వార్తలు

SiC ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధి ప్రక్రియలో, SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ సస్పెన్షన్ వైఫల్యం సంభవించవచ్చు. ఈ కాగితం SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ సస్పెన్షన్ యొక్క వైఫల్య దృగ్విషయం యొక్క కఠినమైన విశ్లేషణను నిర్వహిస్తుంది, ఇందులో ప్రధానంగా రెండు అంశాలు ఉన్నాయి: SiC ఎపిటాక్సియల్ గ్యాస్ వైఫల్యం మరియు SiC పూత వైఫల్యం.

ఈ వ్యాసం ప్రధానంగా పరమాణు పుంజం ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియ మరియు లోహ-సేంద్రీయ రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ సాంకేతిక పరిజ్ఞానం యొక్క సంబంధిత ప్రక్రియ ప్రయోజనాలు మరియు తేడాలను చర్చిస్తుంది.

VeTek సెమీకండక్టర్ యొక్క పోరస్ టాంటాలమ్ కార్బైడ్, కొత్త తరం SiC క్రిస్టల్ గ్రోత్ మెటీరియల్‌గా, అనేక అద్భుతమైన ఉత్పత్తి లక్షణాలను కలిగి ఉంది మరియు వివిధ రకాల సెమీకండక్టర్ ప్రాసెసింగ్ టెక్నాలజీలలో కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది.