CVD TAC పూత మూడు-పెటల్ గైడ్ రింగ్

సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్ పదార్థం ఒక రకమైన క్రిస్టల్ పదార్థం, ఇది విస్తృత బ్యాండ్‌గ్యాప్ సెమీకండక్టర్ పదార్థానికి చెందినది. ఇది అధిక వోల్టేజ్ నిరోధకత, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, అధిక పౌన frequency పున్యం, తక్కువ నష్టం మొదలైన ప్రయోజనాలను కలిగి ఉంది. ఇది అధిక-శక్తి శక్తి ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలు మరియు మైక్రోవేవ్ రేడియో ఫ్రీక్వెన్సీ పరికరాల తయారీకి ఒక ప్రాథమిక పదార్థం. ప్రస్తుతం, పెరుగుతున్న SIC స్ఫటికాలకు ప్రధాన పద్ధతులు భౌతిక ఆవిరి రవాణా (పివిటి పద్ధతి), అధిక ఉష్ణోగ్రత రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (హెచ్‌టిసివిడి పద్ధతి), ద్రవ దశ పద్ధతి, మొదలైనవి.

భౌతిక ఆవిరి రవాణా (పివిటి) పద్ధతి పెద్ద -స్థాయి పారిశ్రామిక ఉత్పత్తికి బాగా సరిపోయే సాంకేతికత. ఈ ప్రక్రియలో, ఒక సిక్ సీడ్ క్రిస్టల్ క్రూసిబుల్ పైభాగంలో ఉంచబడుతుంది, అయితే సిక్ పౌడర్, ముడి పదార్థంగా పనిచేస్తుంది, క్రూసిబుల్ అడుగున ఉంచబడుతుంది. మూసివేసిన వాతావరణంలో అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు తక్కువ పీడనం యొక్క పరిస్థితులలో, SIC పౌడర్ సబ్లిమేట్ అవుతుంది. ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత మరియు ఏకాగ్రత వ్యత్యాసం ద్వారా నడిచే, సబ్లిమేటెడ్ జాతులు విత్తన క్రిస్టల్ సమీపంలో ఉన్న ప్రాంతం వైపు పైకి కదులుతాయి. ఒకసారి సూపర్ఆచురేటెడ్ స్థితికి చేరుకున్న తర్వాత, పున ry స్థాపన జరుగుతుంది, ఇది ఎదిగిన SIC స్ఫటికాల పరిమాణం మరియు నిర్దిష్ట క్రిస్టల్ రకంపై ఖచ్చితమైన నియంత్రణను అనుమతిస్తుంది.

CVD TAC పూత మూడు - పెటల్ గైడ్ రింగ్ బహుళ కీలకమైన విధులను అందిస్తుంది. ప్రధానంగా, ఇది వాయువు ప్రవాహానికి మార్గనిర్దేశం చేయడం ద్వారా ద్రవ మెకానిక్‌లను పెంచుతుంది, క్రిస్టల్ పెరుగుదల ప్రాంతం ఏకరీతి వాతావరణానికి గురవుతుందని నిర్ధారిస్తుంది. అదనంగా, ఇది SIC క్రిస్టల్ పెరుగుదల ప్రక్రియలో వేడిని సమర్థవంతంగా చెదరగొడుతుంది. తగిన ఉష్ణోగ్రత ప్రవణతను నిర్వహించడం ద్వారా, ఇది SIC స్ఫటికాల పెరుగుదల పరిస్థితులను ఆప్టిమైజ్ చేస్తుంది మరియు అసమాన ఉష్ణోగ్రత పంపిణీ వల్ల కలిగే క్రిస్టల్ లోపాల ప్రమాదాన్ని తగ్గిస్తుంది.