పరిశ్రమ వార్తలు

CVD TAC పూత అనేది ఒక ఉపరితలంపై (గ్రాఫైట్) దట్టమైన మరియు మన్నికైన పూతను ఏర్పరచడానికి ఒక ప్రక్రియ. ఈ పద్ధతిలో అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద ఉపరితల ఉపరితలంపై TaC ని నిక్షిప్తం చేయడం జరుగుతుంది, దీని ఫలితంగా అద్భుతమైన ఉష్ణ స్థిరత్వం మరియు రసాయన నిరోధకతతో టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూత వస్తుంది.

8-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) ప్రక్రియ పరిపక్వం చెందడంతో, తయారీదారులు 6-అంగుళాల నుండి 8-అంగుళాలకు మారడాన్ని వేగవంతం చేస్తున్నారు. ఇటీవల, ON సెమీకండక్టర్ మరియు రెసోనాక్ 8-అంగుళాల SiC ఉత్పత్తిపై నవీకరణలను ప్రకటించాయి.

ఈ కథనం ఇటాలియన్ కంపెనీ LPE యొక్క కొత్తగా రూపొందించిన PE1O8 హాట్-వాల్ CVD రియాక్టర్‌లో తాజా పరిణామాలను మరియు 200mm SiCలో ఏకరీతి 4H-SiC ఎపిటాక్సీని నిర్వహించగల సామర్థ్యాన్ని పరిచయం చేస్తుంది.

పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్, ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు ఇతర రంగాలలో SIC పదార్థాల కోసం పెరుగుతున్న డిమాండ్తో, SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ టెక్నాలజీ అభివృద్ధి శాస్త్రీయ మరియు సాంకేతిక ఆవిష్కరణల యొక్క ముఖ్య ప్రాంతంగా మారుతుంది. SIC సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ పరికరాల ప్రధానమైనదిగా, థర్మల్ ఫీల్డ్ డిజైన్ విస్తృతమైన శ్రద్ధ మరియు లోతైన పరిశోధనలను పొందుతుంది.

నిరంతర సాంకేతిక పురోగతి మరియు లోతైన మెకానిజం పరిశోధన ద్వారా, 3C-SIC హెటెరోపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీ సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో మరింత ముఖ్యమైన పాత్ర పోషిస్తుందని మరియు అధిక-సామర్థ్య ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల అభివృద్ధిని ప్రోత్సహిస్తుందని భావిస్తున్నారు.

ప్రాదేశిక ALD, ప్రాదేశికంగా వేరుచేయబడిన పరమాణు పొర నిక్షేపణ. పొర వేర్వేరు స్థానాల మధ్య కదులుతుంది మరియు ప్రతి స్థానం వద్ద వేర్వేరు పూర్వగాములకు బహిర్గతమవుతుంది. దిగువ బొమ్మ సాంప్రదాయ ALD మరియు ప్రాదేశికంగా వేరు చేయబడిన ALD మధ్య పోలిక.