తరంగదైర్ఘ్యం ఏకరూపత ± 1.2 ఎన్ఎమ్ చిప్ బిన్ రేటు 15% పెరిగింది

నిర్వహణ ఖర్చు ఆప్టిమైజేషన్

శుభ్రపరిచే కాలం 3 సార్లు పొడిగించబడుతుంది: HF: HNO ₃ = 1: 3 అధిక తీవ్రత శుభ్రపరచడానికి మద్దతు ఉంది

స్పేర్ పార్ట్స్ లైఫ్ ప్రిడిక్షన్ సిస్టమ్: Ai 5% యొక్క AI అల్గోరిథం ఖచ్చితత్వం

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ వీయోఇకో MOCVD షాపులు: