సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ

అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ తయారీ అధునాతన సాంకేతిక పరిజ్ఞానం మరియు పరికరాలు మరియు పరికరాల ఉపకరణాలపై ఆధారపడి ఉంటుంది. ప్రస్తుతం, ఎక్కువగా ఉపయోగించే సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ గ్రోత్ పద్ధతి రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (సివిడి). ఇది ఎపిటాక్సియల్ ఫిల్మ్ మందం మరియు డోపింగ్ గా ration త, తక్కువ లోపాలు, మితమైన వృద్ధి రేటు, ఆటోమేటిక్ ప్రాసెస్ కంట్రోల్ మొదలైన వాటి యొక్క ఖచ్చితమైన నియంత్రణ యొక్క ప్రయోజనాలను కలిగి ఉంది మరియు ఇది వాణిజ్యపరంగా విజయవంతంగా వర్తించే నమ్మకమైన సాంకేతికత.

సిలికాన్ కార్బైడ్ సివిడి ఎపిటాక్సీ సాధారణంగా వేడి గోడ లేదా వెచ్చని గోడ సివిడి పరికరాలను అవలంబిస్తుంది, ఇది అధిక వృద్ధి ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులలో (1500 ~ 1700 ℃) ఎపిటాక్సీ పొర 4 హెచ్ స్ఫటికాకార సిక్ యొక్క కొనసాగింపును నిర్ధారిస్తుంది (1500 ~ 1700 ℃), అభివృద్ధి యొక్క సంవత్సరాల తరువాత వేడి గోడ లేదా వెచ్చని గోడ సివిడి, ఇన్లెట్ గాలి ప్రవాహ దిశ మరియు ఉపరితల ఉపరితలం మధ్య ఉన్న సంబంధం ప్రకారం, రియాక్ట్ మరియు ప్రతిచర్య ఉపరితలం.

SIC ఎపిటాక్సియల్ కొలిమి యొక్క నాణ్యతకు మూడు ప్రధాన సూచికలు ఉన్నాయి, మొదటిది ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధి పనితీరు, వీటిలో మందం ఏకరూపత, డోపింగ్ ఏకరూపత, లోపం రేటు మరియు వృద్ధి రేటు; రెండవది తాపన/శీతలీకరణ రేటు, గరిష్ట ఉష్ణోగ్రత, ఉష్ణోగ్రత ఏకరూపతతో సహా పరికరాల ఉష్ణోగ్రత పనితీరు; చివరగా, ఒకే యూనిట్ యొక్క ధర మరియు సామర్థ్యంతో సహా పరికరాల ఖర్చు పనితీరు.

మూడు రకాల సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ కొలిమి మరియు కోర్ ఉపకరణాలు తేడాలు

హాట్ వాల్ క్షితిజ సమాంతర CVD (LPE కంపెనీ యొక్క సాధారణ మోడల్ PE1O6), వెచ్చని గోడ గ్రహాల CVD (సాధారణ మోడల్ AIXTRON G5WWC/G10) మరియు పాక్షిక-వేడి గోడ CVD (నుఫ్లేర్ కంపెనీ యొక్క EPIREVOS6 చే ప్రాతినిధ్యం వహిస్తున్నవి) ఈ దశలో ప్రధానమైన ఎపిటాక్సియల్ ఎక్విప్మెంట్ టెక్నికల్ సొల్యూషన్స్. మూడు సాంకేతిక పరికరాలు కూడా వాటి స్వంత లక్షణాలను కలిగి ఉన్నాయి మరియు డిమాండ్ ప్రకారం ఎంచుకోవచ్చు. వాటి నిర్మాణం ఈ క్రింది విధంగా చూపబడింది:

సంబంధిత కోర్ భాగాలు ఈ క్రింది విధంగా ఉన్నాయి:

(ఎ) హాట్ వాల్ క్షితిజ సమాంతర రకం కోర్ పార్ట్- హాఫ్‌మూన్ భాగాలు ఉంటాయి

దిగువ ఇన్సులేషన్

ప్రధాన ఇన్సులేషన్ ఎగువ

ఎగువ సగం మేన్

అప్‌స్ట్రీమ్ ఇన్సులేషన్

పరివర్తన ముక్క 2

పరివర్తన ముక్క 1

బాహ్య గాలి నాజిల్

దెబ్బతిన్న స్నార్కెల్

బయటి బయటి లోయ

ఆర్గాన్ గ్యాస్ నాజిల్

పొర మద్దతు ప్లేట్

సెంటరింగ్ పిన్

సెంట్రల్ గార్డ్

దిగువ ఎడమ రక్షణ కవర్

దిగువ కుడి రక్షణ కవర్

అప్‌స్ట్రీమ్ ఎడమ రక్షణ కవర్

అప్‌స్ట్రీమ్ కుడి రక్షణ కవర్

సైడ్ వాల్

గ్రాఫైట్ రింగ్

రక్షణ అనుభూతి

సహాయక అనుభూతి

కాంటాక్ట్ బ్లాక్

గ్యాస్ అవుట్లెట్ సిలిండర్

(బి) వెచ్చని గోడ గ్రహ రకం

SIC పూత ప్లానెటరీ డిస్క్ & TAC కోటెడ్ ప్లానెటరీ డిస్క్

(సి) పాక్షిక-థర్మల్ వాల్ స్టాండింగ్ రకం

నుఫ్లేర్ (జపాన్): ఈ సంస్థ డ్యూయల్-ఛాంబర్ నిలువు కొలిమిలను అందిస్తుంది, ఇది ఉత్పత్తి దిగుబడికి దోహదం చేస్తుంది. ఈ పరికరాలు నిమిషానికి 1000 విప్లవాల యొక్క హై-స్పీడ్ భ్రమణాన్ని కలిగి ఉంటాయి, ఇది ఎపిటాక్సియల్ ఏకరూపతకు చాలా ప్రయోజనకరంగా ఉంటుంది. అదనంగా, దాని వాయు ప్రవాహ దిశ ఇతర పరికరాల నుండి భిన్నంగా ఉంటుంది, ఇది నిలువుగా క్రిందికి ఉంటుంది, తద్వారా కణాల ఉత్పత్తిని తగ్గిస్తుంది మరియు లాఫర్లపై పడే కణ బిందువుల సంభావ్యతను తగ్గిస్తుంది. మేము ఈ పరికరాల కోసం కోర్ SIC పూత గ్రాఫైట్ భాగాలను అందిస్తాము.

SIC ఎపిటాక్సియల్ పరికరాల భాగాల సరఫరాదారుగా, SIC ఎపిటాక్సీ యొక్క విజయవంతమైన అమలుకు మద్దతుగా వినియోగదారులకు అధిక-నాణ్యత పూత భాగాలను అందించడానికి వెటెక్ సెమీకండక్టర్ కట్టుబడి ఉంది.

View as

CVD SIC పూత నాజిల్

సెమీకండక్టర్ తయారీ సమయంలో సిలికాన్ కార్బైడ్ పదార్థాలను జమ చేయడానికి LPE SIC EPITAXY ప్రక్రియలో CVD SIC పూత నాజిల్స్ కీలకమైన భాగాలు. ఈ నాజిల్స్ సాధారణంగా కఠినమైన ప్రాసెసింగ్ పరిసరాలలో స్థిరత్వాన్ని నిర్ధారించడానికి అధిక-ఉష్ణోగ్రత మరియు రసాయనికంగా స్థిరమైన సిలికాన్ కార్బైడ్ పదార్థంతో తయారు చేయబడతాయి. ఏకరీతి నిక్షేపణ కోసం రూపొందించబడిన, సెమీకండక్టర్ అనువర్తనాల్లో పెరిగిన ఎపిటాక్సియల్ పొరల నాణ్యత మరియు ఏకరూపతను నియంత్రించడంలో అవి కీలక పాత్ర పోషిస్తాయి. మీ తదుపరి విచారణను స్వాగతించండి.

మరిన్ని చూడండి >> విచారణ పంపండి >>

సివిడి సిఐసి పూత రక్షకుడు

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ యొక్క సివిడి సిక్ కోటింగ్ ప్రొటెక్టర్ LPE SIC ఎపిటాక్సీ, "LPE" అనే పదం సాధారణంగా తక్కువ పీడన రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (LPCVD) లో తక్కువ పీడన ఎపిటాక్సీ (LPE) ను సూచిస్తుంది. సెమీకండక్టర్ తయారీలో, సింగిల్ క్రిస్టల్ సన్నని చలనచిత్రాలను పెంచడానికి LPE ఒక ముఖ్యమైన ప్రాసెస్ టెక్నాలజీ, ఇది తరచుగా సిలికాన్ ఎపిటాక్సియల్ పొరలు లేదా ఇతర సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సియల్ పొరలను పెంచడానికి ఉపయోగిస్తారు. Pls మరిన్ని ప్రశ్నల కోసం మమ్మల్ని సంప్రదించడానికి వెనుకాడరు.

మరిన్ని చూడండి >> విచారణ పంపండి >>

Sic పూత గల పీఠం

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ CVD SIC పూతను కల్పించడంలో ప్రొఫెషనల్, గ్రాఫైట్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ పదార్థంపై TAC పూత. మేము OEM మరియు ODM ఉత్పత్తులను SIC కోటెడ్ పీఠం, పొర క్యారియర్, పొర చక్, పొర క్యారియర్ ట్రే, ప్లానెటరీ డిస్క్ మరియు 1000 గ్రేడ్ క్లీన్ రూమ్ మరియు ప్యూరిఫికేషన్ పరికరంతో అందిస్తాము, మేము మీకు 5pppm కంటే తక్కువ అశుద్ధతను అందించగలము. త్వరలో మీ నుండి.

మరిన్ని చూడండి >> విచారణ పంపండి >>

Sic పూత ఇన్లెట్ రింగ్

Vetek సెమీకండక్టర్ నిర్దిష్ట అవసరాలకు అనుగుణంగా SiC కోటింగ్ ఇన్‌లెట్ రింగ్ కోసం బెస్పోక్ డిజైన్‌లను రూపొందించడానికి క్లయింట్‌లతో సన్నిహితంగా సహకరించడంలో అద్భుతంగా ఉంది. ఈ SiC కోటింగ్ ఇన్‌లెట్ రింగ్ CVD SiC పరికరాలు మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ వంటి విభిన్న అప్లికేషన్‌ల కోసం నిశితంగా రూపొందించబడింది. రూపొందించిన SiC కోటింగ్ ఇన్‌లెట్ రింగ్ సొల్యూషన్‌ల కోసం, వ్యక్తిగతీకరించిన సహాయం కోసం Vetek సెమీకండక్టర్‌ని సంప్రదించడానికి వెనుకాడకండి.

మరిన్ని చూడండి >> విచారణ పంపండి >>

ప్రీ-హీట్ రింగ్

ప్రీ-హీట్ రింగ్ సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియలో పొరలను వేడి చేయడానికి మరియు పొరల ఉష్ణోగ్రత మరింత స్థిరంగా మరియు ఏకరీతిగా చేయడానికి ఉపయోగించబడుతుంది, ఇది ఎపిటాక్సీ పొరల యొక్క అధిక-నాణ్యత పెరుగుదలకు చాలా ప్రాముఖ్యత కలిగి ఉంది. అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద మలినాలను అస్థిరతను నివారించడానికి వెటెక్ సెమీకండక్టర్ ఈ ఉత్పత్తి యొక్క స్వచ్ఛతను ఖచ్చితంగా నియంత్రిస్తుంది. మాతో మరింత చర్చించటానికి వెల్లీమ్.

మరిన్ని చూడండి >> విచారణ పంపండి >>

పొర లిఫ్ట్ పిన్

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ చైనాలో ఒక ప్రముఖ EPI పొర లిఫ్ట్ పిన్ తయారీదారు మరియు ఆవిష్కర్త. మేము చాలా సంవత్సరాలుగా గ్రాఫైట్ యొక్క ఉపరితలంపై SIC పూతలో ప్రత్యేకత కలిగి ఉన్నాము. మేము EPI ప్రక్రియ కోసం EPI పొర లిఫ్ట్ పిన్ను అందిస్తున్నాము. అధిక నాణ్యత మరియు పోటీ ధరతో, చైనాలోని మా ఫ్యాక్టరీని సందర్శించడానికి మేము మిమ్మల్ని స్వాగతిస్తున్నాము.

మరిన్ని చూడండి >> విచారణ పంపండి >>

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.

Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.

Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs, IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.

Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.

To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.

చైనాలో ప్రొఫెషనల్ సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ తయారీదారు మరియు సరఫరాదారుగా, మాకు మా స్వంత కర్మాగారం ఉంది. మీ ప్రాంతం యొక్క నిర్దిష్ట అవసరాలను తీర్చడానికి మీకు అనుకూలీకరించిన సేవలు అవసరమా లేదా చైనాలో తయారు చేసిన అధునాతన మరియు మన్నికైన {77 by కొనాలనుకుంటున్నారా, మీరు మాకు సందేశాన్ని పంపవచ్చు.

QR కోడ్

మా గురించి

ఉత్పత్తులు

మమ్మల్ని సంప్రదించండి

ఫోన్
+86-18069220752
ఫ్యాక్స్
+86-579-87223657
ఇ-మెయిల్
anny@veteksemi.com
చిరునామా
వాంగ్డా రోడ్, జియాంగ్ స్ట్రీట్, వుయి కౌంటీ, జిన్హువా సిటీ, జెజియాంగ్ ప్రావిన్స్, చైనా

వెబ్ మెనూ

ఉత్పత్తి శోధన

భాష

నిష్క్రమించు మెను

సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ

మూడు రకాల సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ కొలిమి మరియు కోర్ ఉపకరణాలు తేడాలు

సంబంధిత కోర్ భాగాలు ఈ క్రింది విధంగా ఉన్నాయి:

(ఎ) హాట్ వాల్ క్షితిజ సమాంతర రకం కోర్ పార్ట్- హాఫ్‌మూన్ భాగాలు ఉంటాయి

(బి) వెచ్చని గోడ గ్రహ రకం

(సి) పాక్షిక-థర్మల్ వాల్ స్టాండింగ్ రకం

CVD SIC పూత నాజిల్

సివిడి సిఐసి పూత రక్షకుడు

Sic పూత గల పీఠం

Sic పూత ఇన్లెట్ రింగ్

ప్రీ-హీట్ రింగ్

పొర లిఫ్ట్ పిన్

విచారణ పంపండి

QR కోడ్

మా గురించి

ఉత్పత్తులు

మమ్మల్ని సంప్రదించండి

ఫోన్

ఫ్యాక్స్

ఇ-మెయిల్

చిరునామా