CVD TaC కోటింగ్ ప్లానెటరీ SiC ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్

ఐక్స్ట్రాన్ ప్లానెటరీ రియాక్టర్ అత్యంత అధునాతనమైనదిMOCVD పరికరాలు. ఇది చాలా మంది రియాక్టర్ తయారీదారులకు అభ్యాస మూసగా మారింది. క్షితిజ సమాంతర లామినార్ ఫ్లో రియాక్టర్ యొక్క సూత్రం ఆధారంగా, ఇది వేర్వేరు పదార్థాల మధ్య స్పష్టమైన పరివర్తనను నిర్ధారిస్తుంది మరియు ఒకే అణు పొర ప్రాంతంలో నిక్షేపణ రేటుపై అసమానమైన నియంత్రణను కలిగి ఉంటుంది, నిర్దిష్ట పరిస్థితులలో తిరిగే పొరపై జమ చేస్తుంది. 

వీటిలో చాలా క్లిష్టమైనవి బహుళ భ్రమణ విధానం: రియాక్టర్ CVD TAC పూత గ్రహాల యొక్క బహుళ భ్రమణాలను అవలంబిస్తుంది. ఈ భ్రమణం ప్రతిచర్య సమయంలో పొరను ప్రతిచర్య వాయువుకు సమానంగా బహిర్గతం చేయడానికి అనుమతిస్తుంది, తద్వారా పొరపై జమ చేసిన పదార్థం పొర మందం, కూర్పు మరియు డోపింగ్‌లో అద్భుతమైన ఏకరూపతను కలిగి ఉంటుందని నిర్ధారిస్తుంది.

TaC సిరామిక్ అనేది అధిక మెల్టింగ్ పాయింట్ (3880°C), అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత, విద్యుత్ వాహకత, అధిక కాఠిన్యం మరియు ఇతర అద్భుతమైన లక్షణాలతో కూడిన అధిక పనితీరు కలిగిన పదార్థం, అత్యంత ముఖ్యమైనది తుప్పు నిరోధకత మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకత. SiC మరియు గ్రూప్ III నైట్రైడ్ సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ యొక్క ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల పరిస్థితుల కోసం, TaC అద్భుతమైన రసాయన జడత్వం కలిగి ఉంది. కాబట్టి, CVD పద్ధతి ద్వారా తయారు చేయబడిన CVD TaC కోటింగ్ ప్లానెటరీ SiC ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్‌లో స్పష్టమైన ప్రయోజనాలు ఉన్నాయి.SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలప్రక్రియ.

TaC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ యొక్క క్రాస్-సెక్షన్ యొక్క SEM చిత్రం

●  అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత:SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల ఉష్ణోగ్రత 1500℃ - 1700℃ లేదా అంతకంటే ఎక్కువ. TaC యొక్క ద్రవీభవన స్థానం దాదాపు 4000℃ వరకు ఉంటుంది. తర్వాతTAC పూతగ్రాఫైట్ ఉపరితలానికి వర్తించబడుతుందిగ్రాఫైట్ భాగాలుఅధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద మంచి స్థిరత్వాన్ని కొనసాగించగలదు, SIC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల యొక్క అధిక ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితులను తట్టుకోగలదు మరియు ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల ప్రక్రియ యొక్క సున్నితమైన పురోగతిని నిర్ధారిస్తుంది.

●  మెరుగైన తుప్పు నిరోధకత: TAC పూత మంచి రసాయన స్థిరత్వాన్ని కలిగి ఉంది, ఈ రసాయన వాయువులను గ్రాఫైట్‌తో పరిచయం నుండి సమర్థవంతంగా వేరు చేస్తుంది, గ్రాఫైట్ క్షీణించకుండా నిరోధిస్తుంది మరియు గ్రాఫైట్ భాగాల సేవా జీవితాన్ని విస్తరిస్తుంది.

●  మెరుగైన ఉష్ణ వాహకత: TAC పూత గ్రాఫైట్ యొక్క ఉష్ణ వాహకతను మెరుగుపరుస్తుంది, తద్వారా గ్రాఫైట్ భాగాల ఉపరితలంపై వేడిని మరింత సమానంగా పంపిణీ చేయవచ్చు, SIC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలకు స్థిరమైన ఉష్ణోగ్రత వాతావరణాన్ని అందిస్తుంది. ఇది SIC ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క పెరుగుదల ఏకరూపతను మెరుగుపరచడానికి సహాయపడుతుంది.

●  అశుద్ధ కాలుష్యాన్ని తగ్గించండి: TAC పూత SIC తో ప్రతిస్పందించదు మరియు గ్రాఫైట్ భాగాలలోని అశుద్ధ అంశాలను SIC ఎపిటాక్సియల్ పొరలోకి విస్తరించకుండా నిరోధించడానికి ప్రభావవంతమైన అవరోధంగా ఉపయోగపడుతుంది, తద్వారా SIC ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క స్వచ్ఛత మరియు పనితీరును మెరుగుపరుస్తుంది.

VeTek సెమీకండక్టర్ CVD TaC కోటింగ్ ప్లానెటరీ SiC ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్‌ను తయారు చేయడంలో సామర్ధ్యం కలిగి ఉంది మరియు వినియోగదారులకు అత్యంత అనుకూలీకరించిన ఉత్పత్తులను అందించగలదు. మేము మీ విచారణ కోసం ఎదురు చూస్తున్నాము.

యొక్క భౌతిక లక్షణాలుటాంటాలమ్ కార్బైడ్ పూత 

వెటెక్ సెమ్కాండక్టర్ ఉత్పత్తి