సివిడి సిక్ కోటింగ్ బారెల్ ససెప్టర్

ఎపిటాక్సీ గ్రోత్ అనేది ఒకే క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్ (సబ్‌స్ట్రేట్) పై ఒకే క్రిస్టల్ ఫిల్మ్ (సింగిల్ క్రిస్టల్ లేయర్) ను పెంచే ప్రక్రియ. ఈ సింగిల్ క్రిస్టల్ చిత్రాన్ని ఎపిలేయర్ అంటారు. ఎపిలేయర్ మరియు ఉపరితలం ఒకే పదార్థంతో తయారు చేయబడినప్పుడు, దీనిని హోమోపిటాక్సియల్ పెరుగుదల అంటారు; అవి వేర్వేరు పదార్థాలతో తయారైనప్పుడు, దీనిని హెటెరో ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల అంటారు.

ఎపిటాక్సియల్ రియాక్షన్ చాంబర్ యొక్క నిర్మాణం ప్రకారం, రెండు రకాలు ఉన్నాయి: క్షితిజ సమాంతర మరియు నిలువు. నిలువు ఎపిటాక్సియల్ కొలిమి యొక్క ససెప్టర్ ఆపరేషన్ సమయంలో నిరంతరం తిరుగుతుంది, కాబట్టి ఇది మంచి ఏకరూపత మరియు పెద్ద ఉత్పత్తి పరిమాణాన్ని కలిగి ఉంది మరియు ప్రధాన స్రవంతి ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ పరిష్కారంగా మారింది. మరియు వెటెక్ సెమీకండక్టర్ EPI కోసం SIC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ బారెల్ ససెప్టర్ యొక్క ఉత్పత్తి నిపుణుడు.

MOCVD మరియు HVPE వంటి ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ పరికరాలలో, SIC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ బారెల్ ససెప్టర్లను WAFER ను పరిష్కరించడానికి ఉపయోగిస్తారు, ఇది వృద్ధి ప్రక్రియలో స్థిరంగా ఉందని నిర్ధారించడానికి. పొర బారెల్ రకం ససెప్టర్ మీద ఉంచబడుతుంది. ఉత్పత్తి ప్రక్రియ కొనసాగుతున్నప్పుడు, వేఫర్ను సమానంగా వేడి చేయడానికి ససెప్టర్ నిరంతరం తిరుగుతుంది, అయితే పొర ఉపరితలం ప్రతిచర్య వాయువు ప్రవాహానికి గురవుతుంది, చివరికి ఏకరీతి ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలను సాధిస్తుంది.

సివిడి సిక్ కోటింగ్ బారెల్ టైప్ ససెప్టర్ స్కీమాటిక్

ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ కొలిమి తినివేయు వాయువులతో నిండిన అధిక-ఉష్ణోగ్రత వాతావరణం. అటువంటి కఠినమైన వాతావరణాన్ని అధిగమించడానికి, వెటెక్ సెమీకండక్టర్ సివిడి పద్ధతి ద్వారా గ్రాఫైట్ బారెల్ ససెప్టర్‌కు SIC పూత యొక్క పొరను జోడించాడు, తద్వారా SIC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ బారెల్ ససెప్టర్ లభిస్తుంది

నిర్మాణ లక్షణాలు:

●  ఏకరీతి ఉష్ణోగ్రత పంపిణీ: బారెల్ ఆకారపు నిర్మాణం వేడిని మరింత సమానంగా పంపిణీ చేస్తుంది మరియు స్థానిక వేడెక్కడం లేదా శీతలీకరణ కారణంగా పొర యొక్క ఒత్తిడి లేదా వైకల్యాన్ని నివారించగలదు.

●  వాయు ప్రవాహ భంగం తగ్గించండి.

●  భ్రమణ విధానం: బారెల్-ఆకారపు ససెప్టర్ యొక్క భ్రమణ విధానం ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క మందం అనుగుణ్యత మరియు పదార్థ లక్షణాలను మెరుగుపరుస్తుంది.

●  పెద్ద ఎత్తున ఉత్పత్తి.

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ సివిడి సిఐసి పూత బారెల్ రకం ససెప్టర్ అధిక-స్వచ్ఛత గ్రాఫైట్ మరియు సివిడి సిఐసి పూతతో కూడి ఉంటుంది, ఇది ససెప్టర్ తినివేయు వాయువు వాతావరణంలో ఎక్కువసేపు పనిచేయడానికి వీలు కల్పిస్తుంది మరియు మంచి ఉష్ణ వాహకత మరియు స్థిరమైన యాంత్రిక సహాయాన్ని కలిగి ఉంటుంది. పొర సమానంగా వేడి చేయబడిందని మరియు ఖచ్చితమైన ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలను సాధిస్తుందని నిర్ధారించుకోండి.

సివిడి సిక్ పూత యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలు

సివిడి సిక్ పూత యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలు
ఆస్తి	సాధారణ విలువ
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	FCC β దశ పాలిక్రిస్టలైన్, ప్రధానంగా (111) ఆధారితమైనది
సాంద్రత	3.21 గ్రా/సెం.మీ.
కాఠిన్యం	2500 విక్కర్స్ కాఠిన్యం （500 గ్రా లోడ్）
ధాన్యం పరిమాణం	2 ~ 10 మిమీ
రసాయన స్వచ్ఛత	99.99995%
ఉష్ణ సామర్థ్యం	640 J · kg-1· కె-1
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత	2700
ఫ్లెక్చురల్ బలం	415 MPa Rt 4-పాయింట్
యంగ్ మాడ్యులస్	430 GPA 4pt బెండ్, 1300 ℃
ఉష్ణ వాహకత	300W · M-1· కె-1
ఉష్ణ విస్తరణ (సిటిఇ)	4.5 × 10-6K-1

వెటెక్ సెమీకండక్టర్ సివిడి సిఐసి కోటింగ్ బారెల్ టైప్ ససెప్టర్