వార్తలు

SiC పరిశ్రమలో ప్రముఖ తయారీదారుగా, సనన్ ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ సంబంధిత డైనమిక్స్ పరిశ్రమలో విస్తృత దృష్టిని పొందింది. ఇటీవల, సనన్ ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ 8-అంగుళాల పరివర్తన, కొత్త సబ్‌స్ట్రేట్ ఫ్యాక్టరీ ఉత్పత్తి, కొత్త కంపెనీల స్థాపన, ప్రభుత్వ సబ్సిడీలు మరియు ఇతర అంశాలతో కూడిన తాజా పరిణామాల శ్రేణిని వెల్లడించింది.

భౌతిక ఆవిరి రవాణా (పివిటి) పద్ధతిని ఉపయోగించి SIC మరియు ALN సింగిల్ స్ఫటికాల పెరుగుదలలో, క్రూసిబుల్, సీడ్ హోల్డర్ మరియు గైడ్ రింగ్ వంటి కీలకమైన భాగాలు కీలక పాత్ర పోషిస్తాయి. మూర్తి 2 [1] లో చిత్రీకరించినట్లుగా, పివిటి ప్రక్రియలో, విత్తన క్రిస్టల్ తక్కువ ఉష్ణోగ్రత ప్రాంతంలో ఉంచబడుతుంది, అయితే SIC ముడి పదార్థం అధిక ఉష్ణోగ్రతలకు (2400 ℃ పైన) బహిర్గతమవుతుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉపరితలాలు చాలా లోపాలను కలిగి ఉన్నాయి మరియు నేరుగా ప్రాసెస్ చేయలేవు. చిప్ పొరలను తయారు చేయడానికి ఒక నిర్దిష్ట సింగిల్ క్రిస్టల్ సన్నని చలనచిత్రం ఎపిటాక్సియల్ ప్రక్రియ ద్వారా వాటిపై పెరగడం అవసరం. ఈ సన్నని చిత్రం ఎపిటాక్సియల్ పొర. దాదాపు అన్ని సిలికాన్ కార్బైడ్ పరికరాలు ఎపిటాక్సియల్ పదార్థాలపై గ్రహించబడ్డాయి. సిలికాన్ కార్బైడ్ పరికరాల అభివృద్ధికి అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ సజాతీయ ఎపిటాక్సియల్ పదార్థాలు ఆధారం. ఎపిటాక్సియల్ పదార్థాల పనితీరు సిలికాన్ కార్బైడ్ పరికరాల పనితీరు యొక్క సాక్షాత్కారాన్ని నేరుగా నిర్ణయిస్తుంది.