CVD TaC కోటింగ్ ప్లానెటరీ SiC ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్

Aixtron ప్లానెటరీ రియాక్టర్ అత్యంత అధునాతనమైనదిMOCVD పరికరాలు. అనేక రియాక్టర్ తయారీదారులకు ఇది ఒక అభ్యాస టెంప్లేట్‌గా మారింది. క్షితిజసమాంతర లామినార్ ఫ్లో రియాక్టర్ సూత్రం ఆధారంగా, ఇది వివిధ పదార్థాల మధ్య స్పష్టమైన పరివర్తనను నిర్ధారిస్తుంది మరియు నిర్దిష్ట పరిస్థితులలో తిరిగే పొరపై జమ చేస్తూ ఒకే పరమాణు పొర ప్రాంతంలో నిక్షేపణ రేటుపై అసమానమైన నియంత్రణను కలిగి ఉంటుంది. 

వీటిలో అత్యంత క్లిష్టమైనది బహుళ భ్రమణ విధానం: రియాక్టర్ CVD TaC పూత ప్లానెటరీ SiC ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్ యొక్క బహుళ భ్రమణాలను స్వీకరిస్తుంది. ఈ భ్రమణం పొరను ప్రతిచర్య సమయంలో ప్రతిచర్య వాయువుకు సమానంగా బహిర్గతం చేయడానికి అనుమతిస్తుంది, తద్వారా పొరపై జమ చేసిన పదార్థం పొర మందం, కూర్పు మరియు డోపింగ్‌లో అద్భుతమైన ఏకరూపతను కలిగి ఉండేలా చేస్తుంది.

TaC సిరామిక్ అనేది అధిక మెల్టింగ్ పాయింట్ (3880°C), అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత, విద్యుత్ వాహకత, అధిక కాఠిన్యం మరియు ఇతర అద్భుతమైన లక్షణాలతో కూడిన అధిక పనితీరు కలిగిన పదార్థం, అత్యంత ముఖ్యమైనది తుప్పు నిరోధకత మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకత. SiC మరియు గ్రూప్ III నైట్రైడ్ సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ యొక్క ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల పరిస్థితుల కోసం, TaC అద్భుతమైన రసాయన జడత్వం కలిగి ఉంది. కాబట్టి, CVD పద్ధతి ద్వారా తయారు చేయబడిన CVD TaC కోటింగ్ ప్లానెటరీ SiC ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్‌లో స్పష్టమైన ప్రయోజనాలు ఉన్నాయి.SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలప్రక్రియ.

TaC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ యొక్క క్రాస్-సెక్షన్ యొక్క SEM చిత్రం

●  అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత:SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల ఉష్ణోగ్రత 1500℃ - 1700℃ లేదా అంతకంటే ఎక్కువ. TaC యొక్క ద్రవీభవన స్థానం దాదాపు 4000℃ వరకు ఉంటుంది. తర్వాతTaC పూతగ్రాఫైట్ ఉపరితలంపై వర్తించబడుతుందిగ్రాఫైట్ భాగాలుఅధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద మంచి స్థిరత్వాన్ని నిర్వహించగలదు, SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల యొక్క అధిక ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులను తట్టుకోగలదు మరియు ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధి ప్రక్రియ యొక్క మృదువైన పురోగతిని నిర్ధారిస్తుంది.

●  మెరుగైన తుప్పు నిరోధకత:TaC పూత మంచి రసాయన స్థిరత్వాన్ని కలిగి ఉంటుంది, గ్రాఫైట్‌తో సంబంధం నుండి ఈ రసాయన వాయువులను సమర్థవంతంగా వేరు చేస్తుంది, గ్రాఫైట్ తుప్పు పట్టకుండా నిరోధిస్తుంది మరియు గ్రాఫైట్ భాగాల సేవా జీవితాన్ని పొడిగిస్తుంది.

●  మెరుగైన ఉష్ణ వాహకత:TaC పూత గ్రాఫైట్ యొక్క ఉష్ణ వాహకతను మెరుగుపరుస్తుంది, తద్వారా గ్రాఫైట్ భాగాల ఉపరితలంపై వేడి మరింత సమానంగా పంపిణీ చేయబడుతుంది, SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలకు స్థిరమైన ఉష్ణోగ్రత వాతావరణాన్ని అందిస్తుంది. ఇది SiC ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క పెరుగుదల ఏకరూపతను మెరుగుపరచడంలో సహాయపడుతుంది.

●  అశుద్ధ కాలుష్యాన్ని తగ్గించండి:TaC పూత SiCతో ప్రతిస్పందించదు మరియు గ్రాఫైట్ భాగాలలోని అశుద్ధ మూలకాలు SiC ఎపిటాక్సియల్ పొరలోకి వ్యాపించకుండా నిరోధించడానికి సమర్థవంతమైన అవరోధంగా ఉపయోగపడుతుంది, తద్వారా SiC ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క స్వచ్ఛత మరియు పనితీరు మెరుగుపడుతుంది.

VeTek సెమీకండక్టర్ CVD TaC కోటింగ్ ప్లానెటరీ SiC ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్‌ని తయారు చేయడంలో సామర్ధ్యం కలిగి ఉంది మరియు వినియోగదారులకు అత్యంత అనుకూలీకరించిన ఉత్పత్తులను అందించగలదు. మేము మీ విచారణ కోసం ఎదురు చూస్తున్నాము.

యొక్క భౌతిక లక్షణాలుటాంటాలమ్ కార్బైడ్ పూత 

VeTek సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తి దుకాణాలు