QR కోడ్

మా గురించి
ఉత్పత్తులు
మమ్మల్ని సంప్రదించండి
ఫోన్
ఫ్యాక్స్
+86-579-87223657
ఇ-మెయిల్
చిరునామా
వాంగ్డా రోడ్, జియాంగ్ స్ట్రీట్, వుయి కౌంటీ, జిన్హువా సిటీ, జెజియాంగ్ ప్రావిన్స్, చైనా
అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ తయారీ అధునాతన సాంకేతిక పరిజ్ఞానం మరియు పరికరాలు మరియు పరికరాల ఉపకరణాలపై ఆధారపడి ఉంటుంది. ప్రస్తుతం, ఎక్కువగా ఉపయోగించే సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ గ్రోత్ పద్ధతి రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (సివిడి). ఇది ఎపిటాక్సియల్ ఫిల్మ్ మందం మరియు డోపింగ్ గా ration త, తక్కువ లోపాలు, మితమైన వృద్ధి రేటు, ఆటోమేటిక్ ప్రాసెస్ కంట్రోల్ మొదలైన వాటి యొక్క ఖచ్చితమైన నియంత్రణ యొక్క ప్రయోజనాలను కలిగి ఉంది మరియు ఇది వాణిజ్యపరంగా విజయవంతంగా వర్తించే నమ్మకమైన సాంకేతికత.
సిలికాన్ కార్బైడ్ సివిడి ఎపిటాక్సీ సాధారణంగా వేడి గోడ లేదా వెచ్చని గోడ సివిడి పరికరాలను అవలంబిస్తుంది, ఇది అధిక వృద్ధి ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులలో (1500 ~ 1700 ℃) ఎపిటాక్సీ పొర 4 హెచ్ స్ఫటికాకార సిక్ యొక్క కొనసాగింపును నిర్ధారిస్తుంది (1500 ~ 1700 ℃), అభివృద్ధి యొక్క సంవత్సరాల తరువాత వేడి గోడ లేదా వెచ్చని గోడ సివిడి, ఇన్లెట్ గాలి ప్రవాహ దిశ మరియు ఉపరితల ఉపరితలం మధ్య ఉన్న సంబంధం ప్రకారం, రియాక్ట్ మరియు ప్రతిచర్య ఉపరితలం.
SIC ఎపిటాక్సియల్ కొలిమి యొక్క నాణ్యతకు మూడు ప్రధాన సూచికలు ఉన్నాయి, మొదటిది ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధి పనితీరు, వీటిలో మందం ఏకరూపత, డోపింగ్ ఏకరూపత, లోపం రేటు మరియు వృద్ధి రేటు; రెండవది తాపన/శీతలీకరణ రేటు, గరిష్ట ఉష్ణోగ్రత, ఉష్ణోగ్రత ఏకరూపతతో సహా పరికరాల ఉష్ణోగ్రత పనితీరు; చివరగా, ఒకే యూనిట్ యొక్క ధర మరియు సామర్థ్యంతో సహా పరికరాల ఖర్చు పనితీరు.
హాట్ వాల్ క్షితిజ సమాంతర CVD (LPE కంపెనీ యొక్క సాధారణ మోడల్ PE1O6), వెచ్చని గోడ గ్రహాల CVD (సాధారణ మోడల్ AIXTRON G5WWC/G10) మరియు పాక్షిక-వేడి గోడ CVD (నుఫ్లేర్ కంపెనీ యొక్క EPIREVOS6 చే ప్రాతినిధ్యం వహిస్తున్నవి) ఈ దశలో ప్రధానమైన ఎపిటాక్సియల్ ఎక్విప్మెంట్ టెక్నికల్ సొల్యూషన్స్. మూడు సాంకేతిక పరికరాలు కూడా వాటి స్వంత లక్షణాలను కలిగి ఉన్నాయి మరియు డిమాండ్ ప్రకారం ఎంచుకోవచ్చు. వాటి నిర్మాణం ఈ క్రింది విధంగా చూపబడింది:
దిగువ ఇన్సులేషన్
ప్రధాన ఇన్సులేషన్ ఎగువ
ఎగువ సగం మేన్
అప్స్ట్రీమ్ ఇన్సులేషన్
పరివర్తన ముక్క 2
పరివర్తన ముక్క 1
బాహ్య గాలి నాజిల్
దెబ్బతిన్న స్నార్కెల్
బయటి బయటి లోయ
ఆర్గాన్ గ్యాస్ నాజిల్
పొర మద్దతు ప్లేట్
సెంటరింగ్ పిన్
సెంట్రల్ గార్డ్
దిగువ ఎడమ రక్షణ కవర్
దిగువ కుడి రక్షణ కవర్
అప్స్ట్రీమ్ ఎడమ రక్షణ కవర్
అప్స్ట్రీమ్ కుడి రక్షణ కవర్
సైడ్ వాల్
గ్రాఫైట్ రింగ్
రక్షణ అనుభూతి
సహాయక అనుభూతి
కాంటాక్ట్ బ్లాక్
గ్యాస్ అవుట్లెట్ సిలిండర్
SIC పూత ప్లానెటరీ డిస్క్ & TAC కోటెడ్ ప్లానెటరీ డిస్క్
నుఫ్లేర్ (జపాన్): ఈ సంస్థ డ్యూయల్-ఛాంబర్ నిలువు కొలిమిలను అందిస్తుంది, ఇది ఉత్పత్తి దిగుబడికి దోహదం చేస్తుంది. ఈ పరికరాలు నిమిషానికి 1000 విప్లవాల యొక్క హై-స్పీడ్ భ్రమణాన్ని కలిగి ఉంటాయి, ఇది ఎపిటాక్సియల్ ఏకరూపతకు చాలా ప్రయోజనకరంగా ఉంటుంది. అదనంగా, దాని వాయు ప్రవాహ దిశ ఇతర పరికరాల నుండి భిన్నంగా ఉంటుంది, ఇది నిలువుగా క్రిందికి ఉంటుంది, తద్వారా కణాల ఉత్పత్తిని తగ్గిస్తుంది మరియు లాఫర్లపై పడే కణ బిందువుల సంభావ్యతను తగ్గిస్తుంది. మేము ఈ పరికరాల కోసం కోర్ SIC పూత గ్రాఫైట్ భాగాలను అందిస్తాము.
SIC ఎపిటాక్సియల్ పరికరాల భాగాల సరఫరాదారుగా, SIC ఎపిటాక్సీ యొక్క విజయవంతమైన అమలుకు మద్దతుగా వినియోగదారులకు అధిక-నాణ్యత పూత భాగాలను అందించడానికి వెటెక్ సెమీకండక్టర్ కట్టుబడి ఉంది.
Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.
Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.
Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs, IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.
Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.
To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.
+86-579-87223657
వాంగ్డా రోడ్, జియాంగ్ స్ట్రీట్, వుయి కౌంటీ, జిన్హువా సిటీ, జెజియాంగ్ ప్రావిన్స్, చైనా
కాపీరైట్ © 2024 వెటెక్ సెమీకండక్టర్ టెక్నాలజీ కో., లిమిటెడ్. అన్ని హక్కులూ ప్రత్యేకించుకోవడమైనది.
Links | Sitemap | RSS | XML | Privacy Policy |